the chlorophyll thin film that depo

the chlorophyll thin film that deposited on ITO substrate was used to fabricate a p-n junction diode.
Before deposition, 3 mm of ITO was removed using mixture of 2 ml nitric acid and 6 ml hydrochloride acid.
The removal of ITO is important for a p-n junction.
The temperature of deposition process was 24C.
As shown in Fig.2,Aluminum as eletrode cathode was built on the edge of the ITO substrate using the Electron Gun at a pressure of 2.5 mbar.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบางคลอโรฟิลที่ฝากไว้ในพื้นผิวอิโตะถูกใช้ในการประดิษฐ์ไดโอด p-n junctionก่อนสะสม 3 มม.ของอิโตะถูกเอาออกโดยใช้ส่วนผสมของกรดไนตริก 2 ml และ 6 มิลลิลิตรกรดไฮโดรคลอไรการกำจัดของ ITO เป็นสิ่งสำคัญสำหรับแยก p-nอุณหภูมิของกระบวนการสะสมถูกค. 24แสดงใน Fig.2,Aluminum เป็น eletrode เป็น แคโทดถูกสร้างบนขอบของพื้นผิวอิโตะใช้ปืนอิเล็กตรอนที่แรงดัน 2.5 mbar

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คลอโรฟิลฟิล์มบาง ๆ ที่วางอยู่บน ITO สารตั้งต้นที่ใช้ในการประดิษฐ์ไดโอด PN ชุม.
ก่อนที่จะสะสม 3 มิลลิเมตร ITO ถูกลบออกโดยใช้ส่วนผสมของ 2 มิลลิลิตรกรดไนตริกและ 6 มล. กรดไฮโดรคลอไร.
การกำจัดของ ITO เป็นสิ่งสำคัญสำหรับแยก PN .
อุณหภูมิของกระบวนการทับถมเป็น 24C.
ดังแสดงในรูปที่ 2 อลูมิเนียมเป็น eletrode แคโทดถูกสร้างขึ้นบนขอบของพื้นผิว ITO โดยใช้อิเลคตรอนปืนที่ความดัน 2.5 เอ็มบาร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คลอโรฟิลล์ที่ฝากไว้บนฟิล์มบาง ITO การเตรียมพื้นผิวการสาน p-n ชุมทางไดโอดก่อนสะสม , 3 มิล นี้จะถูกลบออกโดยใช้ส่วนผสมของ 2 ml กรดไนตริกและกรดไฮโดรคลอไรด์ 6 ml .เอาของนี้เป็นสิ่งสำคัญสำหรับ p-n Junctionอุณหภูมิของกระบวนการสะสมเป็น 24c .ดังแสดงใน fig.2 อลูมิเนียมเป็น eletrode แคโทดถูกสร้างขึ้นบนขอบของแผ่นนี้ใช้ปืนอิเล็กตรอนที่ความดัน 2.5 มิลลิบาร์