4. Electronic packaging processingP

4. Electronic packaging processing
Packaging process is another important factor that impacts the heat dissipation of packaging material. Conventional metal packaging process is mainly comprised of four steps. Firstly, Kovar substrates and Kovar enclosures are brazed with Ag-Cu eutectic alloy at about 830 °C to form a cavity. Secondly, the Au-Si eutectic alloy is utilized in order to attach the die to the cavity. During this process, a gold preform is placed at the top of cavity while heating the package. As the die is mounted over the gold preform, Si from the die backside diffuses into the gold perform, resulting in the formation of Au-Si alloy. A further diffusion of Si into gold preform enhances the Si-to-Au ratio of the alloy until the eutectic ratio is achieved. The Au-Si eutectic alloy contains 2.85% of Si and melts at about 363 °C. Hence, in order to obtain the eutectic melting point, normally 380430 °C, the temperature of attached die must be reasonably high. The third step is wire bonding that supplements the electrical connection between silicon chip and external leads of the semiconductor device by using very fine bonding wires. Finally, Sn-based solder is used to seal a lid to the package at 200–330 °C. For the brazing of advanced composite, the biggest challenges are surface finishing and brazing processes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. ประมวลผลอิเล็กทรอนิกส์บรรจุภัณฑ์กระบวนการบรรจุภัณฑ์เป็นอีกหนึ่งปัจจัยสำคัญที่ส่งผลกระทบต่อการกระจายความร้อนของวัสดุบรรจุภัณฑ์ กระบวนการบรรจุภัณฑ์โลหะธรรมดาส่วนใหญ่ประกอบด้วยสี่ขั้นตอนด้วย ประการแรก พื้นผิว Kovar และ Kovar เปลือกเป็น brazed กับโลหะผสม eutectic Ag-Cu ที่ประมาณ 830 ° C เพื่อเป็นช่อง ประการที่สอง โลหะผสม eutectic ของอูจูถูกใช้ประโยชน์เพื่อตายกับโพรง การมาสเตอร์แบทช์สีดำทองอยู่ด้านบนของช่องในขณะที่ความร้อนแพคเกจ เป็นตายไม่ติดผ่านมาสเตอร์แบทช์สีดำทอง ศรีจากด้านหลังตาย diffuses เข้าทำทอง เกิดการก่อตัวของโลหะผสมอูจู แพร่ดาวศรีเป็นมาสเตอร์แบทช์สีดำทองช่วยศรีอูอัตราส่วนของโลหะผสมจนได้อัตราส่วน eutectic โลหะผสม eutectic ของอูจูประกอบด้วย 2.85% ของซี และละลายที่ประมาณ 363 องศาเซลเซียส ดังนั้น เพื่อให้ได้จุดหลอมเหลว eutectic ปกติ 380430 ° C อุณหภูมิของแนบตายต้องได้ค่อนข้างสูง ขั้นตอนสามจะยึดลวดที่สื่อเรียนการเชื่อมต่อระหว่างซิลิกอชิเป้าหมายภายนอกของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำไฟฟ้าโดยสายงานดีมาก ในที่สุด ใช้บัดกรีใช้ Sn ปิดฝาลงในแพคเกจที่ 200-330 องศาเซลเซียส สำหรับการเชื่อมของขั้นสูง ความท้าทายที่ใหญ่ที่สุดมีการตกแต่งผิวและกระบวนการเชื่อม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4. การประมวลผลบรรจุภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
กระบวนการบรรจุภัณฑ์เป็นอีกหนึ่งปัจจัยสำคัญที่ส่งผลกระทบต่อการระบายความร้อนของวัสดุบรรจุภัณฑ์ กระบวนการบรรจุภัณฑ์โลหะธรรมดาส่วนใหญ่เป็นขั้นตอนที่สี่ ประการแรกพื้นผิว Kovar และนกเพนกวิน Kovar มีการประสานด้วยโลหะผสมยูเทคติก Ag-Cu ที่ประมาณ 830 ° C ถึงรูปแบบโพรง ประการที่สองผสมยูเทคติก Au-Si ถูกนำมาใช้ในการสั่งซื้อที่จะแนบตายไปยังช่อง ในระหว่างกระบวนการนี้ preform ทองถูกวางไว้ที่ด้านบนของช่องในขณะที่แพคเกจความร้อน ในฐานะที่ตายจะติดตั้งกว่า preform ทอง, ศรีจากด้านหลังตายกระจายเป็นทองดำเนินการส่งผลในการก่อตัวของโลหะผสม Au-Si การแพร่กระจายต่อไปของศรีเป็น preform ทองช่วยเพิ่มอัตราส่วน Si-เพื่อ-Au ของโลหะผสมจนอัตราส่วนยูเทคติกจะประสบความสำเร็จ Au-Si มีโลหะผสมยูเทคติก 2.85% ของศรีและละลายที่อุณหภูมิประมาณ 363 ° C ดังนั้นเพื่อที่จะได้รับจุดหลอมละลายยูเทคติกปกติ 380,430 องศาเซลเซียสอุณหภูมิของตายที่แนบมาจะต้องสูงพอสมควร ขั้นตอนที่สามคือพันธะลวดที่เสริมการเชื่อมต่อไฟฟ้าระหว่างชิปซิลิกอนและนำไปสู่ภายนอกของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์โดยใช้ดีมากสายพันธะ สุดท้ายประสาน Sn-based จะใช้ในการปิดผนึกฝากับแพคเกจที่ 200-330 ° C สำหรับประสานการประกอบขั้นสูงท้าทายที่ใหญ่ที่สุดที่มีพื้นผิวและกระบวนการประสาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4 . กระบวนการบรรจุภัณฑ์ผลิตบรรจุภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์
เป็นอีกหนึ่งปัจจัยสําคัญที่มีผลกระทบต่อการกระจายความร้อนของวัสดุบรรจุภัณฑ์ กระบวนการผลิตบรรจุภัณฑ์โลหะธรรมดาเป็นหลัก ประกอบด้วย 4 ขั้นตอน ประการแรก พื้นผิว โควาร์และเปลือก โควาร์เป็นประสานกับ AG CU เทคติกผสมประมาณ 830 ° C ในรูปแบบช่อง ประการที่สองAU ศรีเทคติคโลหะผสมที่ใช้ในการแนบตายในโพรง ในระหว่างกระบวนการนี้ , preform ทองถูกวางไว้ที่ด้านบนของโพรงในขณะที่ความร้อนของ เป็นตายติดทองมา preform , ศรีจากตายหลังกระจายเป็นสีทอง แสดงผลในรูปแบบของ AU ศรีสัมฤทธิ์ต่อการแพร่ของจังหวัดเป็น preform ทองเพิ่มศรีเพื่อ AU สัดส่วนของโลหะผสมจนกว่าอัตราส่วนเทคติกได้ AU ศรีเทคติคโลหะผสมประกอบด้วย 2.85 % ของจังหวัดและละลายประมาณ 181 องศา ดังนั้น เพื่อให้ได้จุดหลอมเทคติค ปกติ 380430 ° C อุณหภูมิที่ตายจะต้องสูงพอสมควรขั้นตอนที่สาม คือ การเชื่อมเสริมเชื่อมต่อระหว่างชิปซิลิคอนและภายนอกนักของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโดยใช้มากก็ได้เชื่อมสายไฟ ในที่สุด , SN ใช้บัดกรีใช้ซีลฝาแพคเกจที่ 200 – 330 องศา เพื่อประสานวัสดุเชิงประกอบขั้นสูง ความท้าทายที่ใหญ่ที่สุดคือการตกแต่งพื้นผิว และการประสานกระบวนการ