The starting materials (either pre-

The starting materials (either pre-synthesised polycrystalline chunks or, in the case of semi-insulating GaAs, elemental Ga and As) are placed in the growth crucible along with a pellet of boron trioxide. The crucible is placed inside a high pressure crystal puller and heated up.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วัสดุเริ่มต้น (ทั้งก้อนก่อน synthesised คหรือ ในกรณี ของ GaAs กึ่งฉนวน Ga ธาตุ และเป็น) อยู่ในครูซิเบิลเติบโตพร้อมกับเม็ดของโบรอน trioxide ครูซิเบิลวางอยู่ภายในออกแบบคริสตัลความดันสูง และร้อนขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วัสดุเริ่มต้น (ทั้งก่อนสังเคราะห์ชิ้น polycrystalline หรือในกรณีของ GaAs กึ่งฉนวน, ธาตุ Ga และในฐานะที่เป็น) จะอยู่ในเบ้าหลอมการเจริญเติบโตไปพร้อมกับเม็ดของโบรอนออกไซด์ เบ้าหลอมจะอยู่ภายในผลึกดึงแรงดันสูงและอุณหภูมิสูงขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วัตถุดิบเริ่มต้น ( ก่อนชิ้นผลึกสังเคราะห์ หรือในกรณีของกึ่ง GaAs , ธาตุกา และเป็นฉนวน ) วางอยู่ในเบ้าหลอมการเติบโตพร้อมกับเม็ด โบรอนไตรออกไซด์แล้ว เบ้าหลอมโลหะที่วางอยู่ภายในแรงดันสูงหัวคริสตัลและอุ่นขึ้น