Due to the cross flow in ALD reactor

Due to the cross flow in ALD reactor chamber, the injected pre- cursor gas actually cannot reach all surface Sites on substrate at the same time. Therefore, the effect of this position diversity on the surface species formation is simulated in Fig. 4, where the time- dependent local pressures of injected TMA are illustrated. The operating conditions are set the same as the validated case. It can be seen that the local partial pressure of TMA is not uniformly distributed on the substrate surface. If we use point A and point B to denote two edges of the silicon wafer surface, it can be seen that it takes around 0.2 s for point B to get the first contact with TMA gas species after that of point A. The influence of this sequencing treatment on the surface species formation is simulated in Fig. 5, which shows the coverage variations of surface species in one ALD cycle including |–OH, |–Al(CH3)2 and |–Al(CH3)1. It can be seen that, during the TMA half cycle (from t = 0s tot = 10 s), the surface coverage of |–OH is decreased to nearly zero by the production of |–Al(CH3)2 on the silicon wafer surface. Then, the water vapor pulse is applied at t =10 s, where the |–OH is reproduced on the surface, and |–Al(CH3)1 is generated by the surface reactions between |–Al(CH3)2 and adsorbed H2O. After around 1.5s by surface reac- tions, an equilibrium state (saturation) eventually can be reached. Comparing the variations of surface species at two silicon wafer edges (point A and point B), it is obvious that they have nearly the same coverage when the surface reactions reach the equilib- rium state. This can be understood by that the amount of injected precursor is sufficient in the experiment, and thus the position diversity of the silicon wafer surface sites actually has very small effect on the homogeneous alumina film growth.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เนื่องจาก flow ไขว้ในห้องเครื่องปฏิกรณ์ ALD แก๊สเคอร์เซอร์ก่อนฉีดจริงไม่สามารถเข้าถึงไซต์ทุกพื้นผิวบนพื้นผิวในเวลาเดียวกัน ดังนั้น ผลของความหลากหลายของตำแหน่งนี้ก่อชนิดพื้นผิวจำลองใน Fig. 4 ที่ใช้ในการแสดงความดันขึ้นอยู่กับเวลาท้องถิ่นของ TMA ฉีด เงื่อนไขการปฏิบัติงานจะถูกตั้งเหมือนเป็นกรณีตรวจ จะเห็นได้ว่า ความดันบางส่วนเฉพาะของ TMA ไม่สม่ำเสมอเมื่อเทียบเคียงกระจายบนพื้นผิวพื้นผิว ถ้าเราใช้จุด A และจุด B แสดงสองขอบของพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอน จะเห็นได้ว่า ใช้รอบ 0.2 s สำหรับจุด B ได้ติดต่อ first กับ TMA ก๊าซชนิดหลังจากนั้นอ.จุด Influence นี้รักษาลำดับการจัดตั้งชนิดพื้นผิวจำลองใน Fig. 5 ซึ่งแสดงรูปแบบความคุ้มครองผิวพันธุ์ในหนึ่ง ALD วงจรรวม | – OH, | – อัล (CH3) 2 และ | – อัล (CH3) 1 ดังจะเห็นได้ว่า ในระหว่าง TMA ครึ่งรอบ (จาก t = 0 s ทีโอที = 10 s), ความครอบคลุมพื้นผิวของ | – OH จะลดลงเกือบเป็นศูนย์โดยการผลิต | – อัล (CH3) 2 บนพื้นผิวแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอ แล้ว ใช้ไอน้ำชีพจรที่ t = 10 s ซึ่ง | – OH จะทำซ้ำบนพื้นผิว และ | – อัล (CH3) 1 ถูกสร้างขึ้น โดยปฏิกิริยาผิวระหว่าง | – อัล (CH3) 2 และ adsorbed H2O หลังจาก 1.5s ประมาณโดยผิว reac-tions สมดุลสถานะ (ความเข้ม) ในที่สุดสามารถเข้าถึง เปรียบเทียบความแตกต่างผิวพันธุ์ที่ซิลิคอน 2 แผ่นเวเฟอร์ขอบ (จุด A และจุด B), ได้ชัดเจนว่า พวกเขามีเกือบครอบคลุมเดียวกันเมื่อปฏิกิริยาผิวรัฐ equilib rium นี้สามารถเข้าใจว่า จำนวนสารตั้งต้นฉีด sufficient ในการทดลอง และดังนั้น