In order to find the best modificatio

In order to find the best modification process to fabricate the sensor, we prepared four sensors to explore the modification process. Sensor A was modified with CS-SNP and MIPs, sensor B was modified with GR-MWCNTs and MIPs, sensor C was modified with MIPs, and sensor D was modified with CS-SNP, GR-MWCNTs and MIPs. The properties of the four sensors in this work were shown in Fig. 1 and Table S1. Fig. 1A, B, C and D was CVs of the preparation processes of sensor A, sensor B, sensor C and sensor D, respectively. In this work, CV was performed with a supporting electrolyte containing 5.0 mmol/L K3[Fe(CN)6] solution containing 0.2 mol/L KCl. From Fig. 1 we could find that the current responses of sensor A, sensor B and sensor C after removing neomycin were smaller than that of sensor D in this work. Table S1 was the comparison of the properties of these sensors. Table S1 told us that the properties of sensors A, B and C were not as good as that of sensor D. Therefore, the sensor used in this work was modified with CS-SNP, GR-MWCNTs and MIPs
As shown in Fig. 1D, curves a and b showed the CVs of the bare electrode and CS-SNP composites modified gold electrode, respec-tively. We could find the current response of CS-SNP composites modified gold electrode became larger than that of bare electrode obviously. The reason was that CS-SNP could increase the effec-tive surface area and enhance the current signal of electrode efficiently. As shown in curve c, after a layer of GR-MWCNTs was modified on CS-SNP modified electrode, the current response of the electrode became much higher due to the synergistic effects of the good electrical conductivity of GR and MWCNTs. Curve d showed the CV of gold electrode after electropolymerization of MIPs. We found the CV showed significant current decrease at both peaks. And as shown in curve e, after removal of the template, the current response was apparently larger than that of electropolymerization. This may because the formation of vacant recognition sites or binding cavities made mass transfer and electronic transmission possible.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการ find การ modification สุดเพื่อสานการเซ็นเซอร์ เราเตรียมเซ็นเซอร์สี่แห่งการ modification Modified กับ CS SNP ถูกเซ็นเซอร์ A และ MIPs เซ็นเซอร์ B คือ modified กับ GR MWCNTs และ MIPs เซ็นเซอร์ C ถูก modified กับ MIPs และเซ็นเซอร์ D ถูก modified กับ CS SNP, GR MWCNTs และ MIPs คุณสมบัติของเซนเซอร์ 4 ในงานนี้มีแสดงใน Fig. 1 และตาราง S1 Fig. 1A, B, C และ D เป็น CVs ของกระบวนการเตรียมการของเซ็นเซอร์ A