Unlike earlier low density ShadowRA

Unlike earlier low density Shadow
RAM approaches, small cell size is achieved here by utilizing a vertically integrated IT-IC DRAM element
merged with a highly compact, vertically integrated, triple-level poly-silicon floating gate structure. Non-volatile operations on the floating gate stack are performed by Fowler-Nordheim electron injection through both a tunnel oxide, and through a first level to third level poly-silicon sidewall which has proven successful in earlier EPROMs.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซึ่งแตกต่างจากความหนาแน่นต่ำสุดก่อนหน้านี้เงาวิธี RAM ขนาดเซลล์ขนาดเล็กสามารถทำได้ที่นี่ โดยใช้องค์ประกอบเป็น IC DRAM แนวตั้งแบบรวมผสานกับความสูงกระชับ แนวตั้งรวม โครงสร้างประตูลอยระดับทริโพลีซิลิคอน ไม่ระเหยบนกองประตูลอยมีดำเนิน โดยฟาวเลอร์-Nordheim ฉีดอิเล็กตรอน ผ่านทั้งอุโมงค์เป็นออกไซด์ และระดับแรกแก้มโพลีซิลิคอนระดับที่สามซึ่งได้พิสูจน์แล้วว่าประสบความสำเร็จใน EPROMs ก่อนหน้านี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซึ่งแตกต่างจากก่อนหน้านี้ความหนาแน่นต่ำเงา
วิธี RAM ขนาดเซลล์ขนาดเล็กจะประสบความสำเร็จที่นี่โดยใช้บูรณาการแนวองค์ประกอบ DRAM ไอที IC
รวมกับขนาดกะทัดรัดสูงแบบบูรณาการในแนวตั้งสามระดับโพลีซิลิกอนโครงสร้างประตูลอย การดำเนินงานที่ไม่ระเหยในกองประตูลอยจะดำเนินการโดยฟาวเลอร์-Nordheim ฉีดอิเล็กตรอนทั้งออกไซด์อุโมงค์และผ่านระดับแรกที่แก้มยางโพลีซิลิกอนระดับที่สามซึ่งได้พิสูจน์แล้วว่าประสบความสำเร็จใน EPROMs ก่อนหน้านี้