[3]. This manufacturing process and

[3]. This manufacturing process and the related ALD-grown materials have shown high quality in a wide range of applications from the catalysts to semiconductor chips, optical filters and beyond [4]. According to the needs of specified applications, a great variety of ALD process has been developed today. One of them is the depo- sition of Al2O3 high-k dielectric films to replace conventional SiO2 dielectric gate in the metal oxide semiconductor field effect tran- sistors [3,4]. In this ALD operation, trimethylaluminum (TMA) and water vapor (H2O) are the most often applied precursors, whichhave greatadvantages of volatilityand resistanceto thermal decomposition (

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

[3] นี้กระบวนการผลิตและวัสดุที่เกี่ยวข้องโต ALD ได้แสดงคุณภาพความหลากหลายของโปรแกรมประยุกต์จากสิ่งที่ส่งเสริมการสารกึ่งตัวนำ ชิป filters แสง ทาง เหนือ [4] ตามความต้องการของโปรแกรมประยุกต์ specified, ALD กระบวนการที่หลากหลายได้รับการพัฒนาวันนี้ หนึ่งในนั้นคือ sition depo ของ Al2O3 สูง k films เป็นฉนวนแทนประตูเป็นฉนวน SiO2 ทั่วไปในการโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำ field ผลทราน-sistors [3, 4] ในการดำเนินการนี้ ALD, trimethylaluminum (TMA) และไอน้ำ (H2O) มักใช้ precursors, greatadvantages whichhave resistanceto volatilityand ความร้อนแยกส่วนประกอบของ (< 370 C) [5] คลังศึกษาจำนวนมากรวมถึงระบบ atic วัดและคำนวณกลควอนตัมใน TMA นี้ + H2O ALD กระบวนการศึกษาอยู่ภายใต้กลไก ไร กระบวนการที่ซับซ้อน physicochemi-cal ที่ควบคุมการเจริญเติบโตของการดำเนินงานและ film ALD จะยังไม่เข้าใจยัง sufficiently [6] ปรับกระบวนการ ALD และสะสมวัสดุที่เกี่ยวข้องนี้ต้องการอย่างละเอียด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

[3] กระบวนการผลิตและวัสดุที่เกี่ยวข้อง ALD ปลูกได้แสดงให้เห็นที่มีคุณภาพสูงในช่วงกว้างของการใช้งานจากตัวเร่งปฏิกิริยากับชิปเซมิคอนดักเตอร์, กรองการไฟแสงและอื่น ๆ [4] ตามความต้องการของแอพพลิเค Fi เอ็ด speci, ความหลากหลายของกระบวนการมรกตได้รับการพัฒนาในวันนี้ หนึ่งในนั้นคือ sition depo- ของ Al2O3 hi-k LMS Fi อิเล็กทริกที่จะมาแทนที่เดิม SiO2 ประตูอิเล็กทริกในผลโลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ Fi ELD tran- sistors [3,4] ในการดำเนินงาน ALD นี้ trimethylaluminum (TMA) และไอน้ำ (H2O) เป็นสารตั้งต้นที่ส่วนใหญ่มักจะใช้ greatadvantages whichhave ของ volatilityand resistanceto การสลายตัวทางความร้อน (<370 C) [5] การศึกษาหลายชิ้นรวมถึงการวัด Atic System- และการคำนวณทางกลควอนตัมได้รับการดำเนินการในขั้นตอนการ TMA + H2O ALD นี้เพื่อศึกษากลไก แต่มีความซับซ้อนกระบวนการ cal physicochemi- ที่ควบคุมการทำงาน ALD และการเติบโตของ LM Fi ยังไม่ไฟพอเพียงยังเข้าใจ ciently [6 ] การควบคุมที่ดีขึ้นของกระบวนการ ALD และวัสดุที่เกี่ยวข้องต้องมีการสะสมอย่างละเอียด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

[ 3 ] นี้เกี่ยวข้องกับกระบวนการผลิตและพัฒนาวัสดุ ald แสดงคุณภาพสูงในช่วงกว้างของการใช้งานจากตัวเร่งปฏิกิริยาชิปเซมิคอนดักเตอร์ , lters แสงจึงเหนือ [ 4 ] ตามความต้องการของกาจึงเอ็ด การใช้งานที่หลากหลายของกระบวนการ ald ได้รับการพัฒนาในวันนี้หนึ่งในนั้นคือ Depo - sition ของ Al2O3 ไฮ เคจึง LMS เพื่อแทนที่เดิมพ่นฉนวนฉนวนประตูโลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำจึงละมั่งผลทราน - sistors [ 3 , 4 ] ในนี้ ald การดําเนินการ trimethylaluminum ( TMA ) และไอน้ำ ( H2O ) ส่วนใหญ่มักจะใช้สารตั้งต้นที่มี greatadvantages , ของ volatilityand resistanceto ความร้อนการสลายตัว ( < 370 C ) [ 5 ]หลายการศึกษารวมถึงระบบการวัดและการคำนวณทางควอนตัม - กิมเอ็งได้ปฏิบัติใน TMA H2O ald กระบวนการศึกษากลไก อย่างไรก็ตาม กระบวนการที่ซับซ้อน physicochemi - แคล การเติบโตจึง LM ald การควบคุมยังไม่ ciently ซุฟจึงเข้าใจได้ [ 6 ]ดีกว่าการควบคุมกระบวนการนี้และวัสดุที่เกี่ยวข้องการ ald ต้องรอบคอบ