Thermodynamic activities of Cd were

Thermodynamic activities of Cd were determined for the
Ce–Cd system in the temperature range between 690 and
1080 K and the composition range between 48 and 85 at%
Cd based on an isopiestic vapor pressure method.
values were converted to a common temperature of 823 K
and are given for the composition range 48–100 at% Cd. Using
a literature value of ln aCe as integration constant, it was
possible to calculate Ce activities and integral Gibbs energies
of formation for the same temperature and composition range.
A minimum of ΔGCd¼
37 kJ g-atom
1 was obtained in the
phase CeCd.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีกำหนดกิจกรรมทางอุณหพลศาสตร์ของซีดีสำหรับการระบบ Ce – ซีดีในช่วงอุณหภูมิระหว่าง 690 และ1080 K และช่วงองค์ประกอบ 85% และ 48ซีดีตามวิธีการความดันไอ isopiesticมีแปลงค่าอุณหภูมิทั่วไปของ 823 Kและกำหนดองค์ประกอบช่วง 48 – 100% การใช้ Cd.ค่าเอกสารประกอบการเอส ln เป็นค่าคงรวม ที่มันเป็นสามารถคำนวณพลังงาน Gibbs เป็นกิจกรรม Ceของการก่อตัวในช่วงอุณหภูมิและองค์ประกอบเดียวกันอย่างน้อย ΔGCd¼ 37 kJ g-อะตอม 1 กล่าวในการระยะ CeCd

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กิจกรรมของเทอร์โม Cd ได้รับการพิจารณาสำหรับ
ระบบ Ce-Cd ในช่วงอุณหภูมิระหว่าง 690 และ
1080 K และช่วงองค์ประกอบระหว่าง 48 และ 85% ที่
Cd ขึ้นอยู่กับวิธีการที่ความดันไอ isopiestic.
ค่าเปลี่ยนอุณหภูมิทั่วไปของ 823 K
และจะได้รับสำหรับช่วงองค์ประกอบที่ 48-100% Cd ใช้
ค่าวรรณคดี ACE ln เป็นการบูรณาการอย่างต่อเนื่องมันเป็น
ไปได้ที่จะคำนวณกิจกรรม Ce และพลังงานกิ๊บส์หนึ่ง
ของการพัฒนาสำหรับอุณหภูมิเดียวกันและช่วงองค์ประกอบ.
ต่ำสุดของΔGCd¼ 37 กิโลกรัมอะตอม? 1 ที่ได้รับใน
ขั้นตอนการ CeCd .

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทางกิจกรรมของแผ่นซีดีโดยวิธี
CE –ซีดีระบบในช่วงอุณหภูมิระหว่าง 690 และ
1080 K และองค์ประกอบในช่วงระหว่าง 48 และ 85 ที่ %
ซีดีตาม isopiestic ความดันไอวิธี .
ค่าแปลงเป็นอุณหภูมิทั่วไปของ 696 k
และจะได้รับสำหรับองค์ประกอบช่วง 48 100 - จาก CD การใช้วรรณกรรมในเอซค่า

เป็นค่าคงที่รวม คือสามารถคำนวณหากิจกรรมและบูรณาการกิ๊บส์พลังงาน
เกิดที่อุณหภูมิเดียวกันและองค์ประกอบช่วง CE
อย่างน้อยΔ LCD ¼
37 กิโล g-atom
1 ได้ในเฟส cecd
.