The photoluminescence (PL) spectra

The photoluminescence (PL) spectra of the ZnO nanoparticles
and Mg-doped ZnO nanomaterials were illustrated in Fig. 6. All
the samples exhibit the ultraviolet (UV) emission peaks and the
visible emission bands, which consist of four peaks at 490, 505,
526 and 552 nm, respectively. The UV PL peaks are related to the
near band-edge (NBE) emission [17]. The UV peak is shifted
towards shorter wavelength side (blue shift) from 385 nm to
372 nm with the increase of the Mg dopant content from 0 to
5.01%, because of the modulation of the band gap caused by
Mg2+ substituting at the Zn2+ sites in Zn1xMgxO nanomaterials.
The energetic electrons after excitation in Mg ions are able to
transfer from Mg to the conduction band of ZnO. At that instant
the transferred electrons relax extremely fast and rapidly recombine
with holes in the valence band. Therefore, it is possible to
greatly enhance the energy bandgap of ZnO through the substitution
of Mg into ZnO [27]. The relative intensity for the UV PL peaks
in the present samples is obviously higher than that in Zn1xMgxO
nanomaterials by sol–gel method [14], implying that the higher
crystal quality of Zn1xMgxO nanomaterials has been produced
by chemical vapor deposition. From Fig. 6, it will be found that
the four peaks at 490, 505, 526 and 552 nm in Zn1xMgxO nanomaterials
remain unchanged with the increase of Mg dopant content
from 0 to 5.01%, showing that they are not affected by Mg dopants.
The visible emission peaks at 490 and 505 nm are ascribed to the

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สเซนต์ (PL) สเปกตรัมของอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์
และแมกนีเซียมเจือวัสดุนาโนซิงค์ออกไซด์ถูกแสดงในรูปที่ 6. ทุก
ตัวอย่างแสดงอัลตราไวโอเลต (UV) ยอดการปล่อยก๊าซและ
วงดนตรีที่ปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่มองเห็นได้ซึ่งประกอบด้วยสี่ยอดที่ 490, 505,
526 และ 552 นาโนเมตรตามลำดับ ยอด UV PL ที่เกี่ยวข้องกับ
วงขอบใกล้ (NBE) การปล่อย [17] สูงสุดรังสียูวีจะเลื่อน
ไปทางด้านความยาวคลื่นสั้น (กะสีฟ้า) จาก 385 นาโนเมตรจะ
372 นาโนเมตรกับการเพิ่มขึ้นของเนื้อหาที่เจือปน Mg จาก 0 ถึง
5.01% เนื่องจากการปรับช่องว่างวงดนตรีที่เกิดจากการ
Mg2 + แทนที่เว็บไซต์ Zn2 + ใน Zn1? xMgxO nanomaterials.
อิเล็กตรอนพลังหลังจากการกระตุ้นในไอออนมิลลิกรัมสามารถที่จะ
ถ่ายโอนจากมกวงการนำของซิงค์ออกไซด์ ในทันทีที่
อิเล็กตรอนโอนผ่อนคลายอย่างรวดเร็วและอย่างรวดเร็ว recombine
ที่มีรูในวงดนตรีจุ ดังนั้นจึงเป็นไปได้ที่จะ
ช่วยเพิ่มพลังงาน bandgap ของซิงค์ออกไซด์ผ่านทดแทน
ของ Mg เข้าซิงค์ออกไซด์ [27] ความเข้มญาติยอดยูวีพี
ในตัวอย่างในปัจจุบันจะเห็นได้ชัดที่สูงขึ้นกว่าใน Zn1? xMgxO
วัสดุนาโนโดยวิธีโซลเจล [14] หมายความว่าสูงกว่า
ที่มีคุณภาพผลึกของ Zn1? nanomaterials xMgxO ได้รับการผลิต
จากการทับถมไอสารเคมี จากรูป 6 ก็จะพบว่า
สี่ยอดที่ 490, 505, 526 และ 552 นาโนเมตร Zn1? nanomaterials xMgxO
ยังคงไม่เปลี่ยนแปลงกับการเพิ่มขึ้นของเนื้อหาเจือปน Mg
0-5.01% แสดงให้เห็นว่าพวกเขาไม่ได้รับผลกระทบจากสารเจือมก.
ยอดการปล่อยมองเห็นได้ 490 และ 505 นาโนเมตรที่มีการกำหนด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แบบที่ ( PL ) สเปกตรัมของอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์และแมกนีเซียมด้วยเช่นกัน
nanomaterials ถูกแสดงในรูปที่ 6
ตัวอย่างทั้งหมดมีรังสีอัลตราไวโอเลต ( UV ) และยอดการปล่อยสารมลพิษ
วงมองเห็นซึ่งประกอบด้วยสี่ยอดที่ 490 , 505
แล้ว 552 nm ตามลำดับ ยูวียอดที่จะเกี่ยวข้องกับ
ใกล้ขอบวง ( ถูก ) การปล่อย [ 17 ] UV สูงสุดขยับ
ทางด้านความยาวคลื่นสั้น ( เปลี่ยนเป็นสีน้ำเงิน ) จาก 385 nm

372 nm กับเพิ่มของมก. โดพันท์เนื้อหาจาก 0
5.01 เปอร์เซ็นต์ เพราะการปรับวงช่องว่างที่เกิดจาก
mg2 แทนที่ zn2 เว็บไซต์ใน zn1  xmgxo nanomaterials .
คึกคักหลังจากกระตุ้นอิเล็กตรอนในมก. ไอออนสามารถ

โอนจากมก. ที่จะนำวงดนตรีของเช่นกัน ตอนนั้น
การถ่ายโอนอิเล็กตรอนผ่อนคลายมากและรวดเร็วอย่างรวดเร็วแขก
ที่มีรูใน 2 วง ดังนั้น เป็นไปได้

ช่วยเพิ่มพลังงาน bandgap ของ ZnO ผ่านการทดแทน
ของมก. เป็นซิงค์ออกไซด์ [ 27 ] ความเข้มสัมพัทธ์แสง PL ยอด
ในตัวอย่างปัจจุบันจะเห็นได้ชัดที่สูงกว่าใน zn1  xmgxo
nanomaterials โดยวิธีโซลเจลและ [ 14 ] จะบอกว่าสูงกว่า
คริสตัลคุณภาพของ zn1  xmgxo nanomaterials ถูกผลิต
โดยสะสมไอเคมี จากรูปที่ 6 ก็จะพบว่า
สี่ยอดที่ 490 , 505 และ 552 nm ใน zn1  xmgxo nanomaterials
ยังคงไม่เปลี่ยนแปลงกับการเพิ่มขึ้นของมก. โดพันท์เนื้อหา
0 5.01 เปอร์เซ็นต์ แสดงให้เห็นว่าพวกเขาจะไม่กระทบต่อคุณภาพ .
เห็นยอดที่ปล่อยแล้ว 505 นาโนเมตร เป็น ascribed ไป