the zinc vacancy (VZn) level. The d

the zinc vacancy (VZn) level. The detected Zn (1 0 1)
peak (Fig. 1) implied that interstitial zinc (Zni) should
be the main defects in ZnO film deposited under low
oxygen pressure (because of insufficiency of oxygen).
The concentration of the interstitial zinc (Zni) and
zinc vacancy (VZn) defects in ZnO films depended
strongly on annealing temperature and oxygen
pressure. In present experiment, the annealing
temperature (550 8C) is higher than the melting
temperature (419 8C) of metal Zn. Melted metal is
in short-range order. It can be considered that there
were considerable interstitial zinc (Zni) and zinc
vacancy (VZn) defects in the liquid metal zinc. After
the oxidation of Zn to form ZnO, because the
oxidation temperature comparing to the melting
temperature of ZnO became very low (TO/
Tm(ZnO) = 823 K/2359 K = 0.37), the diffusion velocity
of zinc atoms or zinc vacancy in ZnO should be
slower. Therefore, the interstitial zinc (Zni) and zinc
vacancy (VZn) defects may be greatly or partly
reserved in ZnO film.
As to the influence of oxygen pressure on the
defects in ZnO film, according to Lin’s report [18],
during oxidation, the variation of these two defects of
Zni and VZn with the oxygen pressure (PO2 ) can be
expressed as:
12
O2 ¼ VX
Zn ¼ OX
O; . . . ; ½VX
Zn/P1=2
O2
(1)
Zni þ 12
O2ðgÞ ¼ ZnZn þ OO; . . . ; ½Zni/P1=2
O2
(2)
As oxygen pressure increases, Eq. (1) indicates that
the concentrations of VZn in ZnO films increases,
while Eq. (2) indicates that the concentrations of
Zni in ZnO films decreases. Experimentally, as oxygen
pressure increases, the decrease of Zni defects and the
increase of VZn defects in ZnO film result in the shift
of the emission peak from 2.91 to 3.0 eV, since the
theoretical predicted energy interval of Zni is 2.9 eV
and that of VZn is 3.06 eV.
It is expected that the existence of Zni in ZnO will
result in volume expansion of ZnO crystal and that of
VZn will result in volume shrinkage. The volume
variation of ZnO crystal can be approximately
predicted by the variations of plane distance of both
(1 0 0) and (0 0 2). Taking the XRD card’s
(PCPDFWIN) plane distance values of (1 0 0) and
(0 0 2) of ZnO as the plane distances of perfect crystal,
i.e. dcard(1 0 0) and dcard(0 0 2), and the values from
XRD analysis of ZnO films as experimental ones,
dexpt(1 0 0) and dexpt(0 0 2), the variation of ratios of
a = dexpt(1 0 0)/dcard(1 0 0) and b = dexpt(0 0 2)/
dcard(0 0 2) as oxygen pressure increases was shown
in Fig. 4. It can be seen that both ratios of a and b are
greater than 1 under the condition of low oxygen
pressure (50 Pa–500 Pa) and they approach to 1 under
the condition of high oxygen pressure (5000–
23,000 Pa). If it is considered that both Zni and VZn
defects all exist in ZnO films, these results indicate
that interstitial zinc (Zni) is dominating at low oxygen
pressure and interstitial zinc (Zni) almost equal to the
Zn vacancy (VZn) at high oxygen pressure. These
results are in agreement with the shift of the PL
emission peak from 2.91 to 3.0 eV when oxygen
pressure increases from low pressure (50–500 Pa) to
high pressure (5000–23,000 Pa).
The defect concentration can also be approximately
estimated. Because of the volume expansion of ZnO
lattice cell caused by Zni and the volume shrinkage by
VZn, the concentration difference of Zni  VZn in a
ZnO molecule is:
Zni  VZn
ZnO
¼
ðVexpt  VcardÞ=VZn
5:5
¼
4
ffiffiffi
3
p
d2ð100Þdcardð002Þða2b  1Þ
5:5VZn
(3)
where Vcard is the ZnO lattice cell volume calculated
from the XRD card and Vexpt the experimental one,
VZn the atom volume of Zn in covalence state. Value
of 5.5 is the number of ZnO molecule in a ZnO

