The fabrication process is schemati

The fabrication process is schematically illustrated in Fig. 1. A silicon substrate is first cleaned in piranha solution (3:1, H2SO4 98%:H2O2 30%) at 80 C for half an hour, followed by rinsing repeatedly with ultrapure water and is subsequently dried with nitrogen.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Schematically มีแสดงกระบวนการผลิตใน Fig. 1 ก่อนมีการทำความสะอาดพื้นผิวซิลิคอนในโซลูชันปลาปิรันยา (3:1 กำมะถัน 98%: H2O2 30%) ที่ 80 C สำหรับครึ่งชั่วโมง ตาม ด้วยการล้างซ้ำด้วยน้ำ ultrapure และต่อมาได้แห้งกับไนโตรเจน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระบวนการผลิตที่มีการแสดงแผนผังในรูป 1. พื้นผิวซิลิกอนทำความสะอาดครั้งแรกในการแก้ปัญหาปิรันย่า (3: 1, H2SO4 98%: 30% H2O2) ที่ 80 องศาเซลเซียสเป็นเวลาครึ่งชั่วโมงตามด้วยการล้างซ้ำด้วยน้ำบริสุทธิ์และต่อมามีการอบแห้งที่มีไนโตรเจน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระบวนการผลิตเป็นแผนผังแสดงในรูปที่ 1 เป็นซิลิคอนเป็นครั้งแรกทำความสะอาดในตัวโซลูชั่น ( : 1 3 : 30 % กรดซัลฟิวริก 98% H2O2 ) ที่ 80  เป็นเวลาครึ่งชั่วโมง ตามด้วยการล้างด้วยน้ำบริสุทธิ์มาก ๆและต่อมาแห้งด้วยไนโตรเจน