Before modification, pre-treatment

Before modification, pre-treatment of AuE was performed
according to Siddiquee et al. [31] procedure with some modifications.
Firstly, the AuE was polished with 3 lM aluminium slurry
for 2 min. After that, the AuE was sonicated for 2 min and rinsed
with deionized water for about 2 min. Later, 10 lL of the CHIT/
CaONPs/[EMIM][Otf] suspensions was casted onto the AuE and
then dried at room temperature for at least 4 h in order to obtain
a uniform coated membrane of CHIT/CaONPs/[EMIM][Otf]/AuE.
After successful immobilization, the surface of the modified AuE
was soaked in 0.001 M of MB for 2 min followed by washing with
Tris–HCl buffer (pH 7.0) to remove unspecific physically adsorption.
The electrochemical measurements of the modified AuE and
bare AuE were conducted in 50 mM Tris–HCl, 20 mM NaCl buffer
solutions (pH 7.0) containing 1.0 mM of MB using CV and DPV
methods.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก่อนปรับเปลี่ยน ทำการรักษาก่อนของ AuEตาม Siddiquee et al. [31] ขั้นตอนการแก้ไขบางอย่างประการแรก AuE ถูกขัด ด้วยสารละลายอะลูมิเนียม lM 32 นาที หลังจากนั้น AuE ถูก sonicated 2 นาที แล้วล้างด้วยน้ำจุประมาณ 2 นาที 10 หลัง lL ของหมอชิต /CaONPs / [EMIM] [Otf] บริการรับหล่อลง AuE และอบแห้งที่อุณหภูมิห้องอย่างน้อย 4 ชม.เพื่อให้ได้เครื่องแบบเคลือบเยื่อของ หมอชิต/CaONPs / [EMIM] [Otf] / AuEหลังจากประสบความสำเร็จตรึง พื้นผิวของ AuE แก้ไขถูกแช่ใน M 0.001 เมกะไบต์สำหรับ 2 นาทีตาม ด้วยล้างด้วยทริสเรทติ้ง – HCl บัฟเฟอร์ (pH 7.0) การเอา unspecific ร่างกายดูดซับการวัดไฟฟ้า AuE แก้ไข และAuE เปลือยได้ดำเนินการใน 50 มม. – ทริสเรทติ้ง HCl บัฟเฟอร์ NaCl 20 มม.โซลูชั่น (pH 7.0) ที่ประกอบด้วย 1.0 มิลลิเมตรของ MB ที่ใช้ CV และ DPVวิธีการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก่อนที่จะปรับเปลี่ยนการรักษาก่อนของซได้ดำเนินการ
ตาม Siddiquee et al, [31] ขั้นตอนมีการปรับเปลี่ยนบางอย่าง.
ประการแรกซถูกขัดด้วยอลูมิเนียม 3 LM สารละลาย
เป็นเวลา 2 นาที หลังจากนั้นซถูก sonicated เวลา 2 นาทีและล้าง
ด้วยน้ำกลั่นประมาณ 2 นาที ต่อมา 10 LL ของ Chit /
CaONPs / [ว่าเอมิม] [OTF] แขวนลอยถูกหล่อบนซและ
แห้งที่อุณหภูมิห้องเป็นเวลาอย่างน้อย 4 ชั่วโมงเพื่อให้ได้แล้ว
เมมเบรนเคลือบเครื่องแบบ Chit / CaONPs / [ว่าเอมิม] [ OTF] / ซ.
หลังจากการตรึงที่ประสบความสำเร็จ, พื้นผิวของซที่มีการแก้ไข
ที่ถูกแช่ใน 0.001 M ของ MB สำหรับ 2 นาทีตามด้วยการล้างด้วย
Tris-HCl บัฟเฟอร์ (pH 7.0) ที่จะเอาการดูดซับร่างกาย unspecific.
วัดไฟฟ้าของซการแก้ไข และ
เปลือยซได้ดำเนินการใน 50 มิลลิ Tris-HCl, 20 มิลลิเมตร NaCl บัฟเฟอร์
โซลูชั่น (pH 7.0) ที่มี 1.0 มิลลิเมตร MB ใช้ CV และ DPV
วิธี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก่อนปรับ ผลของการเอื้อตาม siddiquee et al . [ 31 ] ขั้นตอนกับการปรับเปลี่ยนประการแรก เอื้อก็ขัดด้วย 3 สารละลายอลูมิเนียมโดย2 นาทีหลังจากนั้น เอื้อก็ sonicated 2 นาทีและล้างกับคล้ายเนื้อเยื่อประสานน้ำประมาณ 2 นาทีต่อมา 10 จะของจิต /caonps / [ emim ] [ otf ] ช่วงล่างได้รับเลือกเข้าสู่เอื้อและแห้งที่อุณหภูมิห้องเป็นเวลาอย่างน้อย 4 ชั่วโมง เพื่อที่จะได้รับชุดเคลือบเยื่อของจิต / caonps / [ ] [ ] / emim otf เอื้อ .หลังจากประสบความสําเร็จผล พื้นผิวของการเอื้อหมัก 0.001 m ของ MB 2 นาทีตามด้วยการล้างหน้าโดย– HCl บัฟเฟอร์ pH 7.0 ) เพื่อลบกำกวมจริงการดูดซับการใช้และการวัดของการเอื้อเอื้อเปลือยจำนวน 50 มิลลิเมตร และในบริษัท HCL 20 mM NaCl บัฟเฟอร์โซลูชั่น ( pH 7.0 ) ที่มีขนาด 1.0 มิลลิเมตรของ MB ใช้ CV และ dpvวิธีการ