Using high W/L diode-connected MOSt

Using high W/L diode-connected MOS
transistors with dynamic voltage controlled separated N-well
regions helps keeping all parasitic components off at all times
and eliminate the body effect. Therefore, the rectifier does not
dissipate excessive power through substrate leakage current or
show a high dropout voltage. It also significantly reduces the
risk of latchup.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้ W/L สูงเชื่อมต่อไดโอด MOSทรานซิสเตอร์ที่ควบคุมแรงดันไฟฟ้าไดนามิกคั่นเช่น Nภูมิภาคช่วยรักษาส่วนประกอบปรสิตทั้งหมดปิดตลอดเวลาและขจัดผลกระทบต่อร่างกาย ดังนั้น rectifier ที่ไม่กระจายอำนาจมากเกินไปผ่านพื้นผิวกระแสรั่วไหล หรือแสดงแรงดันไฟฟ้าสูงถอน มันยังช่วยลดการความเสี่ยงของ latchup

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยใช้ W / L ไดโอดที่เชื่อมต่อ MOS สูง
ทรานซิสเตอร์ที่มีแรงดันไฟฟ้าแบบไดนามิกควบคุมแยก N-ดี
ภูมิภาคจะช่วยให้การรักษาพยาธิส่วนประกอบทั้งหมดออกตลอดเวลา
และลดผลกระทบร่างกาย ดังนั้น rectifier ไม่
กระจายอำนาจมากเกินไปผ่านพื้นผิวรั่วไหลของกระแสหรือ
แสดงแรงดันสูงออกกลางคัน อย่างมีนัยสำคัญนอกจากนี้ยังช่วยลด
ความเสี่ยงของการ latchup

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ใช้ W / L สูงไดโอดเชื่อมมอสทรานซิสเตอร์แรงดันไฟฟ้าควบคุมะแยกกับแบบไดนามิกภูมิภาคช่วยรักษาองค์ประกอบปรสิตทั้งหมดปิดอยู่ตลอดเวลาและกำจัดร่างกายผล ดังนั้น กระแสไม่ได้เปลืองพลังงานมากเกินไปผ่านการรั่วไหลในปัจจุบัน ( หรือแสดงแรงดัน dropout ที่สูง นอกจากนี้ยังช่วยลดความเสี่ยงของ latchup .