An ultra-compact watt-level Ka-band

An ultra-compact watt-level Ka-band monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifier (PA) is demonstrated using a 0.15 μm Gallium Arsenide (GaAs) stacked field effect transistor (stacked-FETs) configuration. The fabricated PA exhibits 31.5 dBm output power, 17 dB gain and 33% power added efficiency (PAE). The bandwidth is from 26 GHz to 31 GHz. The PA achieves 0.7 Watt/mm2 power density at 28 GHz. To the best of our knowledge, this PA achieves the highest power density among reported GaAs Ka-band PAs.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีขนาดกะทัดรัดเป็นพิเศษระดับวัตต์ Ka วงเสาหินไมโครเวฟวงจรรวม (MMIC) เครื่องขยายสัญญาณเสียง (PA) จะแสดงให้เห็นโดยใช้แบบ 0.15 ไมครอน Arsenide แกลเลียม (GaAs) ซ้อนผลทรานซิสเตอร์ (ซ้อน FETs) กำหนดค่าเขตข้อมูล การจัดแสดงป่าประดิษฐ์ 31.5 วัตต์ dBm กำไร 17 dB และ 33% พลังงานที่เพิ่มประสิทธิภาพ (PAE) แบนด์วิดท์คือจาก 26 GHz 31 GHz PA ทำให้ความหนาแน่นกำลัง วัตต์/mm2 0.7 ที่ 28 GHz ที่สุดของความรู้ของเรา PA นี้ทำให้ความหนาแน่นของพลังงานสูงสุดระหว่างรายงาน GaAs Ka-วง PAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อัลตร้าขนาดกะทัดรัดวัตต์ระดับ Ka-วงเสาหินไมโครเวฟวงจรรวม (MMIC) เพาเวอร์แอม (PA) แสดงให้เห็นถึงการใช้ 0.15 ไมโครเมตร arsenide แกลเลียม (GaAs) สนามซ้อนผลทรานซิสเตอร์ (ซ้อน FETs) การกำหนดค่า ประดิษฐ์ PA การจัดแสดงนิทรรศการพลังงานออก 31.5 dBm กำไร 17 เดซิเบลและการใช้พลังงานอย่างมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น 33% (PAE) แบนด์วิดธ์จาก 26 GHz ถึง 31 GHz ประสบความสำเร็จในป่า 0.7 วัตต์ / ความหนาแน่นของพลังงาน mm2 วันที่ 28 GHz ที่ดีที่สุดของความรู้ของเรา, PA นี้ประสบความสำเร็จในความหนาแน่นของพลังงานสูงที่สุดในบรรดารายงาน GaAs อภิสิทธิ์ Ka-Band