The power circuit is a H-bridge con

The power circuit is a H-bridge consisting four N- channel Enhancement MOSFETs. The MOSFETs used here are International Rectifies IRF540, which can hold a maximum drain to source voltage of 400V and can pass a maximum current of 10A. The MOSFET can switch with a maximum switching frequency of about 16MHz. Although the manufacturer integrated an inverse parallel diode to the MOSFETs external inverse parallel diodes are used for added safety. Because of the on-state resistance of the MOSFET there will be a conduction loss. The on-resistance isn't the only cause of power dissipation in the MOSFET. Another source occurs when the MOSFET is switching between states. For a short period of time, the MOSFET is half on and half off. The longer that the MOSFET is in the state where it is neither on nor off, the more power it will dissipate. Because of this power dissipation to avoid the MOSFETs being damaged by heat, heat sinks are used.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วงจรไฟฟ้าคือ H-สะพานประกอบด้วยสี่ช่อง N เพิ่มมอสเฟส มอสเฟสใช้นี่จะเน Rectifies IRF540 ซึ่งสามารถช่วยระบายน้ำสูงสุดแรงแหล่ง 400V และสามารถส่งกระแสสูง 10A MOSFET สามารถสลับที่สุดสลับความถี่ประมาณ 16MHz แม้ว่าผู้ผลิตรวมตัวไดโอดขนานผกผันกับการมอสเฟสภายนอกผกผันแบบขนานไดโอด จะใช้เพื่อความปลอดภัย เนื่องจากความต้านทานใน สถานะของ MOSFET จะมีการสูญเสียการนำ บนทนไม่ได้ทำให้เกิดการกระจายพลังงานใน MOSFET แหล่งอื่นเกิดขึ้นเมื่อ MOSFET จะสลับระหว่างรัฐ สำหรับระยะเวลาสั้น ๆ MOSFET เป็นครึ่งบนและครึ่งปิด อีกต่อไปว่า MOSFET อยู่ในสถานะไม่อยู่ หรือ ปิด พลังงานมากมันจะกระจาย เนื่องจากนี้กระจายพลังงานเพื่อหลีกเลี่ยงมอสเฟสที่ถูกทำลาย โดยความร้อน เก็บความร้อนจะใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วงจรอำนาจเป็น H-สะพานประกอบด้วยสี่ N- MOSFETs ช่องทางเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFETs ที่ใช้ที่นี่เป็นนานาชาติ rectifies IRF540 ซึ่งสามารถเก็บไว้เป็นท่อระบายน้ำสูงสุดให้กับแรงดันไฟฟ้า 400V แหล่งที่มาของและสามารถส่งผ่านกระแสสูงสุด 10A MOSFET สามารถสลับกับเปลี่ยนความถี่สูงสุดประมาณ 16MHz แม้ว่าผู้ผลิตแบบบูรณาการไดโอดขนานผกผันกับผกผันภายนอก MOSFETs ไดโอดขนานถูกนำมาใช้เพื่อเพิ่มความปลอดภัย เนื่องจากความต้านทานในรัฐของมอสเฟตจะมีการสูญเสียการนำ บนต้านทานไม่ได้เป็นสาเหตุเดียวของการกระจายอำนาจในมอสเฟต แหล่งอื่นเกิดขึ้นเมื่อ MOSFET จะสลับไปมาระหว่างรัฐ เป็นระยะเวลาสั้น ๆ ของเวลา MOSFET เป็นครึ่งหนึ่งและครึ่งปิด อีกต่อไปที่ MOSFET อยู่ในสถานะที่เป็นค่ามิได้ในการปิดการใช้พลังงานมากขึ้นก็จะกระจาย เนื่องจากการกระจายอำนาจนี้เพื่อหลีกเลี่ยง MOSFETs ที่กำลังได้รับความเสียหายจากความร้อน sinks ความร้อนจะใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วงจรจ่ายไฟเป็น h-bridge ประกอบด้วยสี่ - ช่องสอดเสริม . การสอดใช้ที่นี่ rectifies irf540 นานาชาติ ซึ่งสามารถจุได้สูงสุดถึงแหล่งที่มาของ 400v ระบายแรงดันสูงสุดและสามารถผ่านกระแส 10A . MOSFET สามารถสลับกับเปลี่ยนความถี่สูงสุดประมาณ 16mhz . แม้ว่าผู้ผลิตรวมไดโอดขนานผกผันกับสอดภายนอกผกผันขนานไดโอดจะถูกใช้เพื่อเพิ่มความปลอดภัย เพราะสภาพความต้านทานของมอสเฟตจะมีการสูญเสีย บนมันต้านทานไม่ได้เป็นสาเหตุเดียวของพลังความร้อนใน MOSFET . แหล่งอื่นเกิดขึ้นเมื่อ MOSFET สลับระหว่างรัฐ สำหรับรอบระยะเวลาสั้น ๆของเวลา มอสเฟต ครึ่งบนและครึ่งปิด ยิ่งว่ามอสเฟตอยู่ในสถานะที่เป็นทั้งในหรือนอก , พลังงานมากขึ้นมันก็จะสลายไป เพราะอำนาจการกระจายเพื่อหลีกเลี่ยงสอดเกิดความเสียหายจากความร้อน sinks ความร้อนที่ใช้