Results showthat bandgap energies o

Results showthat bandgap energies of all N-doped TiO
were lower
than those of un-doped TiO
and P-25. The bandgap changed from
3.20 eV (P-25) to 2.85 and 3.08 for TiO
2
/DEA, 3.05 and 3.20 for
TiO
2
/TEN and 3.10 and 3.20 for TiO
2
2
/urea. The first bandgap reflects
the effect of N-doping on the main band edges of the oxide. The second
gap, which is narrower than the original value, suggests that
nitrogen doping contributed to the redshift of the bandgap. This
narrower bandgap will facilitate excitation of electrons from the
valence band to the conduction band in the doped oxide semiconductor
under visible light illumination, which can result in higher
photocatalytic activities.
2
ble light region compared to TiO
2
/urea and TiO
/DEA. Amongst all
types of investigated TiO
2
, TiO
2
2
/DEA provided the highest visible
light absorption ability. This result indicates that the investigated
nitrogen dopants effectively extended absorption of TiO
into the
visible light range. As shown in Fig. 5, the absorption in the visible
light region of un-doped TiO
2
2
is relatively low. In addition, TiO
synthesised with organic materials under air atmosphere at same
temperature also provided no significant absorption in the visible
light region. This information suggests that organic materials introduced
the nitrogen to N-doped TiO
under the nitrogen atmosphere
reaction and visible light absorption ability is mainly dependent on
the type of nitrogen dopant. The bandgap energy of un-doped and
N-doped TiO
2
2
can be estimated from plots of the square root of
Kubelka–Munk functions F(R) versus photon energy [2]. The relation
of (˛h$)
2
and (h$) was plotted. The bandgap of TiO
can be
determined from the following equation:
2

2

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผล showthat bandgap พลังงานของทั้งหมด N doped TiOถูกล่างกว่าของ TiO doped ไม่และ P-25 Bandgap เปลี่ยนจาก3.20 eV (P-25) 2.85 และ 3.08 สำหรับ TiO2/ DEA, 3.05 และ 3.20 สำหรับติ้ว2/ 10 และ 3.10 และ 3.20 สำหรับ TiO22/urea first bandgap reflectsลักษณะพิเศษของโดปปิงค์ N บนขอบเป็นวงหลัก ที่สองช่องว่าง ซึ่งเป็นที่แคบลงกว่าค่าเดิม แนะนำที่โดปปิงค์ไนโตรเจนส่วนการการเคลื่อนไปทางแดงของ bandgap นี้bandgap แคบกว่าจะอำนวยความสะดวกในการกระตุ้นของอิเล็กตรอนจากการวงในการนำสารกึ่งตัวนำออกไซด์ doped วงเวเลนซ์ภายใต้การมองเห็นแสงไฟส่องสว่าง ที่สามารถส่งผลสูงกิจกรรมกระ2ble แสงภูมิภาคเปรียบเทียบกับ TiO2/urea และ TiO/ DEA หมู่ทั้งหมดชนิดของสอบสวน TiO2, TiO22/ DEA ให้สูงสุดมองเห็นได้ความสามารถในการดูดซับแสง ผลนี้หมายถึงการตรวจสอบไนโตรเจน dopants ขยายประสิทธิภาพการดูดซึมของ TiOเป็นช่วงแสงที่มองเห็น ตามที่แสดงใน Fig. 5 ดูดซึมในการมองเห็นแคว้น TiO doped ไม่เบา22ค่อนข้างต่ำ นอกจากนี้ TiOsynthesised กับวัสดุอินทรีย์ภายใต้บรรยากาศอากาศที่เหมือนกันอุณหภูมิให้ไม่ดูดซึม significant ในการมองเห็นภูมิภาคที่อ่อน ข้อมูลนี้ชี้ให้เห็นว่า วัสดุอินทรีย์แนะนำไนโตรเจนกับ TiO N dopedภายใต้บรรยากาศไนโตรเจนปฏิกิริยาและแสงที่มองเห็นความสามารถในการดูดซึมส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับชนิดของไนโตรเจน dopant พลังงาน bandgap ของ doped ไม่ และN doped TiO22สามารถประเมินได้จากรากของผืนKubelka – Munk F(R) ฟังก์ชันกับโฟตอนพลังงาน [2] ความสัมพันธ์ของ (˛h$)2และถูกพล็อต (h$) Bandgap ของ TiOสามารถกำหนดจากสมการต่อไปนี้:22