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ระดับตำแหน่งว่าง (VZn) สังกะสี Zn ตรวจพบ (1 0 1)พีค (Fig. 1) นัยว่า สังกะสีหลาก (Zni) ควรเป็นข้อบกพร่องหลักฟิล์ม ZnO ฝากใต้ต่ำแรงดันออกซิเจน (เนื่องจากไม่เพียงพอของออกซิเจน)ความเข้มข้นของสังกะสีหลาก (Zni) และขึ้นอยู่กับข้อบกพร่องตำแหน่งว่าง (VZn) สังกะสีในฟิล์ม ZnOอย่างยิ่งในการอบเหนียวอุณหภูมิและออกซิเจนความกดดัน ในปัจจุบันการทดลอง การการอบเหนียวอุณหภูมิ (550 8C) จะสูงกว่าการหลอมอุณหภูมิ (419 8C) ของโลหะ Zn Melted โลหะลำดับ short-range มันสามารถเป็นที่มีมีมากหลากสังกะสี (Zni) และสังกะสีตำแหน่งว่าง (VZn) ข้อบกพร่องในสังกะสีโลหะเหลว หลังจากออกซิเดชันของ Zn ไป ZnO เนื่องจากการเปรียบเทียบการละลายอุณหภูมิเกิดออกซิเดชันอุณหภูมิของ ZnO เป็นต่ำมาก (เป็น /Tm(ZnO) = 823 K / 2359 K = 0.37), ความเร็วแพร่ควรเป็นตำแหน่งว่างใน ZnO อะตอมสังกะสีหรือสังกะสีช้าลง ดังนั้น หลากสังกะสี (Zni) และสังกะสีตำแหน่งว่าง (VZn) ข้อบกพร่องอาจจะมาก หรือบางส่วนจองในฟิล์ม ZnOเป็นอิทธิพลของความดันออกซิเจนข้อบกพร่องในฟิล์ม ZnO รายงานของหลิน [18],ในระหว่างการเกิดออกซิเดชัน การเปลี่ยนแปลงเหล่านี้สองข้อบกพร่องของZni และ VZn มีความดันออกซิเจน (PO2) สามารถแสดงเป็น:12O2 ¼ VXZn ¼วัวO . . . ; ½VXZn /P1 = 2O2(1)Zni þ 12O2ðgÞ ¼ ZnZn þดา . . . ; /P ½Zni 1 = 2O2(2)เป็นความดันออกซิเจนเพิ่ม Eq. (1) หมายถึงความเข้มข้นของ VZn ในฟิล์ม ZnO เพิ่มในขณะที่ Eq. (2) หมายถึงความเข้มข้นของZni ในฟิล์ม ZnO ลด Experimentally เป็นออกซิเจนความดันเพิ่มขึ้น ลดลงของข้อบกพร่อง Zni และเพิ่มความบกพร่อง VZn ในผลฟิล์ม ZnO ในกะของมลพิษที่ peak จาก 2.91 ถึง 3.0 eV ตั้งแต่การช่วงเวลาคาดการณ์พลังงานทฤษฎี Zni เป็น 2.9 eVและที่ VZn เป็น 3.06 eVคาดว่าการดำรงอยู่ของ Zni ใน ZnO จะส่งผลให้การขยายปริมาณของ ZnO คริสตัลและของVZn จะส่งผลในการหดตัวของปริมาณการ ไดรฟ์ข้อมูลรูปแบบของคริสตัล ZnO เป็นประมาณทำนาย โดยรูปแบบของระยะทางบินของทั้งสอง(1 0 0) และ (0 0 2) การของบัตร XRDค่าระยะทางการบิน (PCPDFWIN) ของ (1 0 0) และ(0 0 2) ของ ZnO เป็นระยะทางระนาบของผลึกที่สมบูรณ์แบบเช่น dcard(1 0 0) และ dcard(0 0 2) และผลจากการวิเคราะห์ XRD ของฟิล์ม ZnO เป็นคนทดลองdexpt(1 0 0) และ dexpt(0 0 2) ความผันแปรของอัตราการเป็น = dexpt(1 0 0)/dcard(1 0 0) และ b = dexpt(0 0 2) /dcard(0 0 2) เป็นความดันออกซิเจน เพิ่มขึ้นแสดงใน Fig. 4 จะเห็นได้ที่อัตราส่วนทั้งสองของตัว และ b คือมากกว่า 1 ภายใต้เงื่อนไขของออกซิเจนต่ำความดัน (50 Pa Pa – 500) และเข้าที่ 1 ภายใต้เงื่อนไขของความดันออกซิเจนสูง (5000 –23,000 ป่า) ถ้าว่าที่ Zni และ VZnข้อบกพร่องทั้งหมดมีอยู่ในฟิล์ม ZnO ผลลัพธ์เหล่านี้ระบุสังกะสีที่หลาก (Zni) จะมีอำนาจเหนือที่ออกซิเจนต่ำความดันและหลากสังกะสี (Zni) เกือบเท่ากับตำแหน่งว่าง Zn (VZn) ที่ความดันออกซิเจนสูง เหล่านี้ผลลัพธ์จะยังคงกะของ PLปล่อยก๊าซสูงสุดจาก 2.91 3.0 eV เมื่อออกซิเจนความดันเพิ่มขึ้นจากความดันต่ำ (50-500 Pa)สูงความดัน (Pa 5000 – 23,000)ความเข้มข้นความบกพร่องสามารถประมาณประมาณการ เนื่องจากการขยายตัวของปริมาณของ ZnOโครงตาข่ายประกอบเซลล์สาเหตุ Zni และหดตัวของปริมาณโดยVZn ความแตกต่างความเข้มข้นของ Zni VZn ในการโมเลกุล ZnO เป็น:Zni VZnZnO¼ðVexpt VcardÞ = VZn5:5¼4ffiffiffi3pd2ð100Þdcardð002Þða2b 1Þ5:5VZn(3)ปริมาตรเซลล์โครงตาข่ายประกอบ ZnO ที่คำนวณ Vcardจากบัตร XRD และ Vexpt ได้ทดลองVZn ปริมาตรอะตอมของ Zn ในสถานะ covalence ค่า5.5 เป็นจำนวนโมเลกุลของ ZnO ใน ZnO เป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ว่างสังกะสี (VZN) ระดับ ตรวจพบ Zn (1 0 1)
สูงสุด (รูปที่ 1). ส่อให้เห็นว่าสังกะสีสิ่งของ (ZNI) ควร
จะมีข้อบกพร่องหลักในภาพยนตร์ ZnO ฝากต่ำภายใต้
ความดันออกซิเจน (เพราะความไม่เพียงพอของออกซิเจน).
ความเข้มข้นของสังกะสีสิ่งของ (ZNI ) และ
ที่ว่างสังกะสี (VZN) ข้อบกพร่องในภาพยนตร์ ZnO ขึ้น
อย่างยิ่งกับอุณหภูมิการหลอมและออกซิเจน
ความดัน ในการทดลองปัจจุบันการหลอม
อุณหภูมิ (550 8C) สูงกว่าการละลาย
อุณหภูมิ (419 8C) ของโลหะสังกะสี โลหะละลายเป็น
ในการสั่งซื้อระยะสั้น มันสามารถได้รับการพิจารณาว่ามีความ
เป็นสังกะสีสิ่งของมาก (ZNI) และสังกะสี
ว่าง (VZN) ข้อบกพร่องในสังกะสีโลหะเหลว หลังจาก
การเกิดออกซิเดชันของธาตุสังกะสีในรูปแบบ ZnO เพราะ
อุณหภูมิออกซิเดชันเมื่อเทียบกับการละลาย
อุณหภูมิของซิงค์ออกไซด์กลายเป็นที่ต่ำมาก (TO /
Tm (ZnO) = 823 K / 2359 K = 0.37), ความเร็วการแพร่กระจาย
ของอะตอมสังกะสีหรือว่างสังกะสีใน ซิงค์ออกไซด์ควรจะ
ช้าลง ดังนั้นสังกะสีสิ่งของ (ZNI) และสังกะสี
ว่าง (VZN) ข้อบกพร่องอาจจะมากหรือบางส่วน
ลิขสิทธิ์ในภาพยนตร์ ZnO.
ในฐานะที่เป็นอิทธิพลของความดันออกซิเจนใน
ข้อบกพร่องในฟิล์มซิงค์ออกไซด์ตามรายงานของหลิน [18]
ในช่วงออกซิเดชัน รูปแบบของทั้งสองข้อบกพร่องของ
ZNI และ VZN กับความดันออกซิเจน (PO2) สามารถ
แสดงเป็น:
12
O2 ¼ VX
Zn ¼ OX
O; . . . ; ½VX
Zn / P1 = 2?
O2
(1)
ZNI 12 Th
O2ðgÞ¼ ZnZn þ OO; . . . ; ½Zni? / P 1 = 2
O2
(2)
ในขณะที่การเพิ่มขึ้นของความดันออกซิเจนสม (1) ระบุว่า
ความเข้มข้นของ VZN ในภาพยนตร์ซิงค์ออกไซด์เพิ่มขึ้น,
ในขณะที่สม (2) แสดงให้เห็นว่าระดับความเข้มข้นของ
ZNI ในภาพยนตร์ซิงค์ออกไซด์ลดลง ทดลองเช่นออกซิเจน
เพิ่มความดันลดลงของข้อบกพร่อง ZNI และ
