In general, the tantalum films dire

In general, the tantalum films directly deposited on Si and SiO substrates in the pure Ar plasma are of high resistivity metastable tetragonal phase (b-Ta) w3–8x.However, the Ta thin film with a phase is more desirable because its smaller resistivity (typically 30 mV cm),compared with that of b-Ta and Ta-based films (more than 200 mV cm), and its compressive stress w8x.In the recent years, people have been searching harder for the

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทั่วไป ฟิล์มแทนทาลัมฝากโดยตรงบนพื้นผิวสีและ SiO ในพลาสม่า Ar บริสุทธิ์เป็นของความต้านทานสูงระยะ tetragonal metastable (บีต้า) w3-8 xอย่างไรก็ตาม ฟิล์มบางตา ด้วยระยะจะต้องการมากขึ้นเนื่องจากความต้านทานที่มีขนาดเล็ก (ปกติ 30 mV ซม), เทียบกับบีตาตามตาฟิล์ม (มากกว่า 200 mV ซม.), และ w8x ของความเครียด compressiveในปีที่ผ่านมา คนที่มีการค้นหาหนักสำหรับการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยทั่วไปภาพยนตร์แทนทาลัมฝากโดยตรงบนศรี SiO พื้นผิวในพลาสม่า Ar บริสุทธิ์ที่มีความต้านทานสูงเฟสเตตระโกน metastable (ขตา) w3-8x.However, ฟิล์มบางท่าที่มีขั้นตอนการเป็นที่น่าพอใจมากขึ้นเพราะความต้านทานเล็ก (ปกติ 30 mV เซนติเมตร) เมื่อเทียบกับที่ของขตาและหนังตาตาม (มากกว่า 200 mV เซนติเมตร) และความเครียดอัดของ w8x.In ปีที่ผ่านมาคนที่ได้รับการค้นหายากสำหรับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยทั่วไป , แทนทาลัมภาพยนตร์โดยตรงฝากบนพื้นผิวซิลิกาในพลาสมาและซีอาร์บริสุทธิ์สูงความต้านทานเมตาสเตเบิลเฟสเตตระโกนอล ( b-ta ) W3 – 8x.however , ทาฟิล์มกับเฟสเป็นที่พึงปรารถนาเพราะมันเล็กลง ความต้านทาน ( ปกติ 30 MV ซม. ) เมื่อเทียบกับที่ของ b-ta และ TA ใช้ภาพยนตร์ ( เพิ่มเติม มากกว่า 200 เพลงซม. ) และแรงอัด w8x ในปีล่าสุดคนได้รับการค้นหาหนักสำหรับ