According to the difference of CRHO

According to the difference of CRHOL under VTD and
VMD electrode, it is inferred that this difference related to the
discharge initiation position (as Figure 16). During positive
half-cycle of applied voltage, the discharge initiation position
located in the vicinity of interface between gas and PE in the
usage of VMD electrode. Although the decay of positive
surface charges was significant when voltage cycle increased,
residual positive charges nearby the interface could inhibit the
production of seed electrons that could initiate new homodischarges.
Therefore, the subsequent ones tended to take
place at the sites without positive surface charges. During
negative half-cycle of applied voltage, the discharge initiation
position located in the vicinity of high-voltage electrode. The
free electrons resulting from secondary electron emission
caused by the impact of positive charges on the cathode could
trigger new discharge, and the discharge location may
coincide with the charge spot generated by the former
negative discharges. However, when voltage cycle was small
(e.g. 20 ms) the surface charges generated by discharges in a
half-cycle could reduce the applied field, causing the result
that discharge did not occur at the sites with homo-charges.
As voltage cycle increased, due to the charge decay, the
reduction of local field was decreased, so CRHOL became
larger. With VTD electrode, discharge always started at the
interface with positive surface charges. Therefore, there was
no coincidence of homo-discharges in a half-cycle.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามความแตกต่างของ CRHOL ใต้ VTD และVMD อิเล็กโทรด มันจะสรุปว่า ความแตกต่างนี้เกี่ยวข้องกับการปล่อยเริ่มต้นฐานะ (16 รูป) ระหว่างบวกครึ่งรอบของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ ปล่อยตำแหน่งเริ่มต้นทำเลที่ตั้งใกล้อินเตอร์เฟซระหว่างก๊าซและ PE ในการการใช้งานของอิเล็กโทรด VMD แม้ว่าการสลายตัวของบวกชาร์จ surface เป็นสำคัญเมื่อวงจรแรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้นเหลือบวกค่าใกล้เคียงอินเทอร์เฟซสามารถยับยั้งการการผลิตเมล็ดพันธุ์อิเล็กตรอนที่สามารถเริ่มต้นใหม่ homodischargesดังนั้น สิ่งตามมามีแนวโน้มจะทำเว็บไซต์โดยไม่ต้องชาร์จ surface บวก ในระหว่างการลบครึ่งรอบของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ เริ่มต้นที่ปล่อยตำแหน่งทำเลที่ตั้งใกล้ไฟฟ้าแรงสูง การอิเล็กตรอนที่เกิดจากการปล่อยอิเล็กตรอนทุติยฟรีเกิดจากผลกระทบของแคโทดบวกค่าธรรมเนียมสามารถทริกเกอร์ใหม่ปล่อย และสถานที่ปล่อยอาจตรงกับจุดค่าจากอดีตปล่อยค่าลบ อย่างไรก็ตาม เมื่อแรงดันไฟฟ้าวงจรมีขนาดเล็ก(เช่น 20 ms) ชาร์จ surface โดยปล่อยในรอบครึ่งสามารถลดฟิลด์ประยุกต์ ก่อให้เกิดผลปล่อยที่ไม่ได้เกิดที่ไซต์มีตุ๊ดค่าใช้จ่ายเป็นวงจรแรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้น เนื่องจากผุค่าธรรมเนียม การลดลงของเขตข้อมูลท้องถิ่นลดลง จึงกลายเป็น CRHOLขนาดใหญ่ กับ VTD อิเล็กโทรด ปล่อยเสมอเริ่มต้นที่การอินเตอร์เฟซที่ มีชาร์จ surface บวก ดังนั้น ก็ไม่บังเอิญของตุ๊ดปล่อยในครึ่งรอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตามความแตกต่างของ CRHOL ภายใต้ VTD และ
VMD ไฟฟ้าอนุมานได้ว่าเป็นความแตกต่างนี้ที่เกี่ยวข้องกับ
ตำแหน่งเริ่มต้นปล่อย (ดังรูปที่ 16) ในช่วงบวก
ครึ่งวงจรของแรงดันไฟฟ้าตำแหน่งเริ่มต้นจำหน่าย
อยู่ในบริเวณใกล้เคียงของอินเตอร์เฟซระหว่างก๊าซและ PE ใน
การใช้งานของ VMD อิเล็กโทรด แม้ว่าการสลายตัวของบวก
ค่าใช้จ่ายผิวอย่างมีนัยสำคัญเมื่อวงจรแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้น
ประจุบวกที่เหลืออยู่บริเวณใกล้เคียงอินเตอร์เฟซที่สามารถยับยั้งการ
ผลิตของอิเล็กตรอนเมล็ดที่สามารถเริ่มต้นการ homodischarges ใหม่.
ดังนั้นคนที่ตามมามีแนวโน้มที่จะใช้
สถานที่ที่เว็บไซต์โดยไม่คิดค่าพื้นผิวที่เป็นบวก ในช่วง
เชิงลบครึ่งวงรอบของแรงดันไฟฟ้าประยุกต์, การเริ่มต้นการปล่อย
ตำแหน่งที่ตั้งอยู่ในบริเวณใกล้เคียงของขั้วไฟฟ้าแรงดันสูง
อิเล็กตรอนอิสระที่เกิดจากการปล่อยอิเล็กตรอนทุติยภูมิ
เกิดจากผลกระทบของค่าใช้จ่ายในเชิงบวกต่อแคโทดอาจ
ก่อให้เกิดการปล่อยใหม่และสถานที่จำหน่ายอาจ
ตรงกับจุดที่ค่าใช้จ่ายที่เกิดจากอดีต
ปล่อยเชิงลบ แต่เมื่อวงจรแรงดันไฟฟ้าขนาดเล็ก
(เช่น 20 มิลลิวินาที) ค่าใช้จ่ายในพื้นผิวที่เกิดจากการปล่อยของเสียใน
ครึ่งวงจรสามารถลดใช้สนามที่ก่อให้เกิดผล
ที่ปล่อยไม่ได้เกิดขึ้นในสถานที่ที่มีตุ๊ดค่าใช้จ่าย.
ในฐานะที่เป็นวงจรแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้น เนื่องจากค่าใช้จ่ายในการสลายตัวที่
ลดลงของสนามท้องถิ่นลดลงดังนั้น CRHOL กลายเป็น
ขนาดใหญ่ ด้วย VTD ไฟฟ้าปล่อยมักจะเริ่มต้นที่
อินเตอร์เฟซที่มีค่าใช้จ่ายพื้นผิวที่เป็นบวก ดังนั้นจึงมีความเป็น
บังเอิญของตุ๊ดปล่อยไม่มีในครึ่งรอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามความแตกต่างของ crhol วีทีดี และภายใต้vmd ขั้ว มันบอกได้ว่าความแตกต่างนี้เกี่ยวข้องกับการปลดตำแหน่ง ( ดังรูปที่ 16 ) ในบวกครึ่งรอบของแรงดันที่ใช้ ตำแหน่งริเริ่มจำหน่ายตั้งอยู่ในบริเวณรอยต่อระหว่างแก๊สและอุปกรณ์ในการใช้ vmd อิเล็กโทรด แม้ว่าการสลายตัวของบวกค่าธรรมเนียมผิวอย่างมีนัยสำคัญเมื่อวงจรแรงดันเพิ่มขึ้นค่าใช้จ่ายบวกตกค้างที่อินเตอร์เฟซที่สามารถยับยั้งการผลิตเมล็ดพันธุ์ที่สามารถเริ่มต้นของอิเล็กตรอน homodischarges ใหม่ดังนั้น คนต่อมา มีแนวโน้มที่จะใช้สถานที่ที่เว็บไซต์โดยไม่คิดค่า พื้นผิวที่เป็นบวก ระหว่างวงจรลบครึ่งหนึ่งของแรงดันที่ใช้ การริเริ่มตำแหน่ง ที่ตั้งอยู่ในบริเวณใกล้เคียงของขั้วไฟฟ้าแรงดันสูง . ที่อิเล็กตรอนอิสระที่เกิดจากการปล่อยอิเล็กตรอนทุติยภูมิเกิดจากผลกระทบของค่าใช้จ่ายบวกบนแคโทดสามารถเรียกออกมาใหม่ และสถานที่จำหน่าย อาจตรงกันกับค่าจุดที่สร้างขึ้นโดยอดีตอัตราการไหลเชิงลบ อย่างไรก็ตาม เมื่อวงจรแรงดันไฟฟ้าเป็นขนาดเล็ก( เช่น 20 ms ) พื้นผิวค่าใช้จ่ายที่เกิดจากการไหลในครึ่งรอบสามารถลดสนามไฟฟ้าที่ก่อให้เกิดผลที่จำหน่ายไม่ได้เกิดขึ้นในเว็บไซต์ที่มีค่าโฮโมเป็นวงจรแรงดันเพิ่มขึ้น เนื่องจากการคิดค่าเสื่อม ,การลดลงของเขตท้องถิ่นลดลง ดังนั้น crhol กลายขนาดใหญ่ กับวีทีดีขั้วไฟฟ้าจำหน่ายจะเริ่มที่ติดต่อกับค่าพื้นผิวที่เป็นบวก ดังนั้น มีบังเอิญไม่มีอัตราการไหลออกในครึ่งรอบ