THIS ARTICLE DISCUSSES HOW TO MITIG

THIS ARTICLE DISCUSSES HOW TO MITIGATE THESE
LIMITATIONS THROUGH BUFFER SIZING, ROW CACHING, WRITE REDUCTION, AND WEAR
LEVELING, TO MAKE PCM A VIABLE DRAM ALTERNATIVE FOR SCALABLE MAIN MEMORIES

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทความนี้อธิบายถึงวิธีการเหล่านี้ข้อจำกัดผ่านขนาดบัฟเฟอร์ แคแถว เขียน และลดการสึกหรอปรับระดับ กับ PCM ทำให้ทางวางอนาคต DRAM สำหรับหลักขนาดความทรงจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทความนี้อธิบายวิธีเหล่านี้เพื่อลด
ข้อ จำกัด ผ่าน BUFFER ปรับขนาดแถวแคชเขียนลดและสวมใส่
LEVELING เพื่อให้ PCM เป็นทางเลือกที่ทำงานได้สำหรับ DRAM MEMORIES MAIN ปรับขนาดได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทความนี้อธิบายถึงวิธีการลดเหล่านี้ข้อจำกัดผ่านบัฟเฟอร์ขนาดแถวแคชเขียนลด และสวมปรับระดับ เพื่อให้เครื่องยนต์ทางเลือกของความทรงจำหลักยืดหยุ่นได้