In heterojunction silicon with intr

In heterojunction silicon with intrinsic thin layer (HIT) solar cells, the excellent opto-electrical properties
of indium tin oxide (ITO) front contact play a critical role in attaining high efficiency. Therefore, in this
study, we present and demonstrate an effective statistic approach based on combining Taguchi method
and Grey relational analysis for the optimization of ITO films. A reduction in the number of experiments
by approximately 90% is obtained by the Taguchi method through an orthogonal array. The reproduction
of the effect of process parameters on single performance characteristic, however, is still ensured. In addition,
an excellent trade-off between electrical and optical properties of ITO films was attained within the
selected range of parameters by Grey relational analysis at power density of 0.685 W/cm2, working pressure
of 0.4 Pa, substrate temperature of 200 C, and post-annealing temperature of 200 C in 30 min.
Under optimal condition, the ITO films showed lowest electrical resistivity of 1.978  104 X cm, and
highest transmittance of 90.322%. The HIT solar cells using these ITO films as a front contact show highest
efficiency of 16.616%, yielding a 1.750% absolute increase in efficiency compared to using ITO films with
the initial condition. Furthermore, the analysis of variance (ANOVA) is determined to define the process
parameters which have a dominant effect on the electrical and optical properties of ITO films. Based on
ANOVA, we found that the substrate temperature was a key parameter which critically affects the optoelectrical
properties of ITO films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใน heterojunction ซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ intrinsic บางชั้น (ตี) opto ไฟฟ้าคุณสมบัติดีเยี่ยมของอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) ติดต่อหน้าเล่นบทบาทสำคัญในการบรรลุประสิทธิภาพสูง ดังนั้น ในนี้ศึกษา เรานำเสนอ และสาธิตวิธีการสถิติที่มีประสิทธิภาพตามรวมวิธี Taguchiและเพิ่มประสิทธิภาพของ ITO ฟิล์มสีเทาเชิงวิเคราะห์ ลดเวลาในการทดลองประมาณ 90% ได้รับ โดยวิธีการ Taguchi ผ่านอาร์เรย์ orthogonal การสืบพันธุ์ของผลของพารามิเตอร์กระบวนการ ลักษณะประสิทธิภาพเดียวอย่างไรก็ตาม จะยังคงมั่นใจ นอกจากนี้การ trade-off แห่งระหว่างไฟฟ้า และแสงคุณสมบัติของฟิล์ม ITO ได้บรรลุในการเลือกช่วงของพารามิเตอร์โดยวิเคราะห์เชิงสีเทาที่ความหนาแน่นพลังงานของ 0.685 ที่ W/cm2 ความดันทำงานของ 0.4 Pa อุณหภูมิพื้นผิวของ 200 C และหลังหลอมอุณหภูมิ 200 C 30 นาทีภายใต้เงื่อนไขที่ดีที่สุด ITO ภาพยนตร์แสดงต่ำความต้านทานไฟฟ้าของ 1.978 10 4 X ซม. และtransmittance สูงสุด 90.322% เซลล์แสงอาทิตย์ตีใช้ ITO ภาพยนตร์เหล่านี้เป็นผู้ติดต่อด้านหน้าแสดงสูงสุดประสิทธิภาพของ 16.616% ผลผลิตเพิ่มขึ้นแน่นอนเป็น 1.750% ในประสิทธิภาพเปรียบเทียบกับการใช้ภาพยนตร์ ITOเงื่อนไขเริ่มต้น นอกจากนี้ กำหนดค่าความแปรปรวนของการวิเคราะห์ (วิเคราะห์ความแปรปรวน) เพื่อกำหนดกระบวนการพารามิเตอร์ที่มีผลต่อหลักการไฟฟ้า และแสงคุณสมบัติของฟิล์ม ITO ขึ้นอยู่กับการวิเคราะห์ความแปรปรวน เราพบว่า อุณหภูมิพื้นผิวเป็นพารามิเตอร์สำคัญที่มีผลต่อ optoelectrical เหลือคุณสมบัติของฟิล์ม ITO

