presents the structure of High-Pres

presents the structure of High-Pressure Phases of Silane. (High-Pressure Phases of Silane) by SiH_4 an amount of two units (Two Si atoms H eight atoms) were assigned randomly to the 100 structure, that structure C2/c of SiH_4 at a pressure of about 262.5 GPa (Figure 1) Stable (stable structure) and the estimation Density of state-level energy Fermi (Fermi energy level) indicates that the structure C2/c may be possible to structure a conductor. Uttermost (Superconductor) at high temperatures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงโครงสร้างของแรงดันสูงระยะของ Silane (แรงดันสูงระยะของ Silane) โดยกำหนดจำนวน 2 ชุด (อะตอมที่แปดสี่สองอะตอม H) แบบสุ่มไปยังโครงสร้าง 100 SiH_4 ที่โครงสร้าง C2/c ของ SiH_4 ที่ความดันประมาณ 262.5 GPa (รูป 1) มั่นคง (มั่นคงโครงสร้าง) และการประเมินความหนาแน่นของพลังงานสถานะระดับพลังงานแฟร์มี (ระดับพลังงานแฟร์มีพลังงาน) บ่งชี้ว่า โครงสร้าง C2/c อาจมีโครงสร้างตัวนำ Uttermost (Superconductor) ที่อุณหภูมิสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่มีการจัดโครงสร้างของเฟสแรงดันสูงของไซเลน (เฟสแรงดันสูงของไซเลน) โดย SiH_4 ปริมาณของสองหน่วย (สองศรีอะตอม H แปดอะตอม) ถูกสุ่มให้ได้ 100 โครงสร้างว่าโครงสร้าง C2 / C ของ SiH_4 ที่ความดันประมาณ 262.5 จีพี (รูปที่ 1) มีความเสถียร (โครงสร้างที่มั่นคง) และการประมาณค่าความหนาแน่นของพลังงานแฟร์ระดับรัฐ (แฟร์ระดับพลังงาน) แสดงให้เห็นว่าโครงสร้าง C2 / C อาจจะเป็นไปได้ที่จะจัดโครงสร้างตัวนำ เต็มที่ (ซูเปอร์คอนดักเตอร์) ที่อุณหภูมิสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แสดงโครงสร้างของเฟสแรงดันสูงเลน . ( เฟสแรงดันสูงเลน ) โดย sih_4 จํานวน 2 หน่วย ( SI 2 อะตอม H 8 อะตอม ) ที่ได้รับมอบหมายแบบสุ่ม 100 โครงสร้าง โครงสร้างที่ C2 C / sih_4 ที่ความดันประมาณ 262.5 GPA ( รูปที่ 1 ) มั่นคง ( โครงสร้างที่มั่นคง ) และค่าความหนาแน่นของพลังงานเฟอร์มิ ( ระดับรัฐระดับพลังงาน แฟร์มี ) บ่งชี้ว่า โครงสร้าง C2 / C อาจเป็นไปได้โครงสร้างคอนดัคเตอร์ โลกย์ ( วัด ) ที่อุณหภูมิสูง