Crystalline Si accounts for more th

Crystalline Si accounts for more than 90% of the solar cells
produced today and about 95% of those cells are fabricated on
p-type Si [1]. This is because of the well-established technology
and equipment base for p-type cell fabrication and lower wafer
and cell processing cost compared to n-type cells.However,p-type
wafers generally have lower bulk life time and are more
suscep-tible to metal impurities compared to then-type wafers [2,3]. It
has been reported that the minority carrier life time in p-type Si is
frequently limited by iron related defects [2,4] with larger electron
capture cross section compared to hole [5]. Iron is often present in
the feed stock material and can be introduced during processing
[6]. There fore,majority of the PV industry currently uses POCl3
diffusion to remove metal impurities including iron [7–11]. POCl3
การรวบรวม is attributed to the formation of misfit dislocations on
the surface which provide the sink for impurity การรวบรวม. In addition, higher phosphorus surface concentration enhances
การรวบรวม because it increases solid solubility and segregation
coefficient of metal impurities [7–17]. The phosphorus ion-im-
planted emitter has recently shown higher performance due to insitu oxide passivation during the implant annealing process
[18,19]. However, its การรวบรวม quality is not fully understood and
compared with POCl3 diffusion. This paper conducts a systematic
and controlled study to compare the impact of phosphorus
ion-implantation and POCl3 diffusion induced การรวบรวม on
castquasimono and Czochralski(Cz) Si solar cells.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลึกในบัญชีกว่า 90% ของเซลล์แสงอาทิตย์วันนี้ผลิต และมีประดิษฐ์ประมาณ 95% ของเซลล์เหล่านั้นบนชนิด p Si [1] นี้เป็น เพราะเทคโนโลยีดีขึ้นและอุปกรณ์พื้นฐานสำหรับการผลิตเซลล์ชนิด p และเวเฟอร์ต่ำและเซลล์การประมวลผลต้นทุนเมื่อเทียบกับเซลล์ประเภท n อย่างไรก็ตาม ชนิด pโดยทั่วไปมีเวลาชีวิตจำนวนมากต่ำกว่า และมีมากขึ้น suscep tible โลหะสกปรกเมื่อเทียบกับเวเฟอร์ชนิดนั้น [2, 3] มันมีการรายงานว่า เวลาชีวิตให้บริการชนกลุ่มน้อยในซีชนิด pบ่อยจำกัด โดยเหล็กที่เกี่ยวข้องกับข้อบกพร่อง [2, 4] กับอิเล็กตรอนที่มีขนาดใหญ่ภาพตัดขวางเทียบกับหลุม [5] มักจะมีเหล็กในตัวดึงข้อมูลสต็อกวัสดุ และสามารถนำมาใช้ในระหว่างการประมวลผล[6] มีบกพร่อง ส่วนใหญ่ของอุตสาหกรรม PV ปัจจุบันใช้ POCl3การกระจายการเอาโลหะสกปรกรวมทั้งเหล็ก [7-11] POCl3การรวบรวมเกิดจากการก่อตัวของ dislocations misfit บนพื้นผิวซึ่งมีอ่างสำหรับการรวบรวมบริสุทธิ์ นอกจากนี้ เพิ่มผิวเข้มข้นสูงฟอสฟอรัสการรวบรวม เพราะมันเพิ่มการละลายของแข็งและการแบ่งแยกค่าสัมประสิทธิ์ของโลหะสกปรก [7-17] ไอออนฟอสฟอรัส-im -ยิงปลูกเมื่อเร็ว ๆ นี้ได้แสดงประสิทธิภาพที่สูงขึ้นเนื่องจากฟิล์มออกไซด์ insitu ระหว่างประสาทหลอมกระบวนการ[18,19] . อย่างไรก็ตาม คุณภาพของการรวบรวมจะไม่เข้าใจ และเมื่อเทียบกับ POCl3 แพร่ กระดาษนี้ดำเนินการอย่างเป็นระบบศึกษาควบคุมเพื่อเปรียบเทียบผลกระทบของฟอสฟอรัสและ ฝังไอออนและแพร่ POCl3 เกิดการรวบรวมบน castquasimono และเซลล์แสงอาทิตย์ศรี Czochralski(Cz)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บัญชีผลึกศรีมากกว่า 90% ของเซลล์แสงอาทิตย์