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในซิลิกอน heterojunction ด้วยชั้นบาง ๆ ที่แท้จริง (HIT) เซลล์แสงอาทิตย์คุณสมบัติ Opto ไฟฟ้าที่ยอดเยี่ยม
ของอินเดียมดีบุกออกไซด์ (ITO) ติดต่อหน้ามีบทบาทที่สำคัญในการบรรลุที่มีประสิทธิภาพสูง ดังนั้นใน
การศึกษาเรานำเสนอและแสดงให้เห็นวิธีการที่มีประสิทธิภาพตามสถิติเกี่ยวกับการรวมวิธีทากุชิ
และการวิเคราะห์เชิงสัมพันธ์สีเทาสำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพของฟิล์ม ITO ลดลงในจำนวนของการทดลอง
โดยประมาณ 90% จะได้รับโดยวิธีทากุชิผ่านอาร์เรย์มุมฉาก การทำสำเนา
ของผลกระทบของตัวแปรต่างๆต่อลักษณะการทำงานเดียว แต่ยังคงมั่นใจ นอกจากนี้
การออกที่ดีเยี่ยมระหว่างสมบัติทางไฟฟ้าและแสงของฟิล์ม ITO บรรลุภายใน
ช่วงที่เลือกของพารามิเตอร์โดยการวิเคราะห์เชิงสัมพันธ์สีเทาที่ความหนาแน่นพลังงานของ 0.685 W / cm2 ความดันการทำงาน
ของป่า 0.4 อุณหภูมิพื้นผิวของ 200? C, และอุณหภูมิหลังการอบ 200 องศาเซลเซียสในเวลา 30 นาที
ภายใต้สภาวะที่เหมาะสม, ฟิล์ม ITO มีความต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดของ 1.978? 10? 4 X เซนติเมตรและ
การส่งผ่านสูงที่สุดของ 90.322% HIT เซลล์แสงอาทิตย์ใช้เหล่านี้เป็นภาพยนตร์ ITO ติดต่อหน้าแสดงสูงสุด
ประสิทธิภาพของ 16.616% ผลผลิตเพิ่มขึ้นแน่นอน 1.750% ในประสิทธิภาพเทียบกับการใช้ฟิล์ม ITO กับ
สภาพเริ่มต้น นอกจากนี้การวิเคราะห์ความแปรปรวน (ANOVA) มุ่งมั่นที่จะกำหนดกระบวนการ
พารามิเตอร์ที่มีผลที่โดดเด่นในคุณสมบัติทางไฟฟ้าและแสงของฟิล์ม ITO ขึ้นอยู่กับการ
วิเคราะห์ความแปรปรวนเราพบว่าอุณหภูมิพื้นผิวเป็นพารามิเตอร์ที่สำคัญซึ่งมีผลกระทบต่อช่วง optoelectrical
คุณสมบัติของฟิล์ม ITO

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ใน heterojunction ซิลิคอนกับชั้นบางตัว ( ตี ) เซลล์แสงอาทิตย์ คุณสมบัติที่ดีไฟฟ้า opto
ของอินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) ติดต่อด้านหน้ามีบทบาทสำคัญในการบรรลุประสิทธิภาพสูง ดังนั้นในการศึกษานี้
, เรานำเสนอและสาธิตวิธีการ ตามสถิติที่มีประสิทธิภาพรวม
วิธีทาและการวิเคราะห์เชิงสีเทาสำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพของ ITO ภาพยนตร์ลดจำนวนการทดลอง
โดยประมาณ 90 เปอร์เซ็นต์ โดยวิธีการทาผ่านอาร์เรย์ ) . การสืบพันธุ์
ผลของตัวแปรในกระบวนการผลิต ลักษณะการทำงาน อย่างไรก็ตาม ยังมั่นใจ . นอกจากนี้ การแลกเปลี่ยนระหว่าง
ยอดเยี่ยมสมบัติทางไฟฟ้าและทางแสงของฟิล์ม ITO ก็บรรลุภายใน
เลือกช่วงของตัวแปรโดยการวิเคราะห์ความสัมพันธ์สีเทาที่ความหนาแน่นพลังงานของ 0.685 w / cm2 แรงดันทำงาน
0.4 PA , พื้นผิวอุณหภูมิ 200  C และโพสต์อุณหภูมิการอบอ่อน 200  C 30 นาที
ภายใต้ภาวะที่เหมาะสม อิโตะ ภาพยนตร์มีความต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดของ 1.978   4 x 10 เซนติเมตร และ
การส่งผ่านสูงสุดของ 90.322 %โดนเซลล์แสงอาทิตย์โดยใช้ฟิล์ม ITO เหล่านี้มีประสิทธิภาพสูงสุด
ติดต่อแสดงหน้า 16.616 % ผลผลิตเพิ่มแน่นอน 1.750 และประสิทธิภาพเมื่อเทียบกับการใช้ฟิล์ม ITO กับ
เงื่อนไขเริ่มต้น นอกจากนี้ การวิเคราะห์ความแปรปรวน ( ANOVA ) มุ่งมั่นที่จะกำหนดกระบวนการ
พารามิเตอร์ซึ่งมีลักษณะพิเศษเด่นต่อสมบัติทางไฟฟ้าและทางแสงของ ITO ภาพยนตร์ โดย
ANOVA ,เราพบว่าอุณหภูมิของแผ่นรองรับเป็นคีย์พารามิเตอร์ซึ่งวิกฤตที่มีผลต่อคุณสมบัติ optoelectrical
ของ ITO ภาพยนตร์