หลากหลายตำแหน่งไซต์ผิวแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอจริงมีผลขนาดเล็กมากเจริญเติบโต film อลูมินาเหมือนกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เนื่องจากชั้นข้ามโอ๊ยใน ALD ห้องปฏิกรณ์ก๊าซเคอร์เซอร์ก่อนฉีดจริงไม่สามารถเข้าถึงทุกพื้นผิวไซต์บนพื้นผิวในเวลาเดียวกัน ดังนั้นผลกระทบของความหลากหลายของตำแหน่งนี้ในการสร้างพื้นผิวชนิดที่มีการจำลองในรูป 4 ที่แรงกดดันเวลาท้องถิ่นขึ้นอยู่กับการฉีด TMA จะแสดง เงื่อนไขการดำเนินงานมีการตั้งค่าเช่นเดียวกับกรณีการตรวจสอบ จะเห็นได้ว่าความดันบางส่วนในท้องถิ่นของ TMA ไม่ได้กระจายอยู่บนพื้นผิว ถ้าเราใช้จุด A และจุด B เพื่อแสดงสองขอบของพื้นผิวซิลิคอนเวเฟอร์ก็จะเห็นได้ว่าจะใช้เวลาประมาณ 0.2 วินาทีจุด B ที่จะได้รับการติดต่อ Fi ครั้งแรกกับ TMA ชนิดก๊าซหลังจากที่ A. จุดในอิทธิพลนี้ การรักษาลำดับในการสร้างพื้นผิวชนิดจำลองในรูป 5 ซึ่งแสดงให้เห็นรูปแบบการรายงานข่าวของสายพันธุ์พื้นผิวในวงจร ALD หนึ่งรวมทั้ง | -OH, | -Al (CH3) 2 และ | -Al (CH3) 1 จะเห็นได้ว่าในระหว่าง TMA ครึ่งรอบ (จาก t = 0s ทีโอที = 10 s), ครอบคลุมพื้นผิวของ | -OH จะลดลงไปเกือบเป็นศูนย์โดยการผลิต | -Al (CH3) 2 บนพื้นผิวซิลิกอนเวเฟอร์ . จากนั้นชีพจรไอน้ำถูกนำมาใช้ที่ t = 10 วินาที, ที่ | -OH ทำซ้ำบนพื้นผิวและ | -Al (CH3) 1 ถูกสร้างขึ้นโดยปฏิกิริยาระหว่างพื้นผิว | -Al (CH3) 2 และดูดซับ H2O . หลังจากรอบ 1.5s โดยพื้นผิวข้อ reac- รัฐสมดุล (อิ่มตัว) ในที่สุดก็สามารถเข้าถึงได้ การเปรียบเทียบรูปแบบของพื้นผิวชนิดที่สองขอบซิลิคอนเวเฟอร์ (จุด A และจุด B) จะเห็นได้ชัดว่าพวกเขามีเกือบครอบคลุมเดียวกันเมื่อเกิดอาการผิวเข้าถึงสภาวะเรียม equilib- นี้สามารถเข้าใจได้โดยที่ปริมาณของสารตั้งต้นที่ฉีดเป็นเพียงพอ Fi พอเพียงในการทดลองและทำให้ความหลากหลายตำแหน่งของซิลิกอนเวเฟอร์เว็บไซต์พื้นผิวจริงมีผลกระทบน้อยมากต่อการเจริญเติบโตของอลูมิเนียมเนื้อเดียวกัน Fi LM

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เนื่องจากข้ามflโอ๊ยในห้องเครื่องปฏิกรณ์ ald , ฉีดแก๊สก่อนเคอร์เซอร์ที่จริงไม่สามารถเข้าถึงเว็บไซต์บนพื้นผิวพื้นผิวทั้งหมดในเวลาเดียวกัน ดังนั้นผลของตำแหน่งนี้ความหลากหลายในชนิดพื้นผิวรูปแบบ ) ในรูปที่ 4 ซึ่งเวลา - ขึ้นอยู่กับท้องถิ่นโดยฉีดก็เป็นภาพประกอบ สภาวะการทำงานเป็นชุดเดียวกับการตรวจสอบกรณีจะเห็นได้ว่า ความดันบางส่วนท้องถิ่นของ TMA ไม่กระจายอย่างสม่ำเสมอบนพื้นผิวพื้นผิว ถ้าเราใช้จุด A และจุด B ไปจนถึงสองขอบของพื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอน จะเห็นได้ว่า มันใช้เวลาประมาณ 0.2 วินาที จุด B ได้จึงตัดสินใจเดินทางไปติดต่อกับลูกค้าชนิดก๊าซหลังจากนั้นของจุด Aในfl uence นี้ลำดับการรักษาชนิดพื้นผิวรูปแบบ ) ในรูปที่ 5 ซึ่งแสดงความครอบคลุมการเปลี่ยนแปลงของสปีชีส์บนพื้นผิวใน ald รอบรวมทั้ง | –โอ้ | –อัล ( CH3 ) 2 และ | –อัล ( CH3 ) 1 จะเห็นได้ว่าในระหว่าง TMA ครึ่งรอบ ( จาก T = 0s ทีโอที = 10 )พื้นผิวที่ครอบคลุม | –โอ้จะลดลงเกือบเป็นศูนย์ โดยการผลิต | –อัล ( CH3 ) 2 บนพื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอน จากนั้นไอน้ำชีพจร ( t = 10 , ที่ | –โอ้ถูกทำซ้ำบนพื้นผิว และ | –อัล ( CH3 ) ถูกสร้างขึ้นโดยปฏิกิริยาระหว่างผิว | –อัล ( CH3 ) 2 และดูดซับ H2O หลังจากที่รอบ 1.5s โดยให้การ - พื้นผิวยินดีด้วยเป็นสภาพสมดุล ( อิ่มตัว ) ในที่สุดก็มาถึง การเปรียบเทียบการเปลี่ยนแปลงของสปีชีส์บนพื้นผิวที่สองขอบเวเฟอร์ซิลิคอน ( จุด A และจุด B ) , มันเป็นที่ชัดเจนว่าพวกเขามีความใกล้เคียงกัน เมื่อปฏิกิริยาที่ผิวถึง equilib - rium รัฐ นี้สามารถเข้าใจได้ว่า ปริมาณฉีดสารตั้งต้นคือซุฟจึง cient ในการทดลองดังนั้นตำแหน่งความหลากหลายของพื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอนเว็บไซต์จริงได้ผลน้อยมากในเนื้อเดียวกัน อะอิม จึงเจริญ