Electron beam (EB) lithography can

Electron beam (EB) lithography can be applied for features of 15–25 nm and 2–5 nm in routine production and
specialized conditions, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การทำลวดลายวงจร (EB) ลำแสงอิเล็กตรอนสามารถใช้สำหรับคุณสมบัติของ 15 – 25 nm nm 2 – 5 ในการผลิตประจำวัน และความเงื่อนไข ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ลำแสงอิเล็กตรอน (EB) พิมพ์หินสามารถนำมาใช้สำหรับคุณสมบัติของ 15-25 นาโนเมตรและ 2-5 นาโนเมตรในการผลิตประจำและ
เงื่อนไขพิเศษตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ลำแสงอิเล็กตรอน ( EB ) ภายในสามารถใช้คุณลักษณะ 15 – 25 nm และ 2 – 5 นาโนเมตรในการผลิตตามปกติ และเฉพาะเงื่อนไขตามลำดับ