Wurtzite GaN film was grown on c-pl

Wurtzite GaN film was grown on c-plane sapphire substrate byhydrogen vapor phase epitaxy (HVPE) method [23], GaN nanowiresand nanoflowers grown on sapphire substrate were obtainedthrough a simple chemical vapor deposition (CVD) process, asdescribed in our previous work [24].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Wurtzite GaN ฟิล์มถูกปลูกบนพื้นแซฟไฟร์ c-เครื่องบิน byhydrogen ไอขั้นตอนวิธี epitaxy (HVPE) [23] nanoflowers nanowiresand กันที่ปลูกในพื้นที่แซฟไฟร์ obtainedthrough กระบวนการสะสม (CVD) ไอเคมีง่าย asdescribed ในการทำงานก่อนหน้านี้ของเรา [24]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ Wurtzite กานถูกปลูกใน C-เครื่องบินไพลินตั้งต้น byhydrogen epitaxy ไอเฟส (HVPE) วิธีการ [23] กาน nanowiresand nanoflowers ปลูกบนพื้นผิวไพลินเป็น obtainedthrough สะสมไอเคมีการง่ายๆ (CVD) asdescribed ในการทำงานของเราก่อนหน้า [24] .

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

wurtzite กานปลูกบนพื้นผิวฟิล์ม c-plane แซฟไฟร์ byhydrogen ไอเฟสเอพิแทกซี ( hvpe ) [ 23 ] , กาน nanowiresand nanoflowers ปลูกบนพื้นผิวเป็นแซฟไฟร์ obtainedthrough เป็น chemical vapor deposition ( CVD ) asdescribed ง่ายกระบวนการในการทำงานของเราก่อนหน้านี้ [ 24 ]