2 at.% Ga-doped MgxZn1−xO (x = 0–8%

2 at.% Ga-doped MgxZn1−xO (x = 0–8%) films have been prepared by sol–gel dip-coating method, and the
effects of three different post annealing ambient: (a) vacuum annealing under air pressure of ∼10
−2
Pa;
(b) annealing in nitrogen atmosphere, and (c) annealing in argon-hydrogen (96%argon + 4%hydrogen)
atmosphere on the electrical and optical properties of the films are investigated. When treated by these
three different post-annealing ambient, both the resisitivity and band gap of the films increase with Mg
doping contents increasing from 0 to 8 at.%. The vacuum annealed films show much lower resistivity
than those treated in nitrogen or argon–hydrogen atmosphere, and the transmittance of the vacuum
annealed films (∼70%) is also lower than those annealed by the other two methods (∼90%) in visible
region. It shows that different post annealing ambient and ion doping could modify the optoelectronic
properties of ZnO film

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2 at.% MgxZn1−xO Ga เจือ (x = 0-8%) ภาพยนตร์ได้รับการเตรียม โดยวิธีโซลเจลชุบเคลือบ และผลสามต่างลงหลอมอุณหภูมิ: (a) เครื่องดูดฝุ่นหลอมภายใต้ความดันอากาศของ ∼10−2ป่า(ข) การหลอมในบรรยากาศไนโตรเจน และ (ค) การหลอมในอาร์กอนไฮโดรเจน (อาร์กอน 96% + 4% ไฮโดรเจน)บรรยากาศบนคุณสมบัติไฟฟ้า และแสงของฟิล์มจะตรวจสอบ เมื่อได้รับการรักษาเหล่านี้สามแตกต่างหลังการหลอมโดยรอบ ช่องว่างทั้ง resisitivity และวงการเพิ่มภาพยนตร์มิลลิกรัมเนื้อหายาสลบเพิ่มจาก 0 ถึง 8 at.% ภาพยนตร์อบสูญญากาศแสดงความต้านทานต่ำมากกว่าที่ได้รับการรักษาในบรรยากาศไนโตรเจนหรืออาร์กอน – ไฮโดรเจน และส่งของเครื่องดูดฝุ่นยังเป็นฟิล์มอบ (∼70%) ต่ำกว่าอบ โดยสองวิธีอื่น ๆ (∼90%) ในการมองเห็นภูมิภาค แสดงว่า โพสต์ต่าง ๆ หลอมล้อมรอบและไอออนยาสลบสามารถปรับเปลี่ยนการควบคุมคุณสมบัติของฟิล์ม ZnO

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

. 2% Ga เจือ MgxZn1-XO (x = 0-8%) ภาพยนตร์ที่ได้รับการจัดทำขึ้นโดยโซลเจลวิธีการจุ่มเคลือบและ
ผลกระทบของการที่แตกต่างกันสามรอบโพสต์หลอม (ก) การอบสูญญากาศภายใต้ความกดดันอากาศ ~ 10
-2
ป่า;
(ข) การอบในบรรยากาศไนโตรเจนและ (ค) การอบในอาร์กอนไฮโดรเจน (อาร์กอน + 4% ไฮโดรเจน 96%)
บรรยากาศที่มีต่อสมบัติไฟฟ้าและแสงของภาพยนตร์จะถูกตรวจสอบ เมื่อได้รับการรักษาโดยการเหล่านี้
แตกต่างกันสามรอบหลังหลอมทั้ง resisitivity และวงดนตรีของช่องว่างของภาพยนตร์เพิ่มขึ้นด้วย Mg
เนื้อหายาสลบเพิ่มขึ้น 0-8 ที่.% ภาพยนตร์สูญญากาศอบแสดงความต้านทานที่ต่ำกว่ามาก
กว่าผู้ที่รับการรักษาในไนโตรเจนอาร์กอนหรือไฮโดรเจนบรรยากาศและการส่งผ่านของสูญญากาศ
ภาพยนตร์อบ (~70%) ยังต่ำกว่าที่อบโดยอีกสองวิธี (~90%) ในการมองเห็น
ภูมิภาค. มันแสดงให้เห็นว่าแตกต่างกันโดยรอบการโพสต์การหลอมและยาสลบไอออนสามารถปรับเปลี่ยน optoelectronic
คุณสมบัติของฟิล์มซิงค์ออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . % GA ด้วย mgxzn1 − XO ( X = 0 ( 8% ) ภาพยนตร์ที่เตรียมโดยวิธีโซล - เจลจุ่มเคลือบและผลของการอบอ่อนที่แตกต่างกันสามโพสต์โดย : ( ก ) การอบภายใต้สุญญากาศความดันอากาศของ∼ 10− 2ป่า ;( ข ) อบอ่อนในบรรยากาศไนโตรเจน และ ( c ) ข้อดีอาร์กอนไฮโดรเจน ( 96 % อาร์กอน + 4 % ไฮโดรเจน )บรรยากาศในสมบัติทางไฟฟ้าและทางแสงของฟิล์ม ) ได้แก่ เมื่อรักษาโดยเหล่านี้ทั้งสามต่างโพสต์ annealing โดยทั้ง resisitivity และวงช่องว่างของฟิล์มเพิ่มกับมก.เนื้อหาเพิ่มเติมจาก 0 ถึง 8 ที่ เพิ่มขึ้น สูญญากาศอบภาพยนตร์แสดงความต้านทานต่ำมากกว่าการรักษาในไนโตรเจนหรืออาร์กอน ( ไฮโดรเจน บรรยากาศและการส่งผ่านของสูญญากาศอบฟิล์ม ( ∼ 70% ) ยังต่ำกว่าอบโดยอีกสองวิธี ( ∼ 90% ) ในการมองเห็นภูมิภาค มันแสดงให้เห็นว่าโพสต์โดยการเติมไอออนขนาดแตกต่างกันสามารถปรับเปลี่ยน Optoelectronicคุณสมบัติของซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม