The proposed sensor can be optimall

The proposed sensor can be optimally designed by fabrication
process as there are two substrates in the introduced
microstructure two wafers is used; first wafer: 1 – oxidation,
2 – Al evaporation, 3 – lithography & Al pattern,
4 – spin thick photo-resist as sacrificial layer for 4.6 lm,
5 – lithography, 6 – ploy silicon deposition (LPCVD), 7 –
lithography & poly silicon pattern, 8 – releasing the
structure; second wafer: 1 – silicon dry etching 2 – wafer
bonding.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเซ็นเซอร์การนำเสนอสามารถอย่างเหมาะสมออกแบบ โดยประดิษฐ์กระบวนการที่มีมี 2 พื้นผิวในการนำต่อโครงสร้างจุลภาคที่สองรับใช้ ก่อน ขัดแผ่น: 1 – ออกซิเดชัน2 – อัลระเหย ภาพพิมพ์หินและอัลลาย 3-4 – หมุนภาพต่อต้านหนาเป็นชั้นบูชาสำหรับ 4.6 lm5 – ภาพพิมพ์หิน –พลอยซิลิคอนสะสม (LPCVD), 7-6ภาพพิมพ์หินและโพลีซิลิคอนรูป 8 – ปล่อยตัวโครงสร้าง แผ่นเวเฟอร์ที่สอง: แผ่นเวเฟอร์ –ซิลิคอนแห้งแกะสลัก 2-1ยึด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซ็นเซอร์ที่นำเสนอได้รับการออกแบบอย่างดีที่สุดโดยการผลิต
เป็นกระบวนการที่มีสองพื้นผิวในการแนะนำให้รู้จัก
จุลภาคสองเวเฟอร์จะใช้; เวเฟอร์แรก: 1 - ออกซิเดชัน
2 - ระเหยอัล 3 - พิมพ์หินและรูปแบบอัล
4 - หนาหมุนภาพต้านทานเป็นชั้นสำหรับการเสียสละ 4.6 LM,
5 - พิมพ์หิน, 6 - วิธีการทับถมซิลิกอน (LPCVD) 7 -
พิมพ์หินและ รูปแบบซิลิกอนโพลี 8 - ปล่อย
โครงสร้าง เวเฟอร์ที่สอง: 1 - ซิลิกอนแห้งแกะ 2 - เวเฟอร์
พันธะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เซนเซอร์สามารถเสนอบริการออกแบบ โดยกระบวนการผลิต
มี 2 พื้นผิวในแนะนำ
โครงสร้างสองเวเฟอร์ที่ใช้ ; เวเฟอร์ครั้งแรก : 1 –ออกซิเดชัน ,
2 – 3 –หินล การระเหย &ล รูปแบบ ,
4 –ปั่นหนาเป็นชั้นสำหรับภาพต่อต้านการที่ 4.6 LM
5 –หิน , 6 –พลอย ซิลิคอน สะสม ( lpcvd ) 7
&โพลีซิลิคอนและภายในรูปแบบ8 –ปล่อย
โครงสร้าง ; เวเฟอร์ที่สอง : 1 – 2 –การกัดซิลิคอนเวเฟอร์
แห้ง เชื่อม