In general, a field-effect transist

In general, a field-effect transistor (FET) consists of three terminals; the source, drain, and gate. The voltage between the source and drain of the FET regulates the current flow in the gate voltage. Specifically, the current-control mechanism is based on an electric field generated by the voltage applied to the gate. The current is also conducted by only one type of carrier (electrons or holes) depending on the type of FET (n-channel or p-channel). A positive voltage applied to the gate causes positive charges (free holes) to be repelled from the region of the substrate under the gate. These positive charges are pushed downward into the substrate, leaving behind a carrier-depletion region. The depletion region is populated by the bound negative charge associated with the acceptor atoms.
These charges are “uncovered” because the neutralizing holes have been pushed downward into the substrate [5]. The positive gate voltage also pulls negative charges (electrons) from the substrate regions into the channel region. When sufficient electrons are induced under the gate, an induced thin n-channel is in effect created, electrically bridging the source and drain regions. The channel is formed by inverting the substrate surface from p-type to n-type (inversion layer). When a voltage is applied between the drain and source with the created channel, a current flows through this n-channel via the mobile electrons (n-type FET). In the case of a p-type semiconductor, applying a positive gate voltage depletes carriers and reduces the conductance, whereas applying a negative gate voltage leads to an accumulation of carriers and an increase in conductance (the opposite effect occurs in n-type semiconductors). The applied gate voltage generates an electric field which develops in the vertical direction. This field controls the amount of charge in the channel, and thus it determines the conductivity of the channel. The gate voltage applied to accumulate a sufficient number of electrons in the channel for a conducting channel is called the threshold voltage (VTH). Note that VTH for an nchannel (p-channel) FET is positive (negative). With these properties, the FET can be configured as a biosensor by modifying the gate terminal with molecular receptors or ion-selective membranes for the analyte of interest. The binding of a charged biomolecule results in depletion or accumulation of carriers caused by change of electric charges on the gate terminal. The dependence of the channel conductance on gate voltage makes FETs good candidates for electrical biosensors because the electric field generating from the binding of a
charged biomolecule to the gate is analogous to applying a voltage to a gate. In general, the drain
