The damage models of h-BN crystal b

The damage models of h-BN crystal by Xe ion sputtering are shown in Fig. 10. The perfect crystal on the left (Fig. 10(a)) denotes the single h-BN grain before sputtering, and Fig. 10(b), (c) show the remaining parts and sputtered off parts after Xe ion sputtering a long different directions. Both B N bonds breakage and h-BN layers separation are occurred during the high-speed Xe ion impacting process, and several kinds of fragments, such as multilayers, single ayers, B N rings, B atoms or ions and N atoms or ions are sputtered off from h-BN crystal. As a result, material gradually lose from the surfaces during Xe ion sputtering [42]. In the case of composite ceramics, the damage models are showed in Fig. 11. The erosion mechanisms of composite ceramics can be summarized as the followed: (1) h-BN grains are destroyed by Xe ions sputtering as discussed above; (2) whole h-BN grains are detached from the surfaces; and (3) mullite is damaged by sputtering. After a period of ion sputtering, the original surface materials are removed away,revealing a porous sand lamellar morphology underneath [42].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แบบจำลองความเสียหายของคริสตัลบีเอ็นเอชโดยไอออน Xe สปัตเตอร์จะแสดงในรูป 10 ผลึกสมบูรณ์แบบทางด้านซ้าย (รูป 10(a)) หมายถึงเม็ดเดียว h-พันล้านก่อนสปัตเตอร์ และ 10(b) รูป, (ค) แสดงส่วนเหลือ และ sputtered ปิดชิ้นส่วนหลังจากไอออน Xe สปัตเตอร์ยาวทิศ ทั้ง B N พันธบัตรแตก และแยกชั้นบีเอ็นเอชจะเกิดระหว่างไอออน Xe ความเร็วสูงที่ส่งผลกระทบต่อกระบวนการ และชิ้นส่วน เช่น multilayers หลายชนิดเดียวเอเยอร์ส แหวน B N, B อะตอม หรือไอออน และ N อะตอม หรือไอออนมี sputtered ปิดจากคริสตัลบีเอ็นเอช เป็นผล วัสดุค่อย ๆ หายจากพื้นผิวระหว่างไอออน Xe สปัตเตอร์ [42] ในกรณีของเซรามิกคอมโพสิต แบบจำลองความเสียหายจะพบในรูป 11 กลไกการพังทลายของเซรามิกคอมโพสิตสามารถสรุปเป็นที่ตามมา: ธัญพืช h-พันล้าน (1) จะถูกทำลาย โดยไอออน Xe สปัตเตอร์ตามที่กล่าวไว้ข้างต้น (2) แยกออกจากพื้นผิว h-บีเอ็นทั้งธัญพืช และ (3) mullite หาย โดยสปัตเตอร์ หลังจากช่วงสปัตเตอร์ไอออน วัสดุพื้นผิวเดิมจะถูกลบออกไป เผยสัณฐานวิทยาชั้นทรายมีรูพรุนใต้ [42]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รุ่นความเสียหายของ H-BN คริสตัลโดยสปัตเตอร์ไอออน Xe จะแสดงในรูป 10. คริสตัลที่สมบูรณ์แบบบนซ้าย (รูปที่. 10 (ก)) หมายถึงเมล็ดเดียว H-BN ก่อนที่สปัตเตอร์และรูป 10 (ข) (ค) แสดงส่วนที่เหลืออยู่และพ่นออกชิ้นส่วนหลังจากเซสปัตเตอร์ไอออนทิศทางที่แตกต่างกันยาว ทั้งสอง BN พันธบัตรแตกแยกและ H-BN แยกชั้นจะเกิดขึ้นในช่วงความเร็วสูง Xe ไอออนกระบวนการที่ส่งผลกระทบและอีกหลายชนิดของเศษเช่นหลายชั้นเยอร์เดียว BN แหวน, B อะตอมหรือไอออนและอะตอม N หรือไอออนจะถูกพ่นออก จาก H-BN คริสตัล เป็นผลให้วัสดุค่อยๆสูญเสียจากพื้นผิวในช่วงเซสปัตเตอร์ไอออน [42] ในกรณีของเซรามิกคอมโพสิตแบบจำลองความเสียหายที่จะแสดงให้เห็นในรูป 11. กลไกการพังทลายของเซรามิกคอมโพสิตสามารถสรุปเป็นดังนี้ (1) เมล็ด H-BN จะถูกทำลายโดยไอออนเซสปัตเตอร์ตามที่กล่าวไว้ข้างต้น (2) ธัญพืช H-BN จะถูกถอดออกจากพื้นผิว; และ (3) มัลไลท์ได้รับความเสียหายโดยสปัตเตอร์ หลังจากช่วงเวลาที่สปัตเตอร์ไอออนวัสดุพื้นผิวเดิมจะถูกลบออกไปเผยให้เห็นรูพรุนสัณฐาน lamellar ทรายใต้ [42]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความเสียหายแบบคริสตัล โดยแซส h-bn ไอออนแสดงในรูปที่ 10 คริสตัลที่สมบูรณ์แบบบนซ้าย ( รูปที่ 10 ( ) หมายถึง เมล็ดข้าว h-bn เดียวก่อนทำงาน และรูปที่ 10 ( b ) , ( c ) แสดงชิ้นส่วนที่เหลืออยู่และ sputtered ปิดส่วนไอออนเป็นทิศทางที่แตกต่างกันหลังจากแซสปัตเตอร์ยาว ทั้ง B N พันธบัตรแตกและ h-bn ชั้นแยกเกิดขึ้นระหว่างกระบวนการกลุ่มไอออนที่มีความเร็วสูงและหลายประเภทของชิ้นส่วน เช่น multilayers เยอร์บีเอ็น , เดี่ยว , แหวน , B อะตอมหรือไอออนและไอออนอะตอมหรือจะ sputtered จาก h-bn คริสตัล เป็นผลจากพื้นผิววัสดุค่อยๆสูญเสียไอออนระหว่างแซส [ 42 ] ในกรณีของคอมโพสิตเซรามิก , ความเสียหายรุ่นที่แสดงในรูปที่ 11 กลไกของการประกอบเซรามิกสามารถสรุปได้เป็นดังนี้ : ( 1 ) h-bn ธัญพืชจะถูกทำลายโดยไอออนแซสปัตเตอริงตามที่กล่าวไว้ข้างต้น ; ( 2 ) ธัญพืช h-bn ทั้งหมดจะแยกออกจากพื้นผิว และ ( 3 ) การเกิดเสียหาย โดยการสปัตเตอร์ . หลังจากระยะเวลาของไอออนสปัตเตอริง , วัสดุพื้นผิวเดิมจะถูกลบออกไป เผยให้เห็นรูพรุนทรายปรับปรุงสัณฐานใต้ [ 42 ]