เพิ่มขึ้นจากข้อบกพร่องในผล VZN ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ในการเปลี่ยนแปลง
ของยอดการปล่อย 2.91-3.0 eV ตั้งแต่
ช่วงพลังงานคาดการณ์ทางทฤษฎีของ ZNI คือ 2.9 eV
และของ VZN เป็น 3.06 eV.
มันเป็นที่คาดว่าการดำรงอยู่ของ ZNI ในซิงค์ออกไซด์จะ
ส่งผลให้เกิดการขยายตัวของปริมาณของผลึกซิงค์ออกไซด์และของ
VZN จะส่งผลให้ปริมาณการหดตัว ปริมาณ
การเปลี่ยนแปลงของผลึกซิงค์ออกไซด์สามารถประมาณ
คาดการณ์โดยรูปแบบของระยะทางที่เครื่องบินของทั้งสอง
(1 0 0) และ (0 0 2) การบัตร XRD ของ
(PCPDFWIN) ค่าระยะทางเครื่องบิน (1 0 0) และ
(0 0 2) ซิงค์ออกไซด์เป็นระยะทางที่เครื่องบินของผลึกที่สมบูรณ์แบบ
เช่น dcard (1 0 0) และ dcard (0 0 2) และค่านิยม จาก
การวิเคราะห์ XRD ของฟิล์มซิงค์ออกไซด์เป็นคนทดลอง
dexpt (1 0 0) และ dexpt (0 0 2) การเปลี่ยนแปลงของอัตราส่วน
= dexpt (1 0 0) / dcard (1 0 0) และ B = dexpt (0 0 2) /
dcard (0 0 2) การเพิ่มความดันออกซิเจนก็แสดงให้เห็น
ในรูป 4. จะเห็นได้ว่าทั้งอัตราส่วนของ a และ b เป็น
มากกว่า 1 ภายใต้เงื่อนไขของออกซิเจนต่ำ
ความดัน (50 Pa-500 ป่า) และพวกเขาเข้าใกล้ถึง 1 ภายใต้
เงื่อนไขของความดันออกซิเจนสูง (5000-
23,000 ป่า) หากจะพิจารณาว่าทั้ง ZNI และ VZN
ข้อบกพร่องทั้งหมดที่มีอยู่ในภาพยนตร์ ZnO ผลลัพธ์เหล่านี้บ่งชี้
ว่าสังกะสีสิ่งของ (ZNI) จะมีอำนาจเหนือที่ออกซิเจนต่ำ
ความดันและสังกะสีสิ่งของ (ZNI) เกือบเท่ากับ
ว่าง Zn (VZN) ที่ความดันออกซิเจนสูง . เหล่านี้
ผลที่ได้ในข้อตกลงกับการเปลี่ยนแปลงของ PL
ยอดการปล่อย 2.91-3.0 eV เมื่อออกซิเจน
เพิ่มขึ้นแรงกดดันจากแรงดันต่ำ (50-500 ป่า) เพื่อ
ความดันสูง (5000-23,000 ป่า).
ความเข้มข้นข้อบกพร่องนอกจากนี้ยังสามารถประมาณ
ประมาณ เนื่องจากการขยายตัวของปริมาณของซิงค์ออกไซด์
เซลล์ตาข่ายที่เกิดจากการหดตัว ZNI และปริมาณโดย
VZN ความแตกต่างความเข้มข้นของ ZNI? VZN ใน
โมเลกุล ZnO คือ
ZNI? VZN
ZnO
¼
ðVexpt? VcardÞ = VZN
5: 5
¼
4
ffiffiffi
3
P
d2ð100Þdcardð002Þða2b? 1th
ที่ 5: 5VZn
(3)
ที่ Vcard เป็นปริมาณเซลล์ตาข่าย ZnO คำนวณ
จากการ์ด XRD และ Vexpt หนึ่งทดลอง
VZN ปริมาณอะตอมของธาตุสังกะสีในรัฐ Covalence มูลค่า
5.5 คือจำนวนของโมเลกุลในซิงค์ออกไซด์ซิงค์ออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สังกะสีตำแหน่งว่าง ( vzn ) ระดับ พบสังกะสี ( 1 0 1 )
( รูปที่ 1 ) สูงสุด ( interstitial สังกะสี ( zni ) ควร
เป็นข้อบกพร่องหลักในซิงค์ออกไซด์ฟิล์มฝากภายใต้ความดันออกซิเจนต่ำ
( เพราะขาดออกซิเจน ) .
ความเข้มข้นของสังกะสีดู ( zni ) และสังกะสี ( vzn
ว่าง ) ข้อบกพร่องในซิงค์ออกไซด์ภาพยนตร์ขึ้นอยู่กับ
อย่างมากในการอบอุณหภูมิและความดันออกซิเจน