current of the FET-type biosensor is defined as follows:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทั่วไป ฟิลด์–ผลทรานซิสเตอร์ (FET) ประกอบด้วยอาคารผู้โดยสาร แหล่งที่มา ท่อระบายน้ำ และประตู แรงดันไฟฟ้าระหว่างต้นทางและท่อระบายน้ำของ FET การควบคุมกระแสที่ไหลผ่านในแรงดันประตู เฉพาะ กลไกการควบคุมปัจจุบันขึ้นอยู่กับสนามไฟฟ้าที่สร้างขึ้น โดยแรงดันไฟฟ้าที่ใช้กับประตู นอกจากนี้ยังมีการดำเนินการปัจจุบัน โดยเพียงชนิดเดียว (อิเล็กตรอนหรือหลุม) ผู้ให้บริการขึ้นอยู่กับชนิดของ FET (n หรือ p-ช่องสัญญาณ) แรงดันที่ใช้กับประตูทำให้บวกค่าธรรมเนียม (หลุมฟรี) จะมันไส้จากภูมิภาคของพื้นผิวประตูไป ค่าธรรมเนียมบวกเหล่านี้จะผลักดันลงเป็นพื้นผิว ทิ้งภูมิภาคผู้สูญเสีย ภูมิภาคสูญเสียโดยประจุลบถูกผูกเชื่อมโยงกับอะตอมให้เป็นผู้รับค่าธรรมเนียมเหล่านี้จะ "เปิด" เพราะหลุมล้ำได้ถูกผลักดันลงสู่พื้นผิว [5] แรงดันไฟฟ้าบวกประตูยังดึงค่าลบ (อิเล็กตรอน) จากภูมิภาคพื้นผิวเข้าสู่ภูมิภาคช่อง เมื่ออิเล็กตรอนเพียงพอจะเกิดภายใต้ประตู การเหนี่ยวนำบาง n ช่องผลขึ้น เชื่อมภูมิภาคแหล่งและท่อระบายน้ำระบบไฟฟ้า ช่องทางจะเกิดขึ้น โดยสีตรงกันข้ามพื้นผิวพื้นผิวจาก p ชนิด n ชนิด (ชั้นกลับ) เมื่อใช้แรงดันไฟฟ้าระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งกับช่องสร้างขึ้น กระแสที่ไหลผ่านช่องทางนี้ n (n-ประเภท FET) อิเล็กตรอนเคลื่อนผ่าน ในกรณีที่สารกึ่งตัวนำชนิด p ใช้แรงดันไฟฟ้าบวกประตูแผ่สายการบิน และลดนำพา ในขณะที่ใช้แรงดันไฟฟ้าลบประตูนำไปสู่การสะสมของสายการบินและการเพิ่มขึ้นในนำพา (ผลที่เกิดขึ้นในสารกึ่งตัวนำชนิด n) แรงดันไฟฟ้าที่ใช้ประตูสร้างสนามไฟฟ้าซึ่งพัฒนาในทิศทางแนวตั้ง ฟิลด์นี้ควบคุมจำนวนเงินในช่อง แล้วจึง กำหนดค่าการนำไฟฟ้าของช่อง แรงดันไฟฟ้าประตูใช้สะสมเพียงพอจำนวนของอิเล็กตรอนในช่องสำหรับช่องทางการทำเรียกว่าขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้า (VTH) VTH สำหรับ FET nchannel (p-ช่อง) เป็นบวก (ลบ) ด้วยคุณสมบัติเหล่านี้ สามารถกำหนดเป็น biosensor เฟสฯ โดยการปรับเปลี่ยนประตูด้วยโมเลกุลตัวรับหรือเยื่อเลือกไอออนสำหรับ analyte ที่น่าสนใจ ผลรวมของโมเลกุลชีวภาพที่ชาร์จสูญเสียหรือสะสมของสายการบินเกิดจากการเปลี่ยนแปลงของประจุไฟฟ้าบนเทอร์มินัลเก ทำให้การพึ่งพาของนำพาช่องบนประตูดัน FETs สมัครที่ดีสำหรับ biosensors ไฟฟ้าเนื่องจากสนามไฟฟ้าที่สร้างจากการรวมของการโมเลกุลชีวภาพมีประตูคล้ายกับการใช้แรงดันไฟฟ้าเป็นไปได้ ในทั่วไป ท่อระบายน้ำปัจจุบันของ biosensor FET ชนิดถูกกำหนดเป็นดังนี้:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยทั่วไปสนามผลทรานซิสเตอร์ (FET) ประกอบด้วยขั้วที่สาม; แหล่งที่มาของท่อระบายน้ำและประตูเมือง แรงดันไฟฟ้าระหว่างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำของ FET ควบคุมการไหลของกระแสแรงดันประตู โดยเฉพาะในปัจจุบันกลไกการควบคุมอยู่บนพื้นฐานของสนามไฟฟ้าที่เกิดจากแรงดันไฟฟ้าที่ใช้กับประตู ปัจจุบันยังมีการดำเนินการโดยเพียงชนิดเดียวของผู้ให้บริการ (อิเล็กตรอนหรือหลุม) ขึ้นอยู่กับชนิดของ FET (N-ช่องหรือ P-Channel) แรงดันไฟฟ้าในเชิงบวกนำไปใช้กับประตูทำให้เกิดประจุบวก (หลุมฟรี) ที่จะมันไส้จากภูมิภาคของพื้นผิวภายใต้ประตู ประจุบวกเหล่านี้จะถูกผลักลงเข้าไปในพื้นผิวหลังออกจากพื้นที่ที่ให้บริการพร่อง ภูมิภาคพร่องเป็นประชากรโดยประจุลบที่ถูกผูกไว้ที่เกี่ยวข้องกับอะตอมยอมรับได้.
