naumann et al. have reported that d

naumann et al. have reported that decrease in the shunt resistance of an n-type back contact silicon solar cell did not occur by potential-induced degradation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นัว et al.ได้รายงานว่า ลดลงในการต่อต้านการแบ่งของเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนชนิด n ติดต่อกลับไม่ได้เกิด โดยการย่อยสลายให้เกิดศักยภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Naumann et al, มีรายงานว่าในการลดความต้านทานการปัดของ N-ประเภทกลับติดต่อซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ไม่ได้เกิดขึ้นจากการย่อยสลายที่มีศักยภาพที่เกิดขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เนาเมิ่น et al . มีรายงานว่าลดลงความต้านทานของหลอดเลือดทั่วไปติดต่อซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ไม่ได้เกิดขึ้น โดยอาจเกิดขึ้นจากการย่อยสลาย