ในการทดลองในปัจจุบัน
อุณหภูมิการอบอ่อน ( 550 8C ) สูงกว่าอุณหภูมิละลาย
( 419 8C ) ของธาตุโลหะ หลอมโลหะ
เพื่อระยะประชิด มันสามารถได้รับการพิจารณาว่ามี
ถูกมากดูสังกะสี ( zni ) และสังกะสี ( vzn
ว่าง ) ข้อบกพร่องในโลหะเหลวสังกะสี หลังจาก
ออกซิเดชันของสังกะสีจากซิงค์ออกไซด์ เพราะออกซิเจน อุณหภูมิเทียบกับละลาย

อุณหภูมิของ ZnO เป็นต่ำมาก ( /
TM ( ZnO ) = 696 k / 1641 K = 0.37 ) , การแพร่กระจายของความเร็วของอะตอมสังกะสีหรือซิงค์

ที่ว่างใน ZnO จะช้าลง ดังนั้น สังกะสีดู ( zni ) และสังกะสี ( vzn
ว่าง ) ข้อบกพร่องที่อาจจะมาก หรือฝน

ไว้ในซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม เป็นอิทธิพลของความดันออกซิเจนใน
ข้อบกพร่องในซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม ตามรายงานของหลิน [ 18 ] ,
ในระหว่างการออกซิเดชันการเปลี่ยนแปลงของทั้งสองข้อบกพร่องของ
zni vzn กับออกซิเจนและความดัน ( po2 ) สามารถแสดงเป็น : 12



¼ O2 ¼ VX สังกะสีอ๊อก
O ; . . . . . . . . ; ½ VX
สังกะสี  / P1 = 2
( 1 ) O2

zni þ 12
O2 ðกรัมÞ¼ znzn þ OO ; . . . . . . . . ; ½ zni  / p  1 = 2
( 2 ) O2

เป็นออกซิเจนความดันเพิ่มขึ้น อีคิว ( 1 ) พบว่า ความเข้มข้นของ vzn
ในซิงค์ออกไซด์ฟิล์มเพิ่มขึ้น
ในขณะที่อีคิว ( 2 ) พบว่า ความเข้มข้นของ
zni ลดลงซิงค์ออกไซด์ในฟิล์มนี้เป็นออกซิเจน
เพิ่มความดัน , ลด zni ข้อบกพร่องและข้อบกพร่องในการเพิ่มขึ้นของ vzn
ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ ผลของการเปลี่ยนแปลง
สูงสุดจาก 2.91 ไป 3.0 วี เนื่องจากทฤษฎีคาดการณ์พลังงานช่วง zni