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พลังงานผล showthat bandgap ของ N-เจือติ้ว
ต่ำ
กว่าผู้ที่ไม่เจือติ้ว
และ P-25 bandgap เปลี่ยนจาก
3.20 eV (P-25) อยู่ที่ 2.85 และ 3.08 สำหรับ TiO
2
/ ปป, 3.05 และ 3.20 สำหรับ
TiO
2
/ สิบ 3.10 และ 3.20 สำหรับ TiO
2
2
/ ยูเรีย Fi แรก bandgap ใหม่ ECTS ชั้น
ผลของ N-ยาสลบในขอบวงหลักของออกไซด์ สอง
ช่องว่างที่แคบกว่าค่าเดิมแสดงให้เห็นว่า
ไนโตรเจนยาสลบทำให้ redshift ของ bandgap นี้
bandgap แคบจะอำนวยความสะดวกในการกระตุ้นของอิเล็กตรอนจาก
วงดนตรีกับวงดนตรีจุการนำในเซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์เจือ
ภายใต้การส่องแสงที่มองเห็นซึ่งอาจส่งผลให้สูงขึ้น
กิจกรรม photocatalytic
2
ภูมิภาคแสงเบิ้ลเมื่อเทียบกับ TiO
2
/ ยูเรียและ TiO
/ ปป หมู่ทั้งหมด
ประเภทติ้วสอบสวน
2
, TiO
2
2
/ ปปให้สูงสุดมองเห็น
ความสามารถในการดูดกลืนแสง ผลที่ได้นี้แสดงให้เห็นว่าการตรวจสอบ
สารเจือปนไนโตรเจนได้อย่างมีประสิทธิภาพขยายการดูดซึมของติ้ว
เป็น
ช่วงแสงที่มองเห็น ดังแสดงในรูป 5, การดูดซึมในที่มองเห็น
แสงของภูมิภาคยกเลิกการเจือ TiO
2
2
ค่อนข้างต่ำ นอกจากนี้ติ้ว
สังเคราะห์ด้วยวัสดุอินทรีย์ภายใต้บรรยากาศในเวลาเดียวกัน
อุณหภูมิยังให้ไม่มีการดูดซึม Fi ลาดเทนัยสำคัญในการมองเห็น
แสงภูมิภาค ข้อมูลเหล่านี้แสดงให้เห็นว่าสารอินทรีย์นำ
ไนโตรเจน N-เจือติ้ว
ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน
เกิดปฏิกิริยาและความสามารถในการดูดซึมแสงที่มองเห็นเป็นส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับ
ประเภทของไนโตรเจนเจือปน พลังงาน bandgap ยกเลิกเจือและ
N-เจือ TiO
2
2
สามารถประมาณจากแปลงรากที่สองของ
ฟังก์ชั่น Kubelka-มังค์น (ข) เมื่อเทียบกับพลังงานโฟตอน [2] ความสัมพันธ์
ของ (H $)
2
(ซ $) ได้รับการวางแผน bandgap ของ TiO
สามารถ
หาได้จากสมการต่อไปนี้:
2 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลการทดลองพบ bandgap พลังของลุง

n-doped ที่ต่ำกว่าด้วย
p-25 ระหว่างสหประชาชาติและ . การ bandgap เปลี่ยนจาก
3.20 EV ( p-25 ) 2.85 3.08 สำหรับและติ๋ว
2
/ DEA , 3.05 และ 3.20 สำหรับ

2
/ ลุงสิบและ 3.10 และ 3.20 สำหรับติ๋ว
2
2
/ ยูเรีย จึงเป็นfl RST bandgap ects
ผลของ n-doping ในวงหลักขอบของออกไซด์ ช่องว่างที่สอง
ซึ่งแคบกว่าค่าเดิมแสดงให้เห็นว่า
ไนโตรเจนเติมส่วนคุณสมบัติของ bandgap . นี้จะช่วยกระตุ้น bandgap
แคบอิเล็กตรอนจาก
2 วงดนตรีที่จะนำวงดนตรีในการเจือออกไซด์สารกึ่งตัวนำ
ภายใต้แสงที่มองเห็นแสงสว่าง ซึ่งจะเป็นผลให้สูงกว่า
รีกิจกรรม .
2
ble แสงเขตเมื่อเทียบกับติ๋ว
2
/ ยูเรียและติ๋ว
/ DEA ในบรรดาประเภทของลุง

)2
,
2
2
/ คุณลุงว่าจะให้สูงสุดที่มองเห็น
แสงความสามารถ ผลที่ได้นี้แสดงว่าศึกษา
ไนโตรเจนได้อย่างมีประสิทธิภาพในการดูดซึมและขยาย

ช่วงในแสงที่มองเห็น ดังแสดงในรูปที่ 5 , การดูดซึมในภูมิภาคของสหประชาชาติที่มีแสงที่มองเห็น

2
2
และค่อนข้างน้อย นอกจากนี้ปฏิกิริยาสังเคราะห์วัสดุอินทรีย์ ภายใต้บรรยากาศด้วย

อากาศเดียวกันอุณหภูมิให้ยังไม่ signi จึงไม่สามารถดูดซึมในเขตมองเห็นได้

ข้อมูลนี้แสดงให้เห็นว่าสารอินทรีย์ไนโตรเจนและ n-doped แนะนำ

ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน
ปฏิกิริยาและความสามารถในการดูดกลืนแสงที่มองเห็นเป็นหลักขึ้นอยู่กับชนิดของโดพันท์
ไนโตรเจน การ bandgap พลังงานของสหประชาชาติและ n-doped ติ๋วด้วย

2
2
สามารถประมาณได้จากแปลงของรูต
kubelka –มั๊งฟังก์ชัน F ( R ) เมื่อเทียบกับพลังงานโฟตอน [ 2 ] ความสัมพันธ์
( ˛ H $ )
2
( H $ ) คือวางแผน วันของติ๋ว

bandgap สามารถคำนวณจากสมการต่อไปนี้ :
2


2