Abstract The ZnO doped with Al2O3 s

Abstract
The ZnO doped with Al2O3 showed the minimum electrical resistivity at an Al2O3 content of 0.25%. It was found that the ZnO doped with Al2O3 exhibited the resistance-temperature characteristic reversion from negative temperature coefficient of electrical resistivity (NTCR) to positive temperature coefficient of electrical resistivity (PTCR) at temperatures of about 450 and 250 °C for ceramics sintered at 1400 and 1300 °C, respectively. Both NTCR and PTCR features were weakened for samples with lower Al2O3 content or sintered at a higher temperature. Microstructure studies exposed that the densification process was significantly depressed when the Al2O3 addition levels were over about 1%. © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อ ZnO ที่เจือ ด้วย Al2O3 ที่แสดงให้เห็นว่าความต้านทานไฟฟ้าที่ต่ำสุดที่มีเนื้อหา Al2O3 ร้อยละ 0.25 มันก็พบว่า ZnO ที่เจือ ด้วย Al2O3 แสดงพลิกกลับลักษณะการต้านทานอุณหภูมิจากสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเป็นลบของความต้านทานไฟฟ้า (NTCR) ให้สัมประสิทธิ์อุณหภูมิเป็นบวกของความต้านทานไฟฟ้า (PTCR) ที่อุณหภูมิของเกี่ยวกับ 250 และ 450 ° C เซรามิกเผาที่ 1400 และ 1300 ° C ตามลำดับ คุณสมบัติ NTCR และ PTCR ถูกลดลงตัวอย่างมีปริมาณ Al2O3 ต่ำ หรือเผาที่อุณหภูมิสูง ศึกษาโครงสร้างจุลภาคแสดงว่า กระบวนการหนาแน่นของมากตกต่ำเมื่อระดับเพิ่ม Al2O3 ผ่านประมาณ 1% © 2006 Elsevier b.v สงวนลิขสิทธิ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ
ซิงค์ออกไซด์เจือด้วย Al2O3 แสดงให้เห็นถึงความต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดที่เนื้อหา Al2O3 0.25% มันก็พบว่าซิงค์ออกไซด์เจือด้วย Al2O3 แสดงความต้านทานอุณหภูมิพลิกกลับลักษณะจากค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเชิงลบของความต้านทานไฟฟ้า (NTCR) ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวกของความต้านทานไฟฟ้า (PTCR) ที่อุณหภูมิประมาณ 450 และ 250 องศาเซลเซียสเป็นเซรามิกเผาที่ 1400 1,300 ° C ตามลำดับ ทั้งสอง NTCR และ PTCR คุณสมบัติถูกลดลงสำหรับกลุ่มตัวอย่างที่มีเนื้อหา Al2O3 ที่ต่ำกว่าหรือเผาที่อุณหภูมิสูง การศึกษาโครงสร้างจุลภาคสัมผัสว่าขั้นตอนการบดอัดแบบเป็นซึมเศร้าอย่างมีนัยสำคัญเมื่อระดับนอกจาก Al2O3 ที่ถูกกว่าประมาณ 1% © 2006 Elsevier BV สงวนลิขสิทธิ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทคัดย่อการซิงค์ออกไซด์เจือด้วยอะลูมิเนียม มีความต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดที่เนื้อหา Al2O3 0.25 % พบว่าซิงค์ออกไซด์เจือด้วยอะลูมิเนียมมีความต้านทานอุณหภูมิลักษณะพลิกกลับจากค่าสัมประสิทธิ์ของอุณหภูมิความต้านทานไฟฟ้าเชิงลบ ( ntcr ) สัมประสิทธิ์ความต้านทานไฟฟ้าอุณหภูมิเป็นบวก ( ptcr ) ที่อุณหภูมิประมาณ 450 250 ° C เซรามิคและเผาที่ 1400 1300 องศาองศาเซลเซียส ตามลำดับ ทั้ง ntcr ptcr อ่อนแอลงและมีตัวอย่าง Al2O3 ลดเนื้อหาหรือเผาที่อุณหภูมิสูง โครงสร้างการศึกษาเปิดเผยว่า กระบวนการหนาแน่นอย่างหดหู่เมื่อ Al2O3 นอกจากนี้ระดับมากกว่า 1% สงวนลิขสิทธิ์ 2006 เอลส์เท่าสงวนลิขสิทธิ์