interconnect layer process can easi

interconnect layer process can easily adopted to the Cu/Ge/Pd structures for device fabrication

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สามารถกระบวนการชั้นนำง่ายกับโครงสร้างของ Cu/Ge/Pd สำหรับผลิตอุปกรณ์เชื่อม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เชื่อมต่อระหว่างกระบวนการชั้นสามารถนำมาใช้อย่างง่ายดายเพื่อ Cu / Ge / โครงสร้าง Pd สำหรับการผลิตอุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระบวนการเชื่อมชั้นสามารถประกาศใช้กับ Cu / GE / PD โครงสร้างสำหรับการประกอบอุปกรณ์