PN junction is formed by joining n-

PN junction is formed by joining n-type and p-type Si.
• In practice, n-type crystal is being grown, the process is abruptly altered to grow ptype
Si crystal. The p-side is called anode and n-side is called cathode.
• When no voltage is applied to the diode, electrons from the N-type material fill
holes from the P-type material along the junction between the layers, forming a
depletion zone.
• In a depletion zone, the semiconductor material is returned to its original insulating
state -- all of the holes are filled, so there are no free electrons or empty spaces for
electrons, and charge can't flow.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

PN junction จะเกิดขึ้น โดยเข้าร่วมชนิด n และชนิด p Si•ในการปฏิบัติ คริสตัลชนิด n มีการเติบโต กระบวนการที่มีการเปลี่ยนแปลงทันทีจะเติบโต ptypeคริสตัลซี ด้าน p เรียกว่าขั้วบวก และฝั่ง n เรียกว่าแคโทด•เมื่อแรงดันไฟฟ้าไม่มีใช้ไดโอด อิเล็กตรอนจากการเติมวัสดุประเภท Nหลุมจากวัสดุชนิด P ตามแนวเชื่อมต่อระหว่างชั้น รูปแบบสูญเสียเขต•ในเขตสูญเสีย วัสดุสารกึ่งตัวนำถูกส่งกลับไปฉนวนเดิมสถานะ - ของหลุมทั้งหมดเต็มไป จึงไม่มีอิเล็กตรอนฟรีหรือช่องว่างสำหรับอิเล็กตรอน ค่าและไม่ไหล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชุมทาง PN จะเกิดขึ้นโดยการเข้าร่วม N-ชนิดและประเภท P-Si.
•ในทางปฏิบัติ N-ชนิดผลึกจะถูกปลูกกระบวนการที่มีการเปลี่ยนแปลงอย่างฉับพลันที่จะเติบโต ptype
ศรีคริสตัล ที่ด้าน P เรียกว่าขั้วบวกและ N-ด้านเรียกว่าแคโทด.
•เมื่อแรงดันไฟฟ้าไม่ถูกนำไปใช้ไดโอดอิเล็กตรอนจากวัสดุชนิดเอ็นเติม
หลุมจากวัสดุชนิด P พร้อมจุดเชื่อมต่อระหว่างชั้นที่สร้างความ
สูญเสีย . โซน
•ในโซนพร่องเป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์จะถูกส่งกลับไปยังฉนวนเดิม
รัฐ - ทั้งหมดของหลุมจะเต็มไปดังนั้นจึงไม่มีอิเล็กตรอนอิสระหรือพื้นที่ว่างสำหรับ
อิเล็กตรอนและค่าใช้จ่ายที่ไม่สามารถไหล

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

PN Junction มีรูปแบบโดยทั่วไป และเข้าร่วมพีซี- ในการปฏิบัติทั่วไป คริสตัล มีการเจริญเติบโต กระบวนการจะชะงักการเติบโต ptypeศรีใส การ p-side เรียกว่า n-side เรียกว่าแอโนดและแคโทด- เมื่อไม่มีแรงดันไฟฟ้าที่ใช้กับไดโอด , อิเล็กตรอนจากวัสดุทั่วไปเติมหลุมจากพีวัสดุตามรอยต่อระหว่างชั้น ขึ้นรูปของโซน- ในโซนของวัสดุสารกึ่งตัวนำกลับมาเดิม ฉนวนไฟฟ้าสถานะ -- ทั้งหมดของหลุมจะเต็ม จึงไม่มีอิเล็กตรอนอิสระหรือช่องว่างสำหรับอิเล็กตรอนและค่าใช้จ่ายจะไม่ไหล