Another technique to introduce dopa

Another technique to introduce dopants into a semiconductor wafer is through ion implantation. This technique is actually a direct alternative to the thermal predeposition described previously, and can be followed by a drive-in diffusion step.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เทคนิคที่จะแนะนำ dopants เป็นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์อีกก็คือการฝังไอออน เทคนิคนี้เป็นจริงเป็นทางเลือกที่ตรงกับ predeposition ความร้อนที่ได้อธิบายไว้ก่อนหน้านี้และสามารถตามด้วยไดรฟ์ในขั้นตอนการกระจาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เทคนิคอื่นจะแนะนำ dopants เป็นแผ่นเวเฟอร์เป็นสารกึ่งตัวนำคือฤทธิ์ไอออน เทคนิคนี้เป็นจริงโดยตรงทางการ predeposition ความร้อนที่อธิบายไว้ก่อนหน้านี้ และสามารถตาม ด้วยขั้นตอนแพร่ไดรฟ์อิน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เทคนิคอื่นเพื่อแนะนำ dopants เข้าไปในแผ่นเซมิคอนดักเตอร์ที่ผ่านมา(ไอออน เทคนิคนี้เป็นทางเลือกโดยตรงเพื่อ predeposition ระบายความร้อนที่ได้อธิบายไว้ก่อนหน้านี้และสามารถตามด้วยขั้นตอนที่แพร่ขับรถในตัว