Silicon wafers (diameter: 4 inch, t

Silicon wafers (diameter: 4 inch, thickness: 525 μm) were dehydrated at 180ºC for 30 min. in a forced ventilation oven. HMDS (hexamethyldisilazane, ABCR GmbH) adhesion promoter and
subsequently ma-P 1275 (Micro Resist Technology GmbH) positive photo resist were spin coated at 3000 rpm for 30 s.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รับซิลิคอน (เส้นผ่าศูนย์กลาง: 4 นิ้ว หนา: 525 μm) ที่อบแห้งที่ 180ºC ใน 30 นาทีในเตาอบระบายแบบบังคับ HMDS (hexamethyldisilazane, ABCR GmbH) โปรโมเตอร์ยึดเกาะ และต่อมา-P 1275 (ไมโครต่อต้านเทคโนโลยี GmbH) บวกภาพต่อต้านถูกหมุนเคลือบที่ 3000 รอบต่อนาทีสำหรับ 30 s

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิลิคอนเวเฟอร์ (เส้นผ่าศูนย์กลาง 4 นิ้วความหนา: 525 ไมโครเมตร) มีการคายน้ำที่180ºCเป็นเวลา 30 นาที ในเตาอบระบายอากาศที่ถูกบังคับ HMDS (hexamethyldisilazane, ABCR GmbH) ผู้ก่อการยึดเกาะและ
ต่อมาแม่-P 1275 (Micro ต่อต้าน Technology GmbH) ภาพบวกต้านทานการหมุนเคลือบที่ 3000 รอบต่อนาที 30 วินาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิลิกอนเวเฟอร์ ( ขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 4 นิ้ว ความหนา : 525 μ M ) อบแห้งที่º 180 C เป็นเวลา 30 นาที ในการบังคับภายในเตาอบ hmds ( เฮกซาเมทิลไดซิลาเซน abcr GmbH , การยึดเกาะ ) และต่อมา ma-p 778 ( Micro
ต่อต้าน GmbH เทคโนโลยี ) ภาพบวกอยู่ที่ 3 , 000 รอบต่อนาที เคลือบต้านทานการหมุน 30 s