ค่าใช้จ่ายเหล่านี้จะ "เปิด" เพราะหลุม neutralizing ได้รับการผลักดันลงเข้าไปในพื้นผิว [5] แรงดันไฟฟ้าในเชิงบวกประตูยังดึงประจุลบ (อิเล็กตรอน) จากภูมิภาคสารตั้งต้นเข้ามาในภูมิภาคช่อง เมื่ออิเล็กตรอนเพียงพอที่จะเหนี่ยวนำให้เกิดภายใต้ประตูเหนี่ยวนำบาง n ช่องทางมีผลสร้างการเชื่อมโยงระบบไฟฟ้าแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำในภูมิภาค ช่องทางที่จะเกิดขึ้นโดย inverting พื้นผิวจาก P-ชนิด N-Type (ชั้นผกผัน) เมื่อมีการใช้ไฟฟ้าระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งที่มากับช่องทางที่สร้างการมีกระแสไหลผ่านทางนี้ N-ช่องผ่านอิเล็กตรอนเคลื่อนที่ (N-ประเภท FET) ในกรณีของ P-สารกึ่งตัวนำชนิดที่ใช้แรงดันเกบวกบั่นทอนผู้ให้บริการและช่วยลดความนำไฟฟ้าในขณะที่การใช้แรงดันเกเชิงลบจะนำไปสู่การสะสมของผู้ให้บริการและการเพิ่มขึ้นของสื่อกระแสไฟฟ้า (ผลตรงข้ามที่เกิดขึ้นใน N-ประเภทเซมิคอนดักเตอร์) . แรงดันไฟฟ้าประตูนำไปใช้สร้างสนามไฟฟ้าที่พัฒนาไปในทิศทางแนวตั้ง ข้อมูลนี้จะควบคุมปริมาณของค่าใช้จ่ายในช่องทางและทำให้มันกำหนดการนำของช่อง แรงดันไฟฟ้าประตูนำไปใช้กับการสะสมจำนวนที่เพียงพอของอิเล็กตรอนในช่องทางสำหรับช่องการดำเนินการที่เรียกว่าแรงดันเกณฑ์ (Vth) หมายเหตุ Vth ว่าสำหรับ nChannel (P-Channel) FET เป็นบวก (ลบ) ที่มีคุณสมบัติเหล่านี้ FET สามารถกำหนดค่าให้เป็นไบโอเซนเซอร์โดยการปรับเปลี่ยนขั้วประตูกับตัวรับโมเลกุลหรือไอออนเยื่อเลือกสำหรับการวิเคราะห์ที่น่าสนใจ ผูกพันของผลข้อหาโมเลกุลทางชีวภาพในการสูญเสียหรือการสะสมของผู้ให้บริการที่เกิดจากการเปลี่ยนแปลงของค่าใช้จ่ายไฟฟ้าใน terminal ประตู การพึ่งพาอาศัยของสื่อกระแสไฟฟ้าแรงดันในช่องประตูทำให้ FETs ผู้สมัครที่ดีสำหรับไบโอเซนเซอร์ไฟฟ้าเนื่องจากสนามไฟฟ้าจากการสร้างผลผูกพันของ
โมเลกุลทางชีวภาพที่เรียกเก็บจากประตูจะคล้ายคลึงกับการใช้แรงดันไฟฟ้าให้ประตู โดยทั่วไปท่อระบายน้ำ
