Complex plane (Nyquist) plots of th

Complex plane (Nyquist) plots of the EIS are often utilized for an easy estimate of the circuit elements. These plots include a semicircle portion and a linear portion. The Nyquist diameter is equal to the charge transfer resistance, Rct. Fig. 5A and B displays the Nyquist diagram of the carbon paste electrode in the absence and presence of SDS in solution, respectively. As we could notice, the visible decrease in the diameter of semicircle would happen. Rct decrease from 8.64 × 105 Ω cm2 for CPE in the absence of SDS to 1.65 × 105 Ω cm2 in the presence of SDS. The impedance data demonstrated the facility electron transfer between BPR and electrode in the presence of SDS. The impedance data attained, which has been analyzed by the Randles circuit and was shown in Fig. 5 insert, offers a great fit to the experimental data.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผืนระนาบเชิงซ้อน (Nyquist) EIS จะถูกนำมาใช้สำหรับการประเมินองค์ประกอบของวงจรง่ายมัก ผืนนี้รวมส่วน semicircle และส่วนเชิงเส้น เส้นผ่าศูนย์กลาง Nyquist จะเท่ากับความต้านทานการโอนย้ายค่าธรรมเนียม Rct. Fig. ของ 5A และ B แสดงไดอะแกรม Nyquist ของอิเล็กโทรดวางคาร์บอนในการขาดงานและสถานะของ SDS ในโซลูชัน ตามลำดับ เราสามารถสังเกต มองเห็นลดลงเส้นผ่าศูนย์กลางของ semicircle จะเกิดขึ้น Rct ลดจาก 8.64 × 105 Ω cm2 สำหรับ CPE ของ SDS กับ cm2 Ω× 105 1.65 ในต่อหน้าของ SDS ข้อมูลความต้านทานแสดงให้เห็นว่าการถ่ายโอนอิเล็กตรอนสิ่งอำนวยความสะดวกระหว่าง BPR และอิเล็กโทรดในต่อหน้าของ SDS ความต้านทานข้อมูลได้ ซึ่งได้รับการวิเคราะห์จากวงจร Randles และถูกแสดงใน Fig. แทรก 5 ให้พอดีกับข้อมูลทดลอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เครื่องบินคอมเพล็กซ์ (Nyquist) แปลง EIS ถูกนำมาใช้มักจะประมาณการได้ง่ายขององค์ประกอบวงจร แผนการเหล่านี้รวมถึงส่วนครึ่งวงกลมและส่วนเชิงเส้น เส้นผ่าศูนย์กลาง Nyquist เท่ากับต้านทานค่าใช้จ่ายการโอน Rct มะเดื่อ 5A และ B แสดงแผนภาพ Nyquist ของอิเล็กโทรดวางคาร์บอนในกรณีที่ไม่มีและการปรากฏตัวของ SDS ในการแก้ปัญหาตามลำดับ ขณะที่เราสามารถสังเกตเห็นการลดลงมองเห็นได้ในเส้นผ่าศูนย์กลางของวงกลมที่จะเกิดขึ้น Rct ลดลงจาก 8.64 × 105 Ω cm2 สำหรับ CPE ในกรณีที่ไม่มี SDS 1.65 × 105 Ω cm2 ในการปรากฏตัวของ SDS ข้อมูลที่แสดงให้เห็นถึงความต้านทานการถ่ายโอนอิเล็กตรอนสิ่งอำนวยความสะดวกระหว่าง BPR และอิเล็กโทรดในการปรากฏตัวของ SDS ข้อมูลต้านทานบรรลุซึ่งได้รับการวิเคราะห์โดยวงจร Randles และได้รับการแสดงในรูป 5 แทรกมีแบบที่ดีให้กับข้อมูลการทดลอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เครื่องบินที่ซับซ้อน ( Nyquist ) แปลงของ EIS มักจะใช้สำหรับการประเมินวงจรง่ายขององค์ประกอบ แปลงเหล่านี้รวมถึงส่วนครึ่งวงกลม และส่วนที่เป็นเส้น เส้นผ่าศูนย์กลางของไนควิสต์เท่ากับค่าธรรมเนียมโอนความต้านทาน Razorflame . รูปที่ 43 และ B แสดงแผนภาพไนควิสต์ของคาร์บอนวางขั้วไฟฟ้าในการขาดงานและการปรากฏตัวของ SDS ในสารละลายตามลำดับ เราสามารถสังเกตส่วนที่มองเห็นได้ในเส้นผ่าศูนย์กลางของครึ่งวงกลมจะเกิดขึ้น ลด Razorflame จาก 8.64 × 105 Ω cm2 สำหรับ CPE ในการขาดงานของ SDS ถึง 1.65 × 105 Ω cm2 ในการแสดงตนของ SDS . ข้อมูลสิ่งอำนวยความสะดวกในการถ่ายโอนระหว่างอิมพีแดนซ์แสดงอิเล็กตรอนและ BPR ขั้วในการปรากฏตัวของ SDS . ค่าข้อมูลที่ได้รับซึ่งได้ถูกวิเคราะห์โดย แรนเดิลล์วงจรและได้แสดงในรูปที่ 5 แทรกให้พอดีกับข้อมูลการทดลอง

.