test grade P-type (boron doped) Siw

test grade P-type (boron doped) Si
wafers, with a
100 orientation and a resistivity of 1–10  cm. Au
thin film of 50 nm was deposited on all the samples with a Ti thin
film of 5 nm thick as an adhesive layer between Au and Si.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทดสอบเกรด P-ชนิด (โบรอน doped) ศรีรับ มีการวาง 100 และความต้านทานของ 1 – 10 cm. Auบางฟิล์ม 50 nm ได้ฝากในตัวอย่างทั้งหมดที่มีตี้แบบบางฟิล์ม 5 nm หนาเป็นชั้นกาวที่ Au และซี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทดสอบเกรด P-ประเภท (เจือโบรอน)
ศรีเวเฟอร์ด้วย?
100? การปฐมนิเทศและความต้านทาน 1-10 หรือไม่? ซม. Au
ฟิล์มบาง 50 นาโนเมตรถูกวางในทุกตัวอย่างที่มี Ti
บางภาพยนตร์5 นาโนเมตรหนาเป็นชั้นกาวระหว่าง Au และศรี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทดสอบ ( โบรอนเกรดพีด้วย ) ศรี
เวเฟอร์ด้วย
 100  ปฐมนิเทศและความต้านทานของ 1 – 10  cm AU
ฟิล์ม 50 nm ฝากทุกตัวอย่างกับตี๋ผอม
ฟิล์ม 5 nm หนาเป็นชั้นสารยึดติดระหว่าง AU และซื่อ