Also, when reducing power consumpti

Also, when reducing power consumption, operation error caused by either disturbance noise or internally generated noise resulting when the power supply voltage is decreased becomes a major reliability concern. The CMOS device latchup phenomenon is a representative example of this. Since the well area electrically isolates bulk CMOS devices from the substrate, a parasitic thyrister is inevitably constructed between the power supply and GND pins. Latch-up is the phenomenon in which this parasitic thyrister is activated by well/substrate current resulting from either a disturbance surge or internal transistor operation. As a result, the system will either malfunction or shut down. (See Figure 8.) This phenomenon is more likely to occur when the device integration is improved and when the device temperature increases. Placing fixed substrate layers and independent well drain holes between all devices with different polarities generally prevents occurrences of this phenomenon. However, these measures cannot prevent the area that the devices occupy from increasing. In the case of SOI-CMOS devices, each element is completely isolated by BOX oxide film and LOCOS oxide film, so no parasitic thyristers are formed and the latch-up phenomenon does not occur. It is not necessary to place fixed layers and drain layers. Also, improved integration and improved hightemperature operation performance can be expected.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ยัง เมื่อลดการใช้พลังงาน การดำเนินการข้อผิดพลาดเกิดจากทั้งเสียงรบกวน หรือเสียงที่สร้างขึ้นภายในผลเมื่อแรงดันไฟฟ้าพลังงานจะลดลงกลายเป็น ความกังวลความน่าเชื่อถือที่สำคัญ ปรากฏการณ์ latchup อุปกรณ์ CMOS เป็นตัวอย่างตัวแทนนี้ เนื่องจากพื้นที่ดีนวดแยกอุปกรณ์ CMOS จำนวนมากจากพื้นผิว thyrister เสียงฟู่เหมือนกาฝากเป็นย่อมสร้างระหว่างไฟและหมุด GND สลักขึ้นเป็นปรากฏการณ์ที่ thyrister เสียงฟู่เหมือนกาฝากนี้ถูกเรียกใช้ โดยดี/ปัจจุบันเป็นผลมาจากคลื่นรบกวนหรือการทำงานของทรานซิสเตอร์ภายในพื้นผิว ดังนั้น ระบบจะทำงานผิดพลาด หรือปิด (ดูรูปที่ 8) ปรากฏการณ์นี้มีแนวโน้มที่จะเกิดขึ้น เมื่อรวมอุปกรณ์จะดีขึ้น และ เมื่อเพิ่มอุณหภูมิอุปกรณ์ วางชั้นพื้นผิวถาวรและหลุมท่อระบายน้ำดีอิสระระหว่างอุปกรณ์ทั้งหมดมีขั้วที่แตกต่างกันโดยทั่วไปป้องกันไม่ให้เกิดปรากฏการณ์นี้ อย่างไรก็ตาม มาตรการเหล่านี้ไม่สามารถป้องกันครอบครองอุปกรณ์เพิ่ม ในกรณีที่อุปกรณ์ CMOS ซอย แต่ละองค์ประกอบจะสมบูรณ์แบ่งแยกกล่องฟิล์มออกไซด์และฟิล์มออกไซด์ LOCOS, thyristers ไม่มีเสียงฟู่เหมือนกาฝากเกิดขึ้น และเกิดปรากฏการณ์สลักขึ้น ไม่จำเป็นต้องทำชั้นถาวร