2.3.2. Diamond/AlChemical reaction

2.3.2. Diamond/Al
Chemical reaction is involved in diamond-Al system. Prolonged exposure of diamond to Al melt easily causes the excessive formation of undesired Al4C3. Great thermal resistance and heat damage of diamond make the TC much lower than the theoretical value [24].

In order to improve the interfacial bonding and suppress the formation of Al4C3, Si is added to Al alloy. Improved bonding is approved by the formation of SiC at the interface and the resulting TC is 375 W/(m·K). With respect to the diamond/Al composites produced by pressure infiltration, diamond particles are coated with SiC with the intention to restrict the undesirable interfacial reaction, but the TC is only 259 W/(m·K) due to the high interfacial resistance [25]. Ti-Coated diamond by vacuum slow vapor deposition method can reduce the thermal resistance significantly and improve the TC from 125 to 486 W/(m·K) [26]. It is noted that the formation of Al4C3 is beneficial to the enhancement of TC to a certain degree. For the composites fabricated by infiltration of Al alloy into porous diamond preform, the highest TC reaches 670 W/(m·K).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2.3.2. เพชร/Alเกิดปฏิกิริยาเคมีในระบบอัลมอนด์ สัมผัสเป็นเวลานานของเพชรกับ Al ละลายง่าย ๆ สาเหตุก่อตัวมากเกินไปของ Al4C3 ไม่ ต้านทานความร้อนมากและร้อนความเสียหายของเพชรได้ TC มากที่ต่ำกว่ามูลค่าทางทฤษฎี [24]การปรับปรุงงาน interfacial และระงับการก่อตัวของ Al4C3 ศรีเพิ่มล้อแม็กอัล งานปรับปรุงได้รับการอนุมัติ โดยการก่อตัวของ SiC ที่อินเทอร์เฟซ และ TC ผลลัพธ์เป็น 375 ด้วย (m·K) . เกี่ยวกับวัสดุผสม เพชร/Al การผลิต โดยการแทรกซึมความดัน เพชรอนุภาคจะเคลือบ ด้วย SiC การจำกัดปฏิกิริยา interfacial ระวัง แต่ TC เป็น 259 พร้อม (m·K) ครบกำหนดที่จะตัวสูง interfacial ต้านทาน [25] เพชรตี้เคลือบ โดยวิธีการสะสมไอดูดช้าสามารถลดความต้านทานความร้อนมาก และปรับปรุง TC จาก 125 ไป 486 พร้อม (m·K) [26] ตั้งข้อสังเกตว่า การก่อตัวของ Al4C3 เป็นประโยชน์ต่อการปรับปรุงของ TC ในระดับ สำหรับคอมโพสิตหลังสร้าง โดยการแทรกซึมของโลหะผสม Al เป็นเพชร porous preform, TC สูงสุดถึง 670 พร้อม (m·K)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2.3.2 เพชร / อั
ปฏิกิริยาเคมีที่มีส่วนเกี่ยวข้องในระบบเพชรอัล รับเป็นเวลานานของเพชรกับอัละลายได้ง่ายทำให้เกิดการก่อตัวที่มากเกินไปของ Al4C3 ที่ไม่พึงประสงค์ ความต้านทานความร้อนที่ดีและความเสียหายความร้อนของเพชรทำให้ TC ต่ำกว่ามูลค่าทางทฤษฎี [24]. เพื่อที่จะปรับปรุงพันธะสัมผัสและปราบปรามการก่อตัวของ Al4C3, ศรีจะถูกเพิ่มเข้าไปผสมอัล พันธะที่ดีขึ้นได้รับการอนุมัติจากการก่อตัวของ SiC ที่อินเตอร์เฟซและ TC ที่เกิดขึ้นเป็น 375 W / (ม· K) ด้วยความเคารพกับเพชร / อัลคอมโพสิตที่ผลิตโดยการแทรกซึมดันอนุภาคเพชรเคลือบด้วย SiC ด้วยความตั้งใจที่จะ จำกัด การเกิดปฏิกิริยาที่ไม่พึงประสงค์สัมผัส แต่เป็นเพียง TC 259 W / (ม· K) เนื่องจากการสัมผัสต้านทานสูง [25 ] เพชร Ti-เคลือบด้วยวิธีสูญญากาศสะสมไอช้าสามารถลดความต้านทานความร้อนอย่างมีนัยสำคัญและปรับปรุง TC 125-486 W / (ม· K) [26] มันถูกตั้งข้อสังเกตว่าการก่อตัวของ Al4C3 เป็นประโยชน์ต่อการเพิ่มประสิทธิภาพของ TC ในระดับหนึ่ง สำหรับคอมโพสิตประดิษฐ์โดยการแทรกซึมของโลหะผสมอัลเป็น preform เพชรมีรูพรุน TC สูงสุดถึง 670 วัตต์ / (ม· K)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2.3.2 . เพชร / อัล ปฏิกิริยาทางเคมีที่เกี่ยวข้องในเพชร
ลระบบ การเปิดรับแสงนานของเพชร อัลละลายได้อย่างง่ายดาย สาเหตุการเกิด al4c3 มากเกินไปของที่ไม่พึงประสงค์ . ที่ดีต้านทานความร้อนและความร้อนความเสียหายของเพชรให้ TC ต่ำกว่ามูลค่าทางทฤษฎี [ 24 ] .

เพื่อปรับปรุงความสัมพันธ์ระหว่างและปราบปรามการก่อตัวของ al4c3 ศรีเพิ่ม Al โลหะผสมการปรับปรุงการได้รับการอนุมัติโดยการก่อตัวของ SIC ที่อินเตอร์เฟซและเป็นผล TC เป็น 375 W ( K / M ด้วย ) ด้วยความเคารพเพชร / อัลคอมโพสิตที่ผลิตโดยการแทรกซึมความดันเคลือบด้วยอนุภาคเพชร SIC กับความตั้งใจที่จะ จำกัด ปฏิกิริยาระหว่างที่ไม่พึงประสงค์ แต่ TC เป็นเพียง 259 / w ( M ด้วย K ) เนื่องจากความต้านทานระหว่างสูง [ 25 ]ไอ้เพชรเคลือบด้วยสูญญากาศช้าสะสมไอวิธีสามารถลดความต้านทานความร้อนอย่างมาก และปรับปรุง TC จาก 125 ไปที่ w / ( M ด้วย K ) [ 26 ] มันเป็นข้อสังเกตว่า การก่อตัวของ al4c3 เป็นประโยชน์เพิ่มของ TC ในบางอย่าง สำหรับคอมโพสิตที่ประดิษฐ์โดยการแทรกซึมของ Al โลหะผสมเป็น preform เพชรรูพรุน , TC สูงถึง 670 / w ( M ด้วย K )