We report an enhancement of low-fie

We report an enhancement of low-field, high-frequency magneto-impedance (MI) response and
circumferential domain structures of melt-extracted amorphous Co69.25Fe4.25Si13B13.5 microwires by dc
Joule annealing. The current amplitudes of 5 mA, 10 mA, and 20 mA were applied to amorphous
microwires for different time treatments. The magnetic field dependence of impedance and circumferential
domain structure of the microwires were explored using an impedance analyzer over a high
frequency range (20 MHze1000 MHz) and magnetic force microscopy (MFM), respectively. Consequently,
the optimum value of 5 mA current for 20 min markedly improved the MI ratio up to 610% (1.7
times of 380% from the as-cast state) at a working frequency of 20 MHz. Moreover, the magnetic field
sensitivity has been achieved up to 500%/Oe (more than two times of 225%/Oe from the as-cast one) at a
frequency of 40 MHz. MFM images clearly show the development of a well-defined circumferential
domain structure of the annealed microwire comparing with the as-cast one. The improvement of the
high-frequency MI response in Co-rich amorphous microwires is promising for sensitive magnetic
microsensors for low field detection.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรารายงานการตอบสนองความ ถี่สูง ต่ำฟิลด์ magneto ความต้านทาน (MI) การเพิ่มประสิทธิภาพ และโครงสร้างโดเมนเส้นรอบวงของสกัดละลายสัณฐาน Co69.25Fe4.25Si13B13.5 microwires โดย dcจูลที่หลอม ช่วงปัจจุบัน 5 mA, 10 mA และ 20 mA ใช้ไปถึงmicrowires สำหรับการรักษาเวลา พึ่งพาอาศัยกันสนามแม่เหล็ก ของอิมพีแดนซ์ และเส้นรอบวงโครงสร้างโดเมนของ microwires ถูกสำรวจโดยใช้การวิเคราะห์ความต้านทานสูงช่วงความถี่ (20 MHze1000 MHz) และกล้องจุลทรรศน์แรงแม่เหล็ก (MFM), ตามลำดับ ดังนั้นค่าสูงสุดของ 5 mA ปัจจุบัน 20 นาทีอย่างเด่นชัดการปรับปรุงอัตราส่วน MI ถึง 610% (1.7เวลา 380% จากรัฐเป็นหล่อ) ที่ความถี่การทำงานของ 20 MHz นอกจากนี้ สนามแม่เหล็กความไวแสงได้สูงถึง 500%/Oe (มากกว่าสองเท่าของ 225%/Oe จากเป็นหล่อ) ที่เป็นความถี่ 40 MHz. MFM ภาพแสดงอย่างชัดเจนการพัฒนาดีที่กำหนดเส้นรอบวงโครงสร้างโดเมนของ microwire อบที่เปรียบเทียบกับหนึ่งเป็นหล่อ การปรับปรุงการตอบสนองความถี่สูง MI microwires ไปร่วมรวยมีแนวโน้มสำหรับไวต่อแม่เหล็กmicrosensors สำหรับการตรวจสอบฟิลด์ต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรารายงานการเพิ่มประสิทธิภาพต่ำฟิลด์ความถี่สูงแม๊ต้านทาน (MI) การตอบสนองและ
โดเมนเส้นรอบวงโครงสร้างละลายสกัด microwires Co69.25Fe4.25Si13B13.5 สัณฐานโดย DC
หลอมจูล กว้างของคลื่นปัจจุบันของ 5 mA, 10 mA และ 20 mA ถูกนำไปใช้กับสัณฐาน
microwires สำหรับการรักษาเวลาที่แตกต่าง การพึ่งพาอาศัยสนามแม่เหล็กของความต้านทานและเส้นรอบวง
โครงสร้างโดเมนของ microwires ถูกสำรวจโดยใช้การวิเคราะห์ความต้านทานสูงกว่า
ช่วงความถี่ (20 MHze1000 MHz) และกล้องจุลทรรศน์แรงแม่เหล็ก (MFM) ตามลำดับ ดังนั้น
มูลค่าที่เหมาะสมของ 5 mA ปัจจุบันเป็นเวลา 20 นาทีที่ดีขึ้นอย่างเห็นได้ชัด MI อัตราส่วนสูงสุดถึง 610% (1.7
เท่าของ 380% จากรัฐเป็น-cast) ที่ความถี่การทำงานของ 20 MHz นอกจากนี้ยังมีสนามแม่เหล็ก
ความไวได้รับความสำเร็จได้ถึง 500% / โอเอะ (มากกว่าสองเท่าของ 225% / Oe จากหล่อที่หนึ่ง) ที่
ความถี่ 40 MHz ภาพที่แสดงให้เห็นชัดเจน MFM การพัฒนาที่ดีที่กำหนดเส้นรอบวง
โครงสร้างโดเมนของ Microwire อบเปรียบเทียบกับหนึ่งหล่อ การปรับปรุงของ
ความถี่สูงตอบสนอง MI ใน microwires สัณฐานร่วมอุดมไปด้วยมีแนวโน้มที่มีความสำคัญสำหรับแม่เหล็ก
ไมโครสำหรับการตรวจสอบข้อมูลต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรารายงาน การส่งเสริมด้านต่ำ ความถี่สูง แมกนีโต อิมพีแดนซ์ ( MI ) การตอบสนองและเส้นรอบวงของโดเมนโครงสร้างหลอมสกัดไป co69.25fe4.25si13b13.5 microwires โดย DCจูลอบ . ส่วนแรงบิด 5 ปัจจุบันของแม่ แม่ 10 และ 20 ประยุกต์ไปมาmicrowires รักษาเวลาที่แตกต่างกัน สนามแม่เหล็กและการพึ่งพาของเส้นรอบวงอิมพีแดนซ์โครงสร้างโดเมนของ microwires ถูกสำรวจโดยใช้แบบวิเคราะห์ผ่านสูงช่วงความถี่ ( 20 mhze1000 MHz ) และกล้องจุลทรรศน์แรงแม่เหล็ก ( MFM ) ตามลำดับ จากนั้นมูลค่าสูงสุด 5 มิลลิปัจจุบัน 20 นาทีอย่างเห็นได้ชัดการปรับปรุงอัตราส่วนมิถึง 610 ( 1.7ครั้ง 380 % จากที่โยนรัฐ ) ที่ความถี่ทำงาน 20 MHz นอกจากนี้ สนามแม่เหล็กความไวได้ถึง 500 % / OE ( มากกว่า 2 ครั้งใน 225 % / OE จากเป็นนักแสดงหนึ่ง ) ที่ความถี่ 40 MHz ภาพที่แสดงให้เห็นชัดเจน MFM การพัฒนาเส้นรอบวงต่อโครงสร้างโดเมนของอบ Microwire เปรียบเทียบกับเป็นนักแสดงคนหนึ่ง การปรับปรุงของในการตอบสนองต่อความถี่สูง มีสัณฐาน microwires Co รวยมีแนวโน้มสำหรับแม่เหล็กไวmicrosensors ตรวจจับสนามน้อย