in contrast, detail studies on pote

in contrast, detail studies on potential-induced degradation in photovoltaic modules based on n-type based silicon solar cells have been much less than p-type silicon photovoltaic modules, since sunpower firstly reported in n-type back contact silicon photovoltaic modules.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตรงกันข้าม การศึกษารายละเอียดลดโอกาสเกิดในอาทิตย์อิงเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนชนิด n ตามได้มากน้อยกว่า p-type ซิลิคอนอาทิตย์ ตั้งแต่คศแรกรายงานในประเภท n กลับอาทิตย์ติดต่อซิลิคอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในทางตรงกันข้ามการศึกษารายละเอียดเกี่ยวกับการย่อยสลายที่อาจเกิดขึ้นที่เกิดขึ้นในแผงเซลล์แสงอาทิตย์บนพื้นฐานของ N-ประเภทตามซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ได้รับมากน้อยกว่า P-ประเภทโมดูลเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนตั้งแต่ Sunpower รายงานแรกใน N-พิมพ์กลับติดต่อโมดูลเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในทางตรงกันข้าม , รายละเอียดการศึกษาศักยภาพให้เกิดการย่อยสลายในแผงเซลล์แสงอาทิตย์โดยทั่วไปจากซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ได้รับน้อยกว่าพีซิลิคอนแผงเซลล์แสงอาทิตย์เนื่องจาก Sunpower ประการแรกรายงานทั่วไปติดต่อซิลิคอนแผงเซลล์แสงอาทิตย์