In this work, the solution processe

In this work, the solution processed CH3NH3PbI3 perovskite/copper indium disulfide (CuInS2) planar heterojunction
solar cells with Al2O3 as a scaffold were fabricated at a temperature as low as 250°C for the first time, in which the
indium tin oxide (ITO)-coated glass instead of the fluorine-doped tin oxide (FTO)-coated glass was used as the
light-incidence electrode and the solution-processed CuInS2 layer was prepared to replace the commonly used TiO2
layer in previously reported perovskite-based solar cells.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในงานนี้ โซลูชั่นประมวลผล CH3NH3PbI3 perovskite ทองแดงอินเดียมไดซัลไฟด์ (CuInS2) ระนาบ heterojunctionเซลล์แสงอาทิตย์ ด้วย Al2O3 เป็นนั่งร้านได้ที่อุณหภูมิต่ำสุดที่ 250° C หลังสร้างครั้งแรก ในที่นี้อินเดียมทินออกไซด์ (ITO) -เคลือบแก้วแทนที่ doped ฟลูออรีนดีบุกออกไซด์ (FTO) - เคลือบกระจกที่ใช้เป็นเกิดแสงไฟฟ้าและชั้น CuInS2 โซลูชั่นประมวลผลถูกเตรียมแทน TiO2 ใช้ทั่วไปชั้นในรายงานก่อนหน้านี้ perovskite ที่ใช้เซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในงานนี้การแก้ปัญหาการประมวลผล perovskite CH3NH3PbI3 / อินเดียมทองแดงซัลไฟด์ (CuInS2)
ระนาบเฮเทอโรเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีAl2O3 เป็นนั่งร้านถูกประดิษฐ์ที่อุณหภูมิต่ำเป็น 250
องศาเซลเซียสเป็นครั้งแรกซึ่งในดีบุกอินเดียมออกไซด์(ITO) กระจกเคลือบแทนดีบุกฟลูออรีนออกไซด์เจือ (FTO)
แก้วเคลือบถูกใช้เป็นอิเล็กโทรแสงอุบัติการณ์และCuInS2 โซลูชั่นการประมวลผลชั้นถูกจัดทำขึ้นเพื่อแทนที่ TiO2
ที่ใช้กันทั่วไปชั้นในรายงานก่อนหน้านี้perovskite ตามเซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในงานนี้ , วิธีการแก้ปัญหาการประมวลผล ch3nh3pbi3 เพอรอฟสไกต์ / ทองแดงอินเดียมไดซัลไฟด์ ( cuins2 ) ระนาบ heterojunction
เซลล์แสงอาทิตย์ที่มีอะลูมิเนียมเป็นนั่งร้านถูกประดิษฐ์ที่อุณหภูมิต่ำกว่า 250 ° C เป็นครั้งแรกซึ่งใน
อินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) - กระจกเคลือบแทนของฟลูออรีนเจือดีบุกออกไซด์ ( FTO ) - เคลือบกระจกใช้เป็น
ไฟฟ้าแสงสว่างและโซลูชั่นการประมวลผล cuins2 ชั้นเตรียมเปลี่ยนใช้บ่อย )
ชั้นในรายงานก่อนหน้านี้เพอรอฟสไกต์ จากเซลล์แสงอาทิตย์