GaN wafer with thickness of ∼5 m is

GaN wafer with thickness of ∼5 m is selected as substrate for the growth of nanowires

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เลือกเป็นพื้นผิวสำหรับการเติบโตของ nanowires ไอแลนด์เวเฟอร์ มีความหนาของ ∼5 m

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กานเวเฟอร์ที่มีความหนา ~5 M ถูกเลือกเป็นสารตั้งต้นสำหรับการเจริญเติบโตของเส้นลวดนาโน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กานเวเฟอร์ที่มีความหนา∼ 5 M เลือกเป็นสารอาหารสำหรับการเจริญเติบโตของนาโน