ในปัจจุบันของ FET ชนิดไบโอเซนเซอร์ถูกกำหนดไว้ดังต่อไปนี้:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยทั่วไป , field-effect ทรานซิสเตอร์ ( FET ) ประกอบด้วยสามอาคาร ; แหล่งที่มา , ท่อระบายน้ำ , และประตู แรงดันไฟฟ้าระหว่างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำของเฟต ควบคุมการไหลของกระแสในประตูไฟฟ้า โดยเฉพาะ กลไกการควบคุมกระแสโดยใช้สนามไฟฟ้า ที่เกิดจากแรงดันที่ใช้กับประตู ปัจจุบันยังดำเนินการโดยเพียงหนึ่งชนิดของผู้ให้บริการ ( อิเล็กตรอนหรือหลุม ) ขึ้นอยู่กับชนิดของเฟต ( นแชนแนล หรือ p-channel ) แรงดันบวกใช้กับประตูทำให้ค่าใช้จ่ายในเชิงบวก ( หลุมฟรี ) ถูกขับไล่จากภูมิภาคของพื้นผิวภายใต้ประตู ค่าใช้จ่ายบวกเหล่านี้จะถูกผลักลงในพื้นผิว ทิ้งพาหะของภูมิภาค การเขตมีประชากรโดยผูกประจุลบที่เกี่ยวข้องกับพระนาสิกอะตอมค่าใช้จ่ายเหล่านี้คือ " เปิด " เพราะว่าหลุมถูกผลักลงในพื้นผิว [ 5 ] แรงดันประตูบวกยังดึงค่าลบ ( อิเล็กตรอน ) จากหลากหลายภูมิภาคเป็นสถานีภูมิภาค เมื่ออิเล็กตรอนถูกกระตุ้นที่เพียงพอภายใต้ประตู การกระตุ้นบางนแชนแนลจะมีผลสร้างระบบไฟฟ้าเชื่อมแหล่งที่มาและระบาย ภูมิภาค ช่องทางรูปแบบโดยกลับหัวพื้นผิวพื้นผิวจากพีไปทั่วไป ( ชั้นผกผัน ) เมื่อแรงดันที่ใช้ระหว่างการระบายและแหล่งที่มากับสร้างช่อง มีกระแสไหลผ่านนแชนแนลนี้ผ่านอิเล็กตรอนเคลื่อนที่ ( ทั่วไป FET ) ในกรณีของพีสารกึ่งตัวนำที่ใช้แรงดันประตูบวก depletes ผู้ให้บริการและลดความนำ ในขณะที่การใช้แรงดันประตูลบ นำไปสู่การสะสมของผู้ให้บริการและการเพิ่มขึ้นของระบบที่ตรงกันข้ามเกิดขึ้นในระบบทั่วไป ) ใช้แรงดันหลักจะสร้างสนามไฟฟ้า ที่พัฒนาในแนวตั้ง สนามนี้ การควบคุมปริมาณของประจุในช่อง , และดังนั้นจึงเป็นตัวนำไฟฟ้าของช่อง ประตูไฟฟ้าใช้เพื่อสะสมจำนวนที่เพียงพอของอิเล็กตรอนในตัวนำช่องทางช่องทางที่เรียกว่าเกณฑ์แรงดัน ( vth ) ทราบว่า vth สำหรับ nchannel ( p-channel ) เฟตเป็นบวก ( ลบ ) ด้วยคุณสมบัติเหล่านี้ เฟตสามารถกำหนดค่าเป็นไบโอเซนเซอร์โดยการปรับเปลี่ยนประตู terminal กับตัวรับโมเลกุลหรือไอออนเมมเบรนที่เลือก สำหรับครูที่สนใจ ผูกพันของชีวโมเลกุลผลลัพธ์ในการเรียกเก็บหรือสะสมของผู้ที่เกิดจากการเปลี่ยนแปลงของค่าใช้จ่ายไฟฟ้าที่ประตูผู้โดยสาร การพึ่งพาอาศัยกันของระบบแรงดันในช่องประตูทำให้ fets ผู้สมัครที่ดีสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้าตามเพราะสนามไฟฟ้าที่สร้างจากการรวมของค่าบริการชีวโมเลกุลเพื่อประตูเป็นแบบใช้แรงดันไฟฟ้าไปยังประตู ในทั่วไป , ท่อระบายปัจจุบันของเฟตชนิดไบโอเซนเซอร์เป็นดังนี้ :