perature. In general, the total ser

perature. In general, the total series resistance (RS) of a
DSSC can be represented as the expression RS = RFTO + -
RPt + RI. Here, RFTO denotes the resistance of the FTOcoated
glass substrate, RPt the charge transfer resistance
at the Pt-coated counter electrode, and RI the diffusion
resistance resulting from the transport of holes in the
iodide-based liquid electrolyte. In our trials, there was no
appreciable change in RFTO at various cell temperatures.
This suggests that cell temperature hardly affects the RFTO
values. However, both RPt and RI gradually decrease with
increasing operating temperature, thereby suggesting that
the operating temperature strongly affects the charge transfer
kinetics between the counter electrode and liquid electrolyte.
We believe that the increase in cell temperature
correspondingly changes the viscosity of the liquid electrolyte
such that the charge recombination rate between
photogenerated electrons and liquid electrolyte is accordingly
affected.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

perature โดยทั่วไปความต้านทานชุดรวม (อาร์เอส) ของ
DSSC สามารถแสดงเป็นอาร์เอสแสดงออก = RFTO + -
RPT + RI นี่ RFTO หมายถึงความต้านทานของ FTOcoated
พื้นผิวแก้ว RPT
ต้านทานค่าใช้จ่ายการโอนที่เคาน์เตอร์อิเล็กโทรPt เคลือบและ RI แพร่ต้านทานที่เกิดจากการขนส่งของหลุมในที่ไอโอไดด์ที่ใช้อิเล็กโทรไลของเหลว ในการทดลองของเราไม่มีการเปลี่ยนแปลงที่เห็นได้ในที่อุณหภูมิ RFTO เซลล์ต่างๆ. นี้แสดงให้เห็นว่าอุณหภูมิแทบจะไม่ส่งผลกระทบต่อเซลล์ RFTO ค่า อย่างไรก็ตามทั้ง RPT และ RI ค่อยๆลดลงตามการเพิ่มอุณหภูมิในการทำงานจึงบอกว่าอุณหภูมิในการทำงานอย่างมากส่งผลกระทบต่อการถ่ายโอนค่าใช้จ่ายจลนศาสตร์ระหว่างขั้วเคาน์เตอร์และอิเล็กโทรไลของเหลว. เราเชื่อว่าการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิของเซลล์ตามลําดับการเปลี่ยนแปลงความหนืดของอิเล็กโทรไลของเหลวดังกล่าวว่าอัตราค่าใช้จ่ายรวมตัวกันอีกระหว่างอิเล็กตรอน photogenerated และอิเล็กโทรไลของเหลวตามได้รับผลกระทบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

perature . ในทั่วไป , ความต้านทานอนุกรมทั้งหมด ( RS ) ของ
DSSC สามารถแสดงเป็นการแสดงออก rfto rs = -
RPT ริ ที่นี่ rfto หมายถึงความต้านทานของ ftocoated
แผ่นแก้ว โอนค่าความต้านทาน
RPT ที่เคาน์เตอร์ PT เคลือบขั้วไฟฟ้า และริกระจาย
ความต้านทานที่เกิดจากการขนส่งของหลุมใน
ไอโอไดด์ใช้อิเล็กโทรไลต์เหลว ในการทดลองของเราไม่มีการเปลี่ยนแปลงในอุณหภูมิ rfto
ชดช้อยในเซลล์ต่างๆ ซึ่งแสดงให้เห็นว่าอุณหภูมิของเซลล์

rfto แทบไม่มีผลต่อค่า อย่างไรก็ตาม ทั้งสองค่อยๆ ลดลงด้วย และริ RPT
อุณหภูมิจึงบอกว่า
อุณหภูมิสูงอย่างยิ่งมีผลต่อค่าโอน
จลนศาสตร์ระหว่างเคาน์เตอร์ไฟฟ้าและของเหลว อิเล็กโทรไลต์
เราเชื่อว่าการเพิ่มอุณหภูมิการเปลี่ยนแปลงเซลล์ต้องกัน
ความหนืดของของเหลว อิเล็กโทรไลต์ เช่น ค่าธรรมเนียมการ

photogenerated อัตราระหว่างอิเล็กตรอนและของเหลว อิเล็กโทรไลต์เป็นตามนั้น
ผลกระทบ