where the multilayered TiAlN/CrN is

where the multilayered TiAlN/CrN is rationalised to have interrupted film growth at each
layer due to the substrate rotation during deposition which limits the ion bombardment from two separate cathodes (Cr and
TiAl), thus resulting in a much smaller crystallite size compared to the TiAlN monolayered coating.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่ rationalised TiAlN multilayered/CrN จะได้ขัดจังหวะการเจริญเติบโตของฟิล์มแต่ละชั้นเนื่องจากการหมุนพื้นผิวระหว่างการสะสมซึ่งจำกัดระดมยิงไอออนจาก cathodes สองแยกต่างหาก (Cr และTiAl), จึง เกิด crystallite ขนาดเล็กมากเมื่อเทียบกับ TiAlN monolayered เคลือบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ดอกสว่านพหุ / CRN
เป็นเหตุผลที่จะมีการหยุดชะงักการเจริญเติบโตของภาพยนตร์ในแต่ละชั้นเกิดจากการหมุนพื้นผิวในระหว่างการสะสมซึ่งจำกัด การโจมตีไอออนจากสอง cathodes ที่แยกต่างหาก (Cr และ
tial) จึงส่งผลให้ขนาดผลึกที่มีขนาดเล็กมากเมื่อเทียบกับดอกสว่าน เคลือบ monolayered

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่มัลติเลเยอร์ tialn / crn เป็น rationalised เพื่อขัดจังหวะการพัฒนาฟิล์มที่แต่ละชั้น เนื่องจากพื้นผิว
การหมุนในการจำกัดไอออนซึ่งโจมตีจากสองแยก Cathodes ( CR
tial ) จึงส่งผลให้ขนาดผลึกที่มีขนาดเล็กมากเมื่อเทียบกับ tialn monolayered เคลือบ