และการระบายน้ำชั้น ยัง รวมปรับปรุงและประสิทธิภาพดำเนินการปรับปรุง hightemperature สามารถคาดหวัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้เมื่อลดการใช้พลังงาน, การดำเนินการข้อผิดพลาดที่เกิดจากเสียงรบกวนหรือเสียงรบกวนที่เกิดขึ้นภายในเมื่อแรงดันไฟฟ้าจะลดลงกลายเป็นความกังวลที่สำคัญความน่าเชื่อถือ ปรากฏการณ์อุปกรณ์ CMOS latchup เป็นตัวอย่างที่เป็นตัวแทนของนี้ เนื่องจากพื้นที่มีไฟฟ้าแยกอุปกรณ์ CMOS จำนวนมากจากพื้นผิว, ไทริสเตอร์ปรสิตที่สร้างขึ้นอย่างหลีกเลี่ยงไม่ระหว่างแหล่งจ่ายไฟและขา GND สลักขึ้นเป็นปรากฏการณ์ที่ไทริสเตอร์พยาธินี้จะเปิดใช้งานโดยดี / สารตั้งต้นในปัจจุบันเป็นผลมาจากทั้งคลื่นรบกวนหรือการดำเนินงานของทรานซิสเตอร์ภายใน เป็นผลให้ระบบอาจจะทำงานผิดพลาดหรือปิดตัวลง (ดูรูปที่ 8) ปรากฏการณ์นี้มีแนวโน้มที่จะเกิดขึ้นเมื่อมีการรวมอุปกรณ์ที่ดีขึ้นและเมื่ออุณหภูมิอุปกรณ์เพิ่มขึ้น การวางชั้นพื้นผิวคงที่และหลุมท่อระบายน้ำดีที่เป็นอิสระระหว่างอุปกรณ์ทั้งหมดที่มีขั้วที่แตกต่างกันโดยทั่วไปจะป้องกันไม่ให้เกิดขึ้นของปรากฏการณ์นี้ อย่างไรก็ตามมาตรการเหล่านี้ไม่สามารถป้องกันพื้นที่ที่อุปกรณ์ครอบครองจากการเพิ่ม ในกรณีที่อุปกรณ์ซอย CMOS แต่ละองค์ประกอบจะถูกแยกออกอย่างสมบูรณ์โดยกล่องฟิล์มออกไซด์และฟิล์มออกไซด์โลคอสจึงไม่มี thyristers กาฝากจะเกิดขึ้นและปรากฏการณ์สลักขึ้นไม่ได้เกิดขึ้น มันไม่จำเป็นที่จะวางชั้นคงที่และชั้นท่อระบายน้ำ นอกจากนี้การรวมที่ดีขึ้นและผลการดำเนินงานที่ดีขึ้น hightemperature สามารถคาดหวัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นอกจากนี้ เมื่อลดการใช้ไฟฟ้า การผิดพลาดที่เกิดจากเสียงดังรบกวนหรือสร้างขึ้นภายในทั้งเสียงที่เกิดเมื่อแหล่งจ่ายไฟแรงดันลดลง กลายเป็นปัญหาความน่าเชื่อถือที่สำคัญ CMOS อุปกรณ์ latchup เป็นตัวอย่างที่เป็นตัวแทนของปรากฏการณ์นี้ ตั้งแต่บริเวณแยกด้วยไฟฟ้าขนาดใหญ่ CMOS อุปกรณ์จากตั้งต้นเป็น thyrister ปรสิต ย่อมสร้างระหว่างแหล่งจ่ายไฟและขา GND . สลักขึ้นเป็นปรากฏการณ์ที่ thyrister ปรสิตนี้สามารถใช้งานได้โดยดี / พื้นผิวปัจจุบันที่เกิดจากการรบกวน หรือ การดำเนินการทั้งกระแสทรานซิสเตอร์ภายใน ผลคือ ระบบอาจจะขัดข้องหรือปิดตัวลง ( ดูรูปที่ 8) ปรากฏการณ์นี้มีแนวโน้มที่จะเกิดขึ้นเมื่ออุปกรณ์รวมจะดีขึ้น และเมื่ออุปกรณ์ที่อุณหภูมิสูงขึ้น การแก้ไขพื้นผิวชั้นและอิสระดีระบายหลุมระหว่างอุปกรณ์ทั้งหมดที่มีขั้วแตกต่างกันโดยทั่วไปจะป้องกันไม่ให้เกิดปรากฏการณ์นี้ อย่างไรก็ตาม มาตรการเหล่านี้ไม่สามารถป้องกันพื้นที่ที่อุปกรณ์ครอบครองจากการเพิ่มขึ้นในกรณีของ soi-cmos อุปกรณ์ แต่ละองค์ประกอบจะสมบูรณ์แยกจากกล่องฟิล์มออกไซด์และออกไซด์โลคัสฟิล์ม จึงไม่ thyristers ปรสิตจะเกิดขึ้น และสลักขึ้น ปรากฏการณ์ที่ไม่เกิดขึ้น ไม่จําเป็นต้องสถานที่ถาวร ชั้น และ ระบายชั้น นอกจากนี้ การปรับปรุงและบูรณาการการปรับปรุง hightemperature ผลการดำเนินงานสามารถคาด