ผลิตในวันนี้และประมาณ 95% ของเซลล์เหล่านั้นจะถูกประดิษฐ์บน
P-ประเภทศรี [1] นี้เป็นเพราะการที่ดีขึ้นเทคโนโลยี
และอุปกรณ์ฐานสำหรับการผลิตเซลล์ P-ชนิดและเวเฟอร์ที่ต่ำกว่า
ค่าใช้จ่ายและการประมวลผลมือถือเมื่อเทียบกับ cells.However N-ชนิด P-ประเภท
เวเฟอร์โดยทั่วไปมีเวลาชีวิตของกลุ่มที่ต่ำกว่าและมีมากขึ้น
suscep-tible กับโลหะสิ่งสกปรกแล้วเมื่อเทียบกับประเภทเวเฟอร์ [2,3] มัน
ได้รับรายงานว่าในเวลาชีวิตของผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยใน P-ประเภทศรี
จำกัด บ่อยจากข้อบกพร่องที่เกี่ยวข้องกับเหล็ก [2,4] กับอิเล็กตรอนที่มีขนาดใหญ่
ส่วนการจับภาพข้ามเมื่อเทียบกับหลุม [5] เหล็กเป็นมักจะนำเสนอใน
การป้อนวัสดุหุ้นและสามารถนำมาใช้ระหว่างการประมวลผล
[6] ก่อนมีส่วนใหญ่ของอุตสาหกรรม PV ในขณะนี้ใช้ POCl3
แพร่เพื่อเอาสิ่งสกปรกรวมทั้งโลหะเหล็ก [7-11] POCl3
การรวบรวมมาประกอบกับการก่อตัวของผลกระทบไม่เหมาะบน
พื้นผิวที่ให้อ่างสำหรับการรวบรวมสิ่งเจือปน นอกจากนี้ความเข้มข้นของพื้นผิวฟอสฟอรัสสูงช่วยเพิ่ม
การรวบรวมเพราะมันจะเพิ่มการละลายของแข็งและแยก
ค่าสัมประสิทธิ์ของสิ่งสกปรกโลหะ [7-17] ฟอสฟอรัสไอออนญ
ปลูกอีซีแอลเมื่อเร็ว ๆ นี้ได้แสดงให้เห็นประสิทธิภาพการทำงานที่สูงขึ้นเนื่องจากการ Insitu ออกไซด์ฟิล์มเทียมในระหว่างกระบวนการอบอ่อน
[18,19] อย่างไรก็ตามการรวบรวมคุณภาพไม่เป็นที่เข้าใจอย่างเต็มที่และ
เมื่อเทียบกับ POCl3 แพร่ กระดาษนี้จะดำเนินการอย่างเป็นระบบ
การศึกษาและการควบคุมเพื่อเปรียบเทียบผลกระทบของฟอสฟอรัส
ไอออนการปลูกถ่ายและเหนี่ยวนำให้เกิดการแพร่กระจาย POCl3 การรวบรวมใน
castquasimono และ Czochralski (Cz) ศรีเซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บัญชีศรีผลึกมากกว่า 90% ของโซล่าเซลล์ผลิตวันนี้ และประมาณ 95% ของเซลล์เหล่านั้นจะถูกประดิษฐ์ขึ้นพีศรี [ 1 ] นี้เป็นเพราะเทคโนโลยีดีขึ้นและอุปกรณ์พื้นฐานสำหรับการผลิตเซลล์และลดพีเวเฟอร์และเซลล์ค่าใช้จ่ายในการประมวลผลเมื่อเทียบกับเซลล์ทั่วไป อย่างไรก็ตาม พีเวเฟอร์โดยทั่วไปมีขนาดใหญ่กว่าชีวิตเวลาและมีมากขึ้นsuscep tible โลหะปลอมเมื่อเทียบกับประเภทเวเฟอร์แล้ว [ 2 ] มันมีรายงานว่า พาหะชีวิตเวลาพีศรี คือบ่อยครั้งที่ จำกัด โดยเหล็กที่เกี่ยวข้องบกพร่อง [ 2 , 4 ] กับอิเล็กตรอนที่มีขนาดใหญ่จับขวางเมื่อเทียบกับรู [ 5 ] เหล็กมักจะเป็นปัจจุบันอาหาร วัตถุดิบ และสามารถแนะนำในระหว่างการประมวลผล[ 6 ] ดังนั้นส่วนใหญ่ของอุตสาหกรรมเซลล์แสงอาทิตย์ในขณะนี้ใช้ pocl3การแพร่กระจายที่จะลบสิ่งสกปรกโลหะ ได้แก่ เหล็ก [ 7 – 11 ] pocl3การรวบรวมเกิดจากการก่อตัวของประหลาดในภาพยนตร์ชีวประวัติพื้นผิวซึ่งมีอ่างสำหรับมลการรวบรวม . นอกจากนี้ ฟอสฟอรัสที่ความเข้มข้นสูงผิวเพิ่มการรวบรวมเพราะมันเพิ่มการละลายของแข็งและการกระจายตัวสัมประสิทธิ์ของโลหะปลอม [ 7 – 17 ] ไอออนอิม - ฟอสฟอรัสอีซีปลูกเพิ่งแสดงประสิทธิภาพสูงเนื่องจากออกไซด์ passivation ฉบับใหม่ระหว่างปลูก กรรมวิธีการอบ[ 18,19 ] อย่างไรก็ตาม คุณภาพของการรวบรวมจะไม่เข้าใจอย่างเต็มที่ และเมื่อเทียบกับ pocl3 แพร่ กระดาษนี้เรียนอย่างเป็นระบบและศึกษาเปรียบเทียบผลกระทบของฟอสฟอรัส ควบคุมการปลูกฝังไอออนและกระจายการ pocl3 การรวบรวมบนcastquasimono czochralski ( CZ ) และซี เซลล์แสงอาทิตย์