Individual and Parallel Behavior of

Individual and Parallel Behavior of High Current Density, High-Voltage 4h-Silicon
Carbide P-I-N Diodes

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลักษณะการทำงานแต่ละ และขนานของความหนาแน่นสูงกระแส แรงดันสูง 4h ซิลิคอนไดโอด P-ฉัน-เอ็นคาร์ไบด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พฤติกรรมของบุคคลและขนานสูงหนาแน่นกระแสไฟฟ้าแรงสูง 4H ซิลิกอน
คาร์ไบด์ PIN ไดโอด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พฤติกรรมบุคคลและขนานของความหนาแน่นสูง , ซิลิคอน h แรงดันสูงคาร์ไบด์ p-i-n ไดโอด