3.2. Humidity sensing capabilities

3.2. Humidity sensing capabilities of a mesoporous CGO film
The response to humidity of the fabricated films is evaluated.
Sinusoidal excitation signals of different frequencies are imposed
and the impedance is measured. Fig. 4 shows the tendency of
the impedance at different frequencies for several humidity levels
at a controllable fixed room temperature (T = 30 ◦C). In the low
frequency region (f = 1–10 Hz) the device presents the highest sensitivity,
10 Hz is a good tradeoff between measurement velocity and
selectivity, and will be the frequency used in the following.
A detailed analysis of the impedance response of the sensors is
presented in the next section. There,the choice ofthe low frequency
range for on line monitoring of the sensor response is justified. The
impedance does not change at higher frequencies (f = 104–105 Hz)
where the response of the sensor becomes independent of the
humidity. This indicates that, in this higher range of frequencies,
it is short-circuit by the parallel resistance.
The relative resistance (R0/RRH) versus the relative humidity
(RH) at room temperature (100% RH = 3% H2O) is presented in Fig. 5
for the here-fabricated mesoporous CGO humidity sensor and compared
to different cerium oxides based humidity sensors extracted
from the literature [18–20]. In this figure, R0 indicates the resistance
of the sensors at 25% RH and R(RH) the resistance values
at the corresponding humidity level. Dense bulk cerium oxides
show almost no change in resistance on the whole range of relative
humidities, while for nanostructured materials sensitivity starts
to become significant. The here-proposed CGO mesoporous material
sensor shows an exponential decrease of the logarithm of the
resistance with the increase of humidity. This behavior has been reported as arising from an ionic type humidity sensing mechanism
[3,22,23]. Only complex nanostructured configurations like CeO2
nanowires present a sensitivity comparable to the here presented
material.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.2 การตรวจวัดความสามารถของตัว CGO คราบความชื้นการตอบสนองต่อความชื้นของฟิล์มประกอบรับการประเมินมีกำหนดในการกระตุ้น sinusoidal สัญญาณความถี่ที่แตกต่างกันและวัดความต้านทานที่ Fig. 4 แสดงแนวโน้มของความต้านทานที่ความถี่ต่าง ๆ สำหรับระดับความชื้นต่าง ๆที่อุณหภูมิห้องคงที่ควบคุมได้ (T = 30 ◦C) ในต่ำภูมิภาคความถี่ (f = 1 – 10 Hz) อุปกรณ์แสดงระดับความสำคัญสูงสุดข้อดีดีระหว่างวัดความเร็วเป็น 10 Hz และวิธี และจะเป็นความถี่ที่ใช้ในการต่อไปนี้วิเคราะห์การตอบสนองต่อความต้านทานของเซ็นเซอร์เป็นนำเสนอในส่วนถัดไป มี มายความถี่ต่ำช่วงในรายการตรวจสอบการตอบสนองของเซ็นเซอร์เป็นธรรม ที่ความต้านทานไม่เปลี่ยนแปลงความถี่สูง (f = 104 – 105 Hz)ซึ่งการตอบสนองของเซนเซอร์จะขึ้นอยู่กับการความชื้น บ่งชี้ที่ ในช่วงนี้สูงกว่าความถี่ลัดวงจร โดยความต้านทานแบบขนานได้ต้านทานญาติ (R0 RRH) เทียบกับความชื้นสัมพัทธ์(RH) ที่อุณหภูมิห้อง (100% RH = 3% H2O) นำเสนอใน Fig. 5สำหรับเซนเซอร์ความชื้น CGO ตัวหลังนี่สร้าง และเปรียบเทียบการซีเรียมต่างๆ ออกไซด์ใช้เซนเซอร์ความชื้นสกัดจากวรรณคดี [18-20] ในรูปนี้ R0 ระบุว่า ต่อต้านของเซนเซอร์ที่ 25% RH และ R(RH) ค่าความต้านทานที่ระดับความชื้นที่สอดคล้องกัน ออกไซด์ซีเรียมออกไซด์จำนวนมากหนาแน่นแสดงแทบไม่เปลี่ยนแปลงความต้านทานในช่วงทั้งหมดของญาติhumidities ในขณะที่สำหรับ nanostructured ความไววัสดุเริ่มต้นเป็นสำคัญ ที่นี่นำเสนอ CGO ตัววัสดุเซนเซอร์แสดงการลดเนนเชียลลอการิทึมของต้านทานกับการเพิ่มขึ้นของความชื้น มีการรายงานปัญหานี้เป็นเกิดจากความชื้นชนิด ionic เป็นกลไกในการตรวจ[3,22,23] การตั้งค่าคอนฟิก nanostructured ซับซ้อนเท่าชอบ CeO2ความไวที่เทียบได้กับที่นี่การแสดงของ nanowires ปัจจุบันวัสดุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.2 การตรวจวัดความชื้นความสามารถของเมโซพอรัสภาพยนตร์ CGO
การตอบสนองต่อความชื้นของภาพยนตร์ประดิษฐ์ที่ได้รับการประเมิน. สัญญาณกระตุ้นซายน์ของความถี่ที่แตกต่างกันกำหนดและความต้านทานเป็นวัด รูป 4 แสดงให้เห็นแนวโน้มของความต้านทานที่ความถี่แตกต่างกันสำหรับระดับความชื้นหลายที่สามารถควบคุมอุณหภูมิห้องคงที่(T = 30 ◦C) ในที่ต่ำภูมิภาคความถี่ (f = 1-10 Hz) อุปกรณ์ที่มีการจัดความไวแสงสูงสุด 10 เฮิร์ตซ์เป็นถ่วงดุลอำนาจที่ดีระหว่างความเร็ววัดและการเลือกและจะมีความถี่ที่ใช้ในการต่อไป. การวิเคราะห์รายละเอียดของการตอบสนองความต้านทานของ เซ็นเซอร์จะถูกนำเสนอในส่วนถัดไป มีทางเลือก ofthe ความถี่ต่ำช่วงของการตรวจสอบสายของการตอบสนองเซ็นเซอร์เป็นธรรม ต้านทานไม่เปลี่ยนแปลงที่ความถี่สูง (f = 104-105 Hz) ที่ตอบสนองของเซ็นเซอร์จะกลายเป็นอิสระจากความชื้น นี้แสดงให้เห็นว่าในช่วงที่สูงขึ้นของความถี่มันเป็นลัดวงจรโดยต้านทานขนาน. ความต้านทานญาติ (R0 / RRH) กับความชื้นสัมพัทธ์(RH) ที่อุณหภูมิห้อง (100% RH = 3% H2O) จะนำเสนอ ในรูป 5 สำหรับเมนี่ประดิษฐ์เซ็นเซอร์ความชื้น CGO และเมื่อเทียบกับการที่แตกต่างกันซีเรียมออกไซด์เซ็นเซอร์ความชื้นตามสกัดจากวรรณกรรม[18-20] ในรูปนี้ R0 แสดงความต้านทานของเซ็นเซอร์ที่25% RH และ R (RH) ค่าความต้านทานที่ระดับความชื้นที่สอดคล้องกัน ซีเรียมออกไซด์กลุ่มหนาแน่นแสดงเกือบจะไม่มีการเปลี่ยนแปลงในการต่อต้านในช่วงที่ทั้งญาติความชื้นในขณะที่สำหรับวัสดุอิเล็กทรอนิคส์ไวเริ่มที่จะกลายเป็นอย่างมีนัยสำคัญ CGO ที่นี่นำเสนอเมวัสดุเซ็นเซอร์แสดงให้เห็นการลดลงของลอการิทึมชี้แจงของความต้านทานกับการเพิ่มความชื้น ลักษณะการทำงานนี้ได้รับรายงานว่าเกิดจากการไอออนิกชนิดกลไกการตรวจวัดความชื้น[3,22,23] ที่ซับซ้อนเฉพาะการอิเล็กทรอนิคส์เช่น CEO2 nanowires นำเสนอความไวเปรียบได้กับการที่นำเสนอนี้วัสดุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.2 . ความชื้นสัมผัสความสามารถของเมโซพอรัส cgo ภาพยนตร์
การตอบสนองต่อความชื้นของประดิษฐ์ภาพยนตร์จะถูกประเมิน .
กระแสกระตุ้นสัญญาณความถี่ที่แตกต่างกันกำหนด
และภายในวัด . รูปที่ 4 แสดงให้เห็นแนวโน้มของอิมพีแดนซ์ที่ความถี่ที่แตกต่างกัน

หลายระดับความชื้นที่ควบคุมอุณหภูมิคงที่ในห้อง ( t = 30 ◦ C ) ในต่ำ
ภูมิภาคความถี่ ( f = 1 – 10 Hz ) อุปกรณ์ที่มีความไวสูงสุด
10 Hz เป็นข้อเสียที่ดีระหว่างความเร็วและวัด
หัวกะทิ และจะมีความถี่ที่ใช้ในการดังต่อไปนี้ .
การวิเคราะห์รายละเอียดของค่าการตอบสนองของเซ็นเซอร์คือ
นำเสนอในส่วนถัดไป มี ทางเลือกของความถี่ต่ำ
ช่วงในการตรวจสอบสายเซนเซอร์ตอบสนองเป็นธรรม
ไม่ เปลี่ยนแปลงอิมพีแดนซ์ที่ความถี่สูง ( F = 104 - 105 Hz )
ที่การตอบสนองของเซ็นเซอร์เป็นอิสระของ
ความชื้น นี้บ่งชี้ว่า ในช่วงนี้สูงกว่าความถี่ มันสั้นจริงๆด้วย

ความต้านทานความต้านทานแบบขนาน ญาติ ( r0 / rrh ) เมื่อเทียบกับ
ความชื้นสัมพัทธ์ ( RH ) ที่อุณหภูมิห้อง ( 100% RH = 3 % H2O ) ที่แสดงในรูปที่ 5
สำหรับที่นี่ประดิษฐ์เมโซ cgo เซ็นเซอร์ความชื้นและเปรียบเทียบที่แตกต่างกันซีเรียมออกไซด์ตามความชื้น

ตัวสกัดจากวรรณคดี [ 18 – 20 ] ในรูปนี้ r0 แสดงความต้านทาน
ของเซ็นเซอร์ที่ความชื้นสัมพัทธ์ ( RH ) 25 % และ R ค่า
ความต้านทานที่ระดับความชื้นที่สอดคล้องกัน ซีเรียมออกไซด์หนาแน่นเป็นกลุ่ม
แสดงเกือบไม่มีการเปลี่ยนแปลงความต้านทานในช่วงทั้งหมดของชื้นสัมพัทธ์
,ในขณะที่ nanostructured วัสดุไวเริ่ม
เป็นสำคัญ มาเสนอ cgo เมโซวัสดุ
เซ็นเซอร์แสดงลดลงแบบลอการิทึมของ
ต้านทานกับเพิ่มความชื้น พฤติกรรมนี้ได้รับรายงานว่าเกิดขึ้นจากไอออนชนิดความชื้นสัมผัสกลไก
[ 3,22,23 ] เพียงที่ชอบ CeO2
nanostructured การกําหนดค่านาโนปัจจุบันไวเทียบได้กับมาเสนอ
วัสดุ