The solar cells were deposited usin

The solar cells were deposited using radio frequency plasmaenhanced
chemical vapor deposition (rf-PEVCD) using up-to-date
optimized deposition conditions. The single junction a-Si:H and μc-
Si:H solar cells were deposited in superstrate configuration on Corning
glass with ZnO:Al as front contact and ZnO:Al/Ag/ZnO:Al as back
contact/reflector. The thicknesses of the absorber layers in the single
junction cells were respectively 300 and 1000 nm. The tandem and
triple-junction cells were deposited on SnO2:F coated glass type Asahi-
VU. The tandem cells have superstrate configuration with a top a-Si:H
p-i-n, n-type μc-Si:H as the tunnel recombination junction (TRJ) and a
bottom μc-Si:H p-i-n [17]. The triple-junction cells also have the
superstrate configuration with the structure composed of a-Si:H/μc-
Si:H/μc-Si:H (hereafter refered to as Triple A) and a-Si:H/a-Si:H/μc-
Si:H (hereafter refered to as Triple B) absorber layers. The detailed
deposition conditions and the characterization procedure for the
multijunction cells as carried out in our group are presented elsewhere

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เซลล์แสงอาทิตย์ได้ฝากการใช้คลื่นความถี่วิทยุ plasmaenhancedใช้ล่าสะสมไอสารเคมี (rf-PEVCD)ปรับสภาพสะสม แยกเดี่ยว-Si:H และ μc -เซลล์แสงอาทิตย์ Si:H ถูกฝากไว้ในการตั้งค่าคอนฟิก superstrate บน Corningแก้วกับ ZnO:Al หน้าติดต่อและ ZnO:Al Ag/ZnO:Al เป็นหลังติดต่อ/แผ่นสะท้อนแสง ความหนาของชั้นดูดซับในซิงเกิลแยกเซลล์ถูก nm 300 และ 1000 ตามลำดับ ตัวควบคู่ และสามแยกเซลล์ที่ถูกฝากไว้ในชนิด SnO2:F เคลือบกระจกอาซาฮี-วู เซลล์ควบคู่มีการกำหนดค่า superstrate กับ top-Si:Hp-i-n, n ชนิด μc-Si:H เป็นการรวมตัวกันอุโมงค์เชื่อมต่อ (TRJ) และล่าง μc-Si:H p-i-n [17] สามแยกเซลล์ยังมีการกำหนดค่า superstrate มีโครงสร้างประกอบด้วยมี-Si:H / μc -Si:H / μc-Si:H (ต่อจากนี้แม้เป็น Triple A) และ a-Si:H / -Si:H / μc -Si:H (ต่อจากนี้แม้เป็น Triple B) ชั้นดูดซับ รายละเอียดเงื่อนไขสะสมและขั้นตอนการจำแนกลักษณะการmultijunction เซลล์เป็นดำเนินการในกลุ่มของเรามีแสดงอื่น ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซลล์แสงอาทิตย์มีเงินที่ใช้คลื่นความถี่วิทยุ plasmaenhanced
สะสมไอเคมี (RF-PEVCD) โดยใช้ up-to-วัน
ที่ดีที่สุดเงื่อนไขการสะสม ชุมทางเดียว-Si: H และμc-
Si: H เซลล์แสงอาทิตย์มีเงินในการกำหนดค่า superstrate ใน Corning
แก้วที่มีซิงค์ออกไซด์: อัลเป็นผู้ติดต่อด้านหน้าและ ZnO: อัล / AG / ZnO: อัลเป็นกลับ
ติดต่อ / สะท้อนแสง ความหนาของชั้นโช้คในซิงเกิ้ล
เซลล์แยกตามลําดับ 300 และ 1000 นาโนเมตร ตีคู่และ
สามแยกเซลล์ถูกวางลงบน SnO2: ชนิดกระจกเคลือบ F Asahi-
VU เซลล์ควบคู่มีการกำหนดค่า superstrate กับด้านบนที่ศรี: H
P-ใน N-ประเภทμc-Si: H เป็นชุมทางอุโมงค์รวมตัวกันอีก (TRJ) และ
ด้านล่างμc-Si: H ขา [17] เซลล์สามแยกยังมี
การกำหนดค่า superstrate มีโครงสร้างประกอบด้วย A-Si: H / μc-
Si: H / μc-Si: H (อ้างปรโลกว่า Triple A) และศรี: H / A-Si : H / μc-
Si: H (อ้างต่อจากนี้จะเป็นทริปเปิ B) ชั้นโช้ค โดยมีรายละเอียด
เงื่อนไขและวิธีการสะสมตัวละครสำหรับ
เซลล์ multijunction เป็นดำเนินการในกลุ่มของเราจะถูกนำเสนอในที่อื่น ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เซลล์แสงอาทิตย์ไว้ใช้คลื่นวิทยุ plasmaenhancedการควบแน่นของไอสารเคมี ( RF pevcd ) ใช้ที่ทันสมัยเหมาะสะสมเงื่อนไข อะมอร์ฟัสซิลิคอนที่ชุมทางเดียว : H μ C - และศรี : ( เซลล์แสงอาทิตย์ฝากเงินในการ superstrate ในคอร์นนิ่งแก้วกับซิงค์ออกไซด์ : อัล ติดต่อเป็น ด้านหน้า และ ซิงค์ออกไซด์ : AL / Ag / ZnO : อัลเป็นกลับสะท้อนการติดต่อ / ความหนาของโช้คชั้นเดี่ยวแยกเซลล์ตามลำดับ 300 และ 1000 นาโนเมตร ที่ควบคู่และสามแพร่งเซลล์มีการตกตะกอนใน SnO2 : F เคลือบกระจกอาซาฮี - ประเภทเดจาวู เซลล์มีการตั้งค่า superstrate ควบคู่กับอะมอร์ฟัสซิลิคอนบน : Hp-i-n ทั่วไป , μ c-si : H เป็นอุโมงค์ชุมทาง recombination ( trj ) และด้านล่างμ c-si : H p-i-n [ 17 ] เซลล์สามแพร่งยังมีsuperstrate การกำหนดค่าโครงสร้างประกอบด้วยอะมอร์ฟัสซิลิคอนμ C - H /ซี : H / μ c-si : H ( ภายหลังเรียกว่า สาม ) และอะมอร์ฟัสซิลิคอน H / C - H / μอะมอร์ฟัสซิลิคอนซี : H ( ภายหลังเรียกว่า Triple B ) โช้คชั้น รายละเอียดเงื่อนไขและขั้นตอนในการสะสมสำหรับเซลล์ multijunction เป็นดำเนินการในกลุ่มของเราจะนำเสนอในที่อื่น ๆ