A novel idea of enhancing the separ

A novel idea of enhancing the separation of electron and hole is the
P–N junction concept. In this concept, the contact between a p-type
material with its n-type counterpart will induce an internal electric
field that can extend the probability of electron–hole separation.
Similar concept has been reported by Shifu et al. for NiO-doped TiO
[9], and Liu et al. for V-doped TiO
[10].

2

2

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นวนิยายความเพิ่มแยกอิเล็กตรอนและหลุมเป็นการแนวความคิดของ P – N junction ในแนวคิดนี้ ระหว่าง p-ชนิดวัสดุกับสำเนาของชนิด n จะทำให้เกิดการไฟฟ้าภายในfield ที่สามารถขยายความเป็นไปได้ของอิเล็กตรอน – หลุมแยกแนวคิดคล้ายกันมีการรายงานโดยชิ et al. สำหรับ NiO doped TiO[9], และ al. et หลิวสำหรับ V doped TiO[10]22

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความคิดที่นวนิยายเรื่องการเสริมสร้างการแยกของอิเล็กตรอนและหลุมเป็นแนวคิดทางแยก P-N ในแนวคิดนี้ติดต่อระหว่างพีประเภทวัสดุที่มีคู่ชนิดเอ็นของมันจะทำให้เกิดไฟฟ้าภายในELD ไฟที่สามารถขยายความน่าจะเป็นของการแยกอิเล็กตรอนหลุม. แนวคิดที่คล้ายกันได้รับรายงานจาก Shifu et al, สำหรับ NiO เจือ TiO [9] และหลิว et al, สำหรับติ้ว V-ยา[10]. 2 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความคิดใหม่เพื่อแยกอิเล็กตรอนและหลุม
p และ n ชุมทางแนวคิด ในแนวคิดนี้ ติดต่อระหว่างวัสดุพี
กับคู่ทั่วไปจะทำให้ภายในไฟฟ้า
จึงละมั่ง ที่สามารถขยายความน่าจะเป็นของอิเล็กตรอนและหลุมแยก แนวคิดที่คล้ายกันได้รับการรายงานโดยอาจารย์ et al . สําหรับ NIO เจือติ๋ว
[ 9 ] และ Liu et al . สำหรับ v-doped ติ๋ว
[ 10 ] .



2
2