เซ็นเซอร์ B, C เซ็นเซอร์ และเซ็นเซอร์ D ตามลำดับ ในงานนี้ ทำ CV กับอิเล็กโทรการสนับสนุนประกอบด้วย 5.0 mmol/L K3 [Fe (CN) 6] โซลูชันประกอบด้วยโมล 0.2 L KCl จาก Fig. 1 เราสามารถ find ว่า การตอบสนองปัจจุบันเซ็นเซอร์ A, B ของเซ็นเซอร์ และเซ็นเซอร์ C หลังจากเอานีโอมัยซินมีขนาดเล็กกว่าที่เซ็นเซอร์ D ในงานนี้ S1 ตารางเปรียบเทียบคุณสมบัติของเซนเซอร์เหล่านี้ได้ ตาราง S1 บอกเราว่า ไม่ดีเท่าของเซ็นเซอร์ D. คุณสมบัติของเซนเซอร์ A, B และ C ดังนั้น การเซ็นเซอร์ที่ใช้ในการทำงานนี้ถูก modified กับ CS SNP, GR MWCNTs และ MIPsตามที่แสดงใน Fig. 1D โค้ง และ b แสดงให้เห็นว่า CVs ของเปลือยอิเล็กโทรด และอิเล็กโทรด modified ทองคอมโพสิตของ CS SNP, respec tively เราสามารถ find สนองของ CS SNP คอมโพสิต modified ทองอิเล็กโทรดเป็นมากกว่าของอิเล็กโทรดเปลือยอย่างชัดเจน เหตุผลเป็นที่ CS SNP สามารถเพิ่มพื้นที่ผิว effec-tive และเพิ่มสัญญาณปัจจุบันของอิเล็กโทรด efficiently เป็นแสดงในเส้นโค้ง c หลังจากชั้นของ GR MWCNTs ได้ modified ใน CS SNP modified ไฟฟ้า การตอบสนองปัจจุบันของอิเล็กโทรดกลายเป็นสูงเนื่องจากผลของการนำไฟฟ้าดี GR และ MWCNTs ส่วนโค้ง d แสดงให้เห็นว่า CV ของอิเล็กโทรดทองหลัง electropolymerization MIPs พลัง เราพบ CV ที่พบลดลงปัจจุบัน significant ที่ยอดเขาทั้งสอง และแสดงในเส้นโค้งอี หลังจากถอดแบบ สนองเห็นได้ชัดมากกว่าที่ electropolymerization นี้อาจเนื่องจากการก่อตัวของเว็บไซต์การว่างหรือฟันผุรวมไปได้ถ่ายโอนมวลและการส่งข้อมูลอิเล็กทรอนิกส์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อที่จะสายครั้งกระบวนการไอออนบวก Modi ไฟที่ดีที่สุดในการประดิษฐ์เซ็นเซอร์เราเตรียมสี่เซ็นเซอร์ในการสำรวจกระบวนการไอออนบวก Modi ไฟ เซนเซอร์เป็นเอ็ดสาย Modi กับ CS-SNP และ MIPs, B เซ็นเซอร์เป็นเอ็ดสาย Modi กับ GR-MWCNTs และ MIPs, C เซ็นเซอร์เป็นเอ็ดสาย Modi กับ MIPs และ D เซ็นเซอร์เป็นเอ็ดสาย Modi กับ CS-SNP, GR-MWCNTs และ MIPs คุณสมบัติของสี่เซ็นเซอร์ในงานนี้มีการแสดงในรูปที่ ที่ 1 และตาราง S1 มะเดื่อ 1A, B, C และ D เป็นประวัติของกระบวนการเตรียมความพร้อมของเซ็นเซอร์เซ็นเซอร์ B, C และ D เซ็นเซอร์เซ็นเซอร์ตามลำดับ ในงานนี้ CV ได้ดำเนินการกับอิเล็กโทรไลสนับสนุนที่มี 5.0 มิลลิโมล / ลิตร K3 [Fe (CN) 6] วิธีการแก้ปัญหาที่มี 0.2 mol / L KCl จากรูป 1 เราสามารถ fi ครั้งว่าการตอบสนองในปัจจุบันของเซ็นเซอร์ A, B และ C เซ็นเซอร์เซ็นเซอร์หลังจากลบ neomycin มีขนาดเล็กกว่าของเซ็นเซอร์ D ในงานนี้ ตารางที่ S1 คือการเปรียบเทียบคุณสมบัติของเซ็นเซอร์เหล่านี้ ตารางที่ S1 บอกกับเราว่าคุณสมบัติของเซ็นเซอร์, B และ C ได้ไม่ดีเท่าที่ของเซ็นเซอร์ดีดังนั้นเซ็นเซอร์ที่ใช้ในการทำงานนี้คือเอ็ดสาย Modi กับ CS-SNP, GR-MWCNTs และ MIPs
ดังแสดงในรูป 1D เส้นโค้งและ b แสดงให้เห็นประวัติของอิเล็กโทรดเปลือยและ CS-SNP คอมโพสิต Modi สายอิเล็กโทรดเอ็ดทอง respec-ลำดับ เราสามารถ fi ครั้งที่ตอบสนองปัจจุบันของ CS-SNP คอมโพสิต Modi สายอิเล็กโทรดเอ็ดทองกลายเป็นขนาดใหญ่กว่าของอิเล็กโทรดเปลือยอย่างเห็นได้ชัด เหตุผลก็คือว่า CS-SNP สามารถเพิ่มพื้นที่ผิว effec-เชิงและเพิ่มสัญญาณปัจจุบันของสายอิเล็กโทรด EF ciently ดังแสดงในคโค้งหลังจากที่ชั้นของ GR-MWCNTs เป็นเอ็ดสาย Modi ใน CS-SNP Modi อิเล็กโทรดเอ็ดสายการตอบสนองในปัจจุบันของอิเล็กโทรดกลายเป็นมากขึ้นเนื่องจากผลกระทบกันอย่างลงตัวของการนำไฟฟ้าที่ดีของ GR และ MWCNTs โค้งงแสดงให้เห็น CV ของอิเล็กโทรดทองหลังของอิเลค MIPs เราพบ CV แสดงให้เห็นนัยสำคัญสายลาดเทลดลงในปัจจุบันที่ยอดเขาทั้งสอง และตามที่แสดงในรูปแบบ e โค้งหลังจากการกำจัดของแม่แบบการตอบสนองในปัจจุบันเห็นได้ชัดว่าขนาดใหญ่กว่าของอิเลค นี้อาจเป็นเพราะการก่อตัวของเว็บไซต์ที่ได้รับการยอมรับที่ว่างหรือช่องว่างที่มีผลผูกพันทำให้การถ่ายโอนมวลและการส่งผ่านอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นไปได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อถ่ายทอดและที่ดีที่สุดในกระบวนการสมัครงาน จึงสร้างเซ็นเซอร์ที่เราเตรียมไว้สี่ตัวจึงสำรวจ Modi ในกระบวนการ เซนเซอร์คือโมดิจึงเอ็ดกับ cs-snp เคน , เซ็นเซอร์ B Modi จึงเอ็ดกับ mwcnts GR เคน , เซ็นเซอร์อุณหภูมิ Modi จึงเอ็ดกับเคน และเซ็นเซอร์ D Modi จึงเอ็ดกับ cs-snp mwcnts GR , เคน . คุณสมบัติของ 4 เซ็นเซอร์ ในงานนี้ได้ถูกแสดงในรูปที่ 1 และตาราง S1 .รูปที่ 1A , B , C และ D คือ CVS ของการเตรียมกระบวนการของเซนเซอร์ , เซ็นเซอร์เซ็นเซอร์และเซ็นเซอร์ B C D ตามลำดับ ในงานนี้ โดยแสดงด้วยการสนับสนุนอิเล็กโทรไลต์ที่มี 5.0 มิลลิโมล / ลิตร K3 [ Fe ( CN ) 6 ] 0.2 mol / l สารละลายที่มีโพแทสเซียม . จากรูปที่ 1 เราสามารถถ่ายทอดงานที่ตอบสนองกระแสของเซ็นเซอร์ ,เซ็นเซอร์ B และ C หลังจากลบเซ็นเซอร์มีเดียวิกิมีขนาดเล็กกว่าของเซ็นเซอร์ในงานนี้ ตาราง S1 คือการเปรียบเทียบคุณสมบัติของเซ็นเซอร์เหล่านี้ ตาราง S1 บอกเราว่าคุณสมบัติของเซ็นเซอร์ A , B และ C ไม่ได้ดีเท่าของเซ็นเซอร์ D ดังนั้น เซนเซอร์ที่ใช้ในงานนี้คือโมดิจึงเอ็ดกับ cs-snp mwcnts GR , เคน
ดังแสดงในรูปที่ 1 ดี ,เส้น A และ B มีประวัติส่วนตัวของขั้วเปลือยและ cs-snp คอมโมดิจึงเอ็ดทอง electrode respec มี . เราสามารถถ่ายทอดและกระแสการตอบสนองของ cs-snp คอมโมดิขั้วเอ็ดทองจึงกลายเป็นมีขนาดใหญ่กว่าของขั้วเปลือยอย่างเห็นได้ชัด เหตุผลที่ cs-snp สามารถเพิ่มพื้นที่ผิว effec mixing bord tive และเพิ่มสัญญาณกระแสไฟฟ้า EF จึง ciently . ตามที่แสดงในโค้ง Cหลังจากที่ชั้นของ GR mwcnts คือโมดิจึงเอ็ดใน cs-snp Modi จึงเอ็ดขั้วไฟฟ้า กระแสตอบรับของขั้วไฟฟ้าก็สูงขึ้นมาก เนื่องจากผลที่ค่าการนำไฟฟ้าที่ดีของ GR กับ mwcnts . เส้นโค้ง D แสดง CV ของขั้วไฟฟ้าทองหลัง 80 ของ Min . เราพบ CV พบ signi จึงไม่สามารถลดกระแสที่ทั้งยอดเขา และตามที่แสดงในกราฟ Eหลังจากการกำจัดแม่แบบการตอบสนองปัจจุบันปรากฏว่ามีขนาดใหญ่กว่าของ 80 . นี้อาจเป็นเพราะการสร้างเว็บไซต์การรับรู้ว่างหรือผูก ฟันผุ ทำให้การถ่ายเทมวลและการส่งข้อมูลทางอิเล็กทรอนิกส์ที่เป็นไปได้