The absorption coefficient of the m

The absorption coefficient of the material should be high, about 104–106 cm−1. Materials with higher absorption coefficient can easily absorb photons and excite electrons into the conduction band. For thin film solar cell, we need a thin absorption layer with good absorption coefficient. But, the absorption coefficient of Si layer is low in the visible region of solar radiation and therefore absorption layer should be more than 1 µm thick. Thus, the film deposition rate should be high in order to make solar cell commercially viable. For this purpose high power and very high plasma excitation frequency are used [6]. The optical absorption in indirect band gap semiconductor is lower than direct band gap semiconductor. The absorption coefficient can be enhanced at nanodimension [11].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สัมประสิทธิ์การดูดซับของวัสดุควรสูง เกี่ยวกับ cm−1 104-106 วัสดุที่ มีสัมประสิทธิ์การดูดซับสูงสามารถดูดซับโฟตอน และกระตุ้นอิเล็กตรอนในแถบนำ สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ฟิล์ม เราต้องดูดซึมบางชั้นที่ มีสัมประสิทธิ์การดูดซับดี แต่ สัมประสิทธิ์การดูดซับของซีชั้นต่ำในภูมิภาคสามารถมองเห็นรังสีแสงอาทิตย์ และดังนั้นจึง ดูดซึมชั้นควรจะหนากว่า 1 µm ดังนั้น อัตราการสะสมฟิล์มควรจะสูงเพื่อให้เซลล์แสงอาทิตย์ทำงานได้ในเชิงพาณิชย์ สำหรับวัตถุประสงค์นี้ สูงและความถี่ไฟฟ้าพลาสมาสูงมากจะใช้ [6] ดูดซึมแสงในสารกึ่งตัวนำช่องว่างของวงอ้อมอยู่ต่ำกว่าสารกึ่งตัวนำช่องว่างของวงโดยตรง สัมประสิทธิ์การดูดซับสามารถเพิ่มได้ที่ nanodimension [11]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมของวัสดุที่ควรจะสูงประมาณ 104-106 ซม. 1 วัสดุที่มีค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมสูงสามารถดูดซับโฟตอนและตื่นเต้นอิเล็กตรอนเข้าไปในการนำวงดนตรี สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางที่เราต้องเป็นชั้นดูดซึมบางที่มีค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมที่ดี แต่ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมของชั้นศรีอยู่ในระดับต่ำในภูมิภาคท​​ี่มองเห็นของรังสีดวงอาทิตย์และดังนั้นจึงดูดซึมชั้นควรจะมากกว่า 1 ไมครอนหนา ดังนั้นอัตราการปลูกฟิล์มควรจะสูงเพื่อที่จะทำให้เซลล์แสงอาทิตย์เชิงพาณิชย์ เพื่อจุดประสงค์นี้พลังงานสูงและความถี่พลาสม่ากระตุ้นสูงมากจะใช้ [6] การดูดซึมแสงในอ้อมเซมิคอนดักเตอร์วงช่องว่างต่ำกว่าวงตรงช่องว่างเซมิคอนดักเตอร์ ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมสามารถเพิ่มที่ nanodimension [11]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สัมประสิทธิ์การดูดซึมของวัสดุควรสูงประมาณ 104 - 106 cm − 1 วัสดุที่มีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนสูงกว่าสามารถดูดซับโฟตอน และกระตุ้นอิเล็กตรอนในการนำวงดนตรี สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ฟิล์มบาง , เราต้องการชั้นดูดซับบางกับค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมที่ดี แต่ มีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงของชั้นซิต่ำในพื้นที่ที่มองเห็นได้จากรังสีและดังนั้นชั้นดูดซับควรจะมากกว่า 1 µเมตรหนา ดังนั้น อัตราการเคลือบฟิล์มจะสูงเพื่อให้เซลล์แสงอาทิตย์เชิงพาณิชย์ สำหรับวัตถุประสงค์นี้พลังงานสูงและสูงมากและความถี่ที่ใช้พลาสม่า [ 6 ] การดูดกลืนแสงในทางอ้อมช่องว่างแถบสารกึ่งตัวนำต่ำกว่าช่องว่างแถบตรง ) สัมประสิทธิ์การดูดซึมสามารถเพิ่ม nanodimension [ 11 ]