Indeed, the success of GaInN in the

Indeed, the success of GaInN in the
1990s for high-brightness blue LEDs has now led to this
being the most popular material produced by MOCVD.
The early strength of MOCVD was its ability to grow
onto different substrates but this was later abandoned
in favor of the more conventional homoepitaxy; however,
the nitrides rely on heteroepitaxy onto sapphire
and SiC substrates, bringing MOCVD back to its roots
with the early work of Manasevit. This versatility with
substrate materials presents MOCVD with the ultimate
challenge of mating high-performance optoelectronic
materials with silicon substrates in order to combine
the best of optoelectronic and electronic performance

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จริง ความสำเร็จของ GaInN ในการปี 1990 สำหรับความสว่างสูง Led สีฟ้านำนี้วัสดุนิยมผลิต โดย MOCVDแรงต้นของ MOCVD มีความสามารถในการเติบโตลงบนพื้นผิวต่าง ๆ แต่นี้ในภายหลังยกเลิกในความโปรดปรานของ homoepitaxy ทั่วไป อย่างไรก็ตามnitrides การใช้ heteroepitaxy บนแซฟไฟร์และเล่นพื้นผิว นำ MOCVD กลับมาสู่รากของมันกับการทำงานเริ่มต้นของ Manasevit ความหลากหลายนี้ด้วยวัสดุพื้นผิวแสดง MOCVD กับสุดยอดความท้าทายของการผสมพันธุ์การควบคุมประสิทธิภาพสูงวัสดุพื้นผิวซิลิกอนเพื่อรวมควบคุมและประสิทธิภาพการทำงานอิเล็กทรอนิกส์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อันที่จริงความสำเร็จของ GaInN ในที่
ปี 1990 สำหรับความสว่างสูงไฟ LED สีฟ้าที่มีตอนนี้นำไปสู่การนี้
เป็นวัสดุที่นิยมมากที่สุดที่ผลิตโดย MOCVD.
ความแข็งแรงต้นของ MOCVD คือความสามารถในการเติบโต
ลงบนพื้นผิวที่แตกต่างกัน แต่ต่อมาถูกทอดทิ้ง
ในความโปรดปรานของ homoepitaxy ธรรมดา; แต่
ไนไตรพึ่งพา heteroepitaxy บนไพลิน
และพื้นผิว SiC นำ MOCVD กลับไปที่รากของมัน
กับการทำงานเริ่มต้นของการ Manasevit เก่งกาจนี้กับ
วัสดุพื้นผิวที่มีการจัด MOCVD ด้วยสุดยอด
ความท้าทายของการผสมพันธุ์ที่มีประสิทธิภาพสูง optoelectronic
วัสดุที่มีพื้นผิวซิลิกอนในการสั่งซื้อที่จะรวม
ที่ดีที่สุดของประสิทธิภาพ optoelectronic และอิเล็กทรอนิกส์