เป็น 2.9 EV ที่ vzn เป็น 3.06 EV .
ก็คาดหวังว่า การดำรงอยู่ของ zni ใน ZnO จะส่งผลให้ปริมาณการขยายตัวของ P

และที่ของคริสตัลvzn จะส่งผลให้ปริมาณการหดตัว ปริมาณ
รูปแบบของผลึกซิงค์ออกไซด์สามารถประมาณ
ทำนายโดยรูปแบบของเครื่องบิน ระยะห่างของทั้งสอง
1 0 0 ) และ ( 0 0 2 ) รับตรวจบัตร
( pcpdfwin ) ระยะทางที่เครื่องบินค่า ( 1 0 0 )
( 0 0 2 ) ของ ZnO เป็นเครื่องบินระยะทางของคริสตัลที่สมบูรณ์แบบ
เช่นดี ก๊าด ( 1 0 0 ) และดี ก๊าด ( 0 0 2 ) และค่าจาก
การวิเคราะห์ XRD ของซิงค์ออกไซด์ฟิล์มเป็นคนที่ทดลอง
dexpt ( 1 0 0 ) และ dexpt ( 0 0 2 ) การเปลี่ยนแปลงของอัตราส่วนของ
= dexpt ( 1 0 0 ) / ดี ก๊าด ( 1 0 0 ) และ B = dexpt ( 0 0 2 ) /
ดี ก๊าด ( 0 0 2 ) ออกซิเจน ความดันที่เพิ่มขึ้นแสดง
ในรูปที่ 4 จะเห็นได้ว่าอัตราส่วนของ A และ B
มากกว่า 1 ภายใต้สภาวะความดันของออกซิเจน
ต่ำ ( 50 PA PA ( 500 ) และแนวทางภายใต้
1สภาพความดันของออกซิเจนสูง ( 5000 )
, PA ) ถ้าจะพิจารณาว่าทั้ง zni vzn
และข้อบกพร่องอยู่ในซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม ผลลัพธ์เหล่านี้บ่งชี้
ที่ interstitial สังกะสี ( zni ) คือ ที่ความดันต่ำ และมีออกซิเจน
interstitial สังกะสี ( zni ) เกือบเท่ากับ
เมื่อว่าง ( vzn ) ที่ความดันออกซิเจนสูง ผลลัพธ์เหล่านี้
อยู่ในข้อตกลงกับการเปลี่ยนแปลงของ PL
มลพิษสูงสุดจาก 2.90 - 3 .0 EV เมื่อออกซิเจน
เพิ่มความดันจากความดันต่ำ ( 50 - 500 PA )
ความดันสูง ( 5 , 000 – 23000 PA ) .
ของเสียสมาธิยังสามารถประมาณ
โดยประมาณ เนื่องจากปริมาณการขยายตัวของ ZnO
แลตทิซเซลล์ที่เกิดจาก zni และการหดตัวของปริมาณโดย
vzn ความแตกต่างความเข้มข้นของ zni  vzn ใน ZnO โมเลกุล :



zni  vzn ZnO ¼
ð vexpt  vCard Þ = vzn
5 : 5
¼
4
3
p

ffiffiffiD2 ð 100 Þดี ก๊าดð 002 Þð a2b  1 Þ


ที่ 5:5vzn ( 3 ) vCard เป็นซิงค์ออกไซด์ปริมาณเซลล์ตารางคำนวณ
จาก XRD และบัตร vexpt จำนวนหนึ่ง
vzn อะตอม ปริมาณของสังกะสีในไม่รู้จักจบจักสิ้นสภาพ ค่า
5 คือจำนวนของซิงค์ออกไซด์ ZnO